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DE반도체재료 반도체재료
모두 354항목의 반도체재료 반도체재료와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 반도체재료 반도체재료와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 절연유체, 반도체 소재, 금속 재료 테스트, 포괄적인 테스트 조건 및 절차, 절단 도구, 인쇄 회로 및 인쇄 회로 기판, 종합 전자 부품, 씰, 씰링 장치, 어휘, 전선 및 케이블, 반도체 개별 장치, 분석 화학, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 전자 장비용 기계 부품, 전송 및 배전망, 시험, 건물 구성요소, 세라믹, 광학 및 광학 측정, 표면 처리 및 도금, 전자 디스플레이 장치, 도체 재료, 고무 및 플라스틱 원료, 잠그는 물건, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 감전 보호, 파라핀, 역청물질 및 기타 석유제품, 플라스틱, 잉크, 잉크, 철강 제품, 의료 장비, 전기 및 전자 테스트, 단열재, 섬유제품, 건축 자재, 자성 재료, 특수한 작업 조건에서 사용되는 전기 장비, 조잡한, 무선 통신, 연료, 고무 및 플라스틱 제품, 소방, 발전소 종합, 파이프 부품 및 파이프, 비철금속, 전기 장치, 비파괴 검사.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체재료 반도체재료
RO-ASRO, 반도체재료 반도체재료
Professional Standard - Electron, 반도체재료 반도체재료
HU-MSZT, 반도체재료 반도체재료
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체재료 반도체재료
British Standards Institution (BSI), 반도체재료 반도체재료
- BS IEC 62899-203:2018 인쇄전자재료 반도체 잉크
- BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
- BS IEC 62951-4:2019 반도체 소자 유연 및 신축성 반도체 소자 유연한 반도체 소자 기판 위의 유연한 전도성 필름의 피로 평가
- BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- BS EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 인장 시험 방법
- 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 인쇄 전자 부품 203 재료 반도체 잉크
- BS EN 62047-10:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS 재료의 마이크로 컬럼 압축 테스트
- BS EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 MEMS 재료에 대한 포아송 비 테스트 방법
- BS EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 축 피로 테스트 방법
- BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
- BS EN 62047-14:2012 반도체 소자, 마이크로 모터 소자, 금속박막재료의 성형한계 측정방법.
- BS IEC 62047-31:2019 반도체 소자 및 미세 전자기계 소자용 적층형 MEMS 재료의 계면 접착 에너지에 대한 4점 굽힘 시험 방법
- 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정
- BS EN 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, MEMS 구조의 공명 및 박막 재료의 굽힘 편향 테스트 방법.
- BS PD CEN/TS 16599:2014 광촉매 반도체 재료의 광촉매 특성을 테스트하기 위한 조사 조건 및 이러한 조건의 측정
- BS ISO 10677:2011 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단기술세라믹) 반도체 광촉매 재료 시험용 자외선 광원
- BS ISO 27447:2019 파인세라믹(Advanced Ceramics, Advanced Technology Ceramics) 반도체 광촉매재료의 항균활성 시험방법
- BS IEC 62899-202:2016 인쇄 전자 기술 재료 전도성 잉크
- BS EN 62047-11:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 미세 전자 기계 장치에 대한 지지대가 없는 재료의 선형 열팽창 계수에 대한 테스트 방법
- BS ISO 13125:2013 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 반도체 광촉매 소재의 항진균 효과 시험 방법
- BS ISO 19635:2016 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 조류 억제 활성 시험방법
- BS ISO 27447:2009 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 반도체 광촉매 소재의 항균 활성 시험 방법
- BS EN 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 필름의 인장 특성을 측정하기 위한 스트립 굽힘 테스트 방법.
- BS IEC 62899-202-5:2018 인쇄 전자 재료 전도성 잉크 절연 기판에 인쇄된 전도성 층의 기계적 굽힘 테스트
- BS 7808:1995 전기 절연 재료 교류 전압에 대한 저항 평가 소개
Indonesia Standards, 반도체재료 반도체재료
Group Standards of the People's Republic of China, 반도체재료 반도체재료
International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체재료 반도체재료
- IEC 62899-203:2018 인쇄전자부품 203: 재료반도체잉크
- IEC 62951-5:2019 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 5부: 유연한 재료의 열적 특성 테스트 방법
- IEC 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- IEC 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- IEC 60749-39:2021 RLV 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- IEC 60749-39:2021 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- IEC 62047-6:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
- IEC 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
- IEC 62047-10:2011/COR1:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 10: MEMS 재료의 미세극 압축 시험 정오표 1
- IEC 60749-39:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 장치에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- IEC 62047-14:2012 반도체 장치, 미세 전자기계 장치, 파트 14: 금속 필름 재료의 형성 한계 측정 방법
- IEC 61479:2001 활선 작업용 절연재의 연도체 슬리브(라인 튜브)
- IEC 62047-31:2019 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 31부: 적층형 MEMS 재료의 계면 결합 에너지에 대한 4점 굽힘 시험 방법
- IEC 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 12부: MEMS 구조 공진을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법
- IEC 61479:2001+AMD1:2002 CSV 활선 작업 절연 재료로 만들어진 유연한 도체 커버(라인 호스)
- IEC 62899-202:2016 인쇄 전자 - 부품 202: 재료 - 전도성 잉크
- IEC 62047-11:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 파트 11: 미세 전자기계 장치를 지원하지 않는 재료의 선형 열팽창 계수에 대한 테스트 방법.
German Institute for Standardization, 반도체재료 반도체재료
- DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
- DIN 50448:1998 반도체 공정 재료 테스트 용량성 검출기를 사용하여 반절연 반도체 슬라이스의 비저항 측정
- DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
- DIN 50441-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 반도체 칩의 기하학적 치수 측정 2부: 각도 단면 테스트
- DIN SPEC 1994:2017-02 반도체 기술용 재료 테스트 약산의 음이온 측정
- DIN 50449-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 적외선 흡수를 통한 반도체의 불순물 함량 측정 2부: 갈륨비소 내 붕소
- DIN EN 62047-2:2007-02 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- DIN EN 62047-10:2012-03 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
- DIN 50454-2:1994 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 반도체 단결정의 전위 부식 피트 밀도 측정 2부: 인듐 인화물
- DIN 50454-3:1994 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 반도체 단결정의 전위 부식 피트 밀도 측정 3부: 인화갈륨
- DIN EN 62047-18:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- DIN EN 62047-2:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- DIN EN 62047-6:2010-07 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
- DIN 50443-1:1988 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 1부: X선 프로파일로법을 통한 반도체 단결정 실리콘의 결정 결함 및 불균일 검출
- DIN 50449-1:1997 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 적외선 흡수를 통한 III-V 연결 반도체 불순물 함량 측정 1부: 갈륨비소 내 탄소
- DIN EN 60749-39:2007 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- DIN EN 60749-39:2007-01 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
- DIN EN 62047-14:2012-10 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
- DIN 50446:1995 반도체 공정 재료 검사 실리콘 결정 에피층의 결함 유형 및 결함 밀도 결정
- DIN 50435:1988 반도체 재료 테스트: 4-프로브/DC 방법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 및 게르마늄 웨이퍼의 저항률의 방사형 변화 측정
- DIN EN 62047-21:2015-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014)
- DIN 50454-1:2000 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 단결정의 전위 측정 1부: 갈륨 비소
- DIN 50433-3:1982 반도체 공정 재료 조사 3부: Laue 후방 산란법을 통한 단결정 방향 결정
- DIN 50441-4:1999 반도체 공정에 사용되는 재료 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 4부: 웨이퍼 직경, 직경 변화, 웨이퍼 직경, 웨이퍼 길이 및 웨이퍼 두께
- DIN EN IEC 60749-39:2021-07 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정(IEC 47/2652/CDV:2020)
- DIN 50441-3:1985 반도체 공정 재료 검사 3부: 반도체 슬라이스의 기하학적 치수 측정 3부: 다중선 간섭계를 사용한 연마된 슬라이스의 평면 편차 결정
- DIN 50438-1:1995 반도체 공정 재료 검사 적외선 흡수법에 의한 실리콘의 불순물 함량 측정 1부: 산소
- DIN 50456-3:1999 반도체 공정 기술에 사용되는 재료 테스트 전자 부품용 성형 복합 재료의 특성 표현 3부: 양이온성 불순물 측정
- DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 광촉매 시험 반도체 소재의 광촉매 성능을 위한 조사조건 및 측정조건
- DIN 50431:1988 반도체 재료의 테스트 프로브를 직선으로 배열한 4-프로브/DC 방식을 사용하여 단결정 실리콘 또는 게르마늄 단결정의 저항률을 측정합니다.
- DIN EN 62047-12:2012-06 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법
- DIN 50452-1:1995-11 반도체 기술용 재료 테스트 - 액체 내 입자 분석을 위한 테스트 방법 - 1부: 입자의 현미경 측정
- DIN EN 62047-11:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 11: 미세 전자기계 시스템용 자립 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
- DIN 50440:1998 반도체 공정 재료 테스트 실리콘 단결정의 캐리어 수명 측정 광전도법에 의한 마이크로젯의 복합 캐리어 수명 측정
- DIN 50455-1:2009-10 반도체 기술 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 광학적 방법을 통한 코팅 두께 결정
- DIN 50455-2:1999-11 반도체 기술 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 2부: 포지티브 포토레지스트의 감광성 결정
- DIN 50455-1:2009 반도체 기술에 사용되는 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 코팅 두께의 광학적 결정
- DIN 50453-1:2023-08 반도체 기술용 재료 테스트 - 에칭 혼합물의 에칭 속도 결정 - 1부: 실리콘 단결정, 중량법
- DIN 19698-1:2014-05 고체 특성화 고체 및 반고체 재료 샘플링 1부: 알려지지 않은 복합 재료 재고의 분할 샘플링에 대한 지침
- DIN 50452-1:1995 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 액체 입자 분석 테스트 방법 1부: 입자의 현미경 측정
- DIN 50452-3:1995 반도체 공정 재료 검사 액체 입자 분석 테스트 방법 3부: 광학 입자 계수기 교정
- DIN EN IEC 60749-39:2021 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 47/2652/CDV:2020), 영어 버전 prEN IEC 60749-39:2020
- DIN EN IEC 60749-39:2023-10 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 60749-39:2021), 독일 버전 EN IEC 60749-39:2022 / 참고: DIN ...
- DIN 50452-3:1995-10 반도체 기술 자료 테스트 - 액체 입자 분석 테스트 방법 - 3부: 광학 입자 계수기 교정
- DIN 50434:1986 반도체 공정 재료 검사 (111) 및 (100) 표면 식각 기법을 이용한 단결정 실리콘의 결정 구조 결함 확인
- DIN EN 62047-21:2015 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014), 독일 버전 EN 62047-21:2014
- DIN EN 62047-10:2012 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: MEMES 재료의 미소극 압축 테스트(IEC 62047-10-2011) 독일어 버전 EN 62047-10-2011
- DIN 51908:2022-10 탄소질 재료의 시험 비교 방법에 의한 고체 재료의 상온 열전도도 측정
- DIN EN 62047-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 18: 박막 재료의 굽힘 테스트 방법(IEC 62047-18-2013), 독일어 버전 EN 62047-18-2013
KR-KS, 반도체재료 반도체재료
RU-GOST R, 반도체재료 반도체재료
Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체재료 반도체재료
American National Standards Institute （ANSI), 반도체재료 반도체재료
American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체재료 반도체재료
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체재료 반도체재료
Professional Standard - Machinery, 반도체재료 반도체재료
Association Francaise de Normalisation, 반도체재료 반도체재료
- NF ISO 10677:2011 반도체 광촉매 재료 테스트용 기술 세라믹 UV 광원
- NF EN 62047-2:2006 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 10: MEMES 재료의 미소극 압축 테스트
- NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- NF EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
- XP CEN/TS 16599:2014 광촉매는 반도체 재료의 광촉매 성능을 테스트하기 위해 조사 조건을 결정합니다.
- NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
- NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 6부: 박막 재료의 축방향 피로 시험 방법
- NF EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
- NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 39부: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
- NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
- NF EN 62047-14:2012 반도체 소자 미세 전자기계 소자 14부: 금속층 재료의 형성 한계 측정 방법
- NF ISO 14605:2013 실내 조명 환경에서 반도체 광촉매 재료를 테스트하기 위한 기술 세라믹 광원
- NF EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자 - 기계적 및 기후적 시험 방법 - 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
- NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
- NF EN 62047-10:2012 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 10부: Micropillar 기술을 사용한 MEMS 재료의 압축 테스트
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 파인 세라믹(어드밴스드 세라믹, 어드밴스드 산업용 세라믹)을 이용한 반도체 광촉매 소재 테스트에 사용되는 자외선 광원
- NF EN 62047-11:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 11부: 미세 전자기계 시스템의 독립형 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
- XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 광촉매 반도체 소재의 광촉매 성능을 테스트하는 데 사용되는 조사 조건 및 이러한 조건의 측정
- NF ISO 22197-4:2021 기술적인 세라믹 공기 정화를 위한 반도체 광촉매 재료의 성능 테스트 방법 4부: 포름알데히드 제거
- NF T51-223:1985 플라스틱 제품 반결정질 재료 열 분석을 통한 기존 융점 측정
- NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공진을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법.
- UTE C30-301:2001 케이블, 나전선 및 연결 재료의 도로 운송에 대한 기술 규칙
- NF ISO 22197-5:2021 기술적인 세라믹 공기 정화를 위한 반도체 광촉매 재료의 성능 테스트 방법 5부: 메틸 메르캅탄 제거
- NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 반도체 장치, 미세 전자기계 장치, 파트 11: 미세 전자기계 장치를 지원하지 않는 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
Danish Standards Foundation, 반도체재료 반도체재료
ES-UNE, 반도체재료 반도체재료
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체재료 반도체재료
机械电子工业部, 반도체재료 반도체재료
ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., 반도체재료 반도체재료
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체재료 반도체재료
Underwriters Laboratories (UL), 반도체재료 반도체재료
VE-FONDONORMA, 반도체재료 반도체재료
Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 반도체재료 반도체재료
CH-SNV, 반도체재료 반도체재료
Lithuanian Standards Office , 반도체재료 반도체재료
Standard Association of Australia （SAA）, 반도체재료 반도체재료
CZ-CSN, 반도체재료 반도체재료
European Committee for Standardization (CEN), 반도체재료 반도체재료
Building Officials and Code Administrators International(U.S.), 반도체재료 반도체재료
Defense Logistics Agency, 반도체재료 반도체재료
- DLA MIL-DTL-83528/13 F-2013 개스킷 재료, 전도성, 차폐 개스킷, 전자, 엘라스토머, 전기, EMI/RFI, 도파관
- DLA MIL-PRF-19500/672-2001 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, NPN, 실리콘, 스위치, 2N2222AUE1 유형 JAN, JANTX, JANJ
- DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, NPN, 실리콘, 스위치, 유형 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
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