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cristal individual

cristal individual, Total: 332 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en cristal individual son: Materiales semiconductores, Metales no ferrosos, Hornos industriales, Papel y cartón, Fluidos aislantes, Vocabularios, Productos de metales no ferrosos., Componentes y accesorios para equipos de telecomunicaciones., Dispositivos piezoeléctricos y dieléctricos., Pilas y baterías galvánicas., Herramientas de corte, Herramientas de máquina, Metalurgia de polvos, Seguridad Ocupacional. Higiene industrial, Productos de hierro y acero., Instalaciones en edificios, pruebas de metales, ingeniería de energía solar, Comunicaciones de fibra óptica., Dispositivos semiconductores, Productos de la industria química., Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Óptica y medidas ópticas., ingeniería de energía nuclear, Materiales para el refuerzo de composites., Circuitos integrados. Microelectrónica, Cerámica, Optoelectrónica. Equipo láser, GENERALIDADES. TERMINOLOGÍA. ESTANDARIZACIÓN. DOCUMENTACIÓN, Equipo óptico, Materiales conductores, Joyería, Terminología (principios y coordinación), Calidad del aire, Elementos de edificios., Componentes para equipos eléctricos., Mediciones de radiación, Física. Química, Vaso, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Lámparas y equipos relacionados., Componentes electrónicos en general..


国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, cristal individual

  • GB/T 5238-2019 Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
  • GB/T 20230-2022 Monocristal de fosfuro de indio
  • GB/T 20229-2022 Monocristal de fosfuro de galio
  • GB/T 20228-2021 Monocristal de arseniuro de galio
  • GB/T 12964-2018 Obleas pulidas de silicio monocristalino
  • GB/T 26069-2022 Obleas de silicio monocristalino recocido
  • GB/T 25076-2018 Silicio monocristalino para células solares.
  • GB/T 12965-2018 Silicio monocristalino en forma de obleas cortadas y obleas lapeadas
  • GB/T 26071-2018 Obleas de silicio monocristalino para células solares
  • GB/T 39137-2020 Determinación de la orientación de un monocristal de metal refractario.
  • GB/T 37418-2019 Oxiortosilicato de lutecio, monocristales de centelleo de oxiortosilicato de lutecio-itrio
  • GB/T 11094-2020 Monocristal de arseniuro de galio y oblea de corte cultivada mediante el método Bridgman horizontal
  • GB/T 5252-2020 Método de prueba para la densidad de dislocación del germanio monocristalino.
  • GB/T 8760-2020 Método de prueba para la densidad de dislocación del arseniuro de galio monocristalino
  • GB/T 41325-2022 Obleas de silicio monocristalino pulidas con origen cristalino de baja densidad para circuitos integrados
  • GB/T 39123-2020 Especificación para material monocristalino de telururo de cadmio-zinc para detectores de rayos X y rayos γ
  • GB/T 1551-2021 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua
  • GB/T 41153-2021 Determinación del contenido de impurezas de boro, aluminio y nitrógeno en un monocristal de carburo de silicio: espectrometría de masas de iones secundarios

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, cristal individual

  • GB/T 5238-2009 Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
  • GB/T 5238-2009(英文版) Germanio monocristalino y rodajas de germanio monocristalino.
  • GB/T 12962-1996 silicio monocristalino
  • GB/T 12962-2005 Silicio monocristalino
  • GB/T 5238-1995
  • GB/T 12962-2015 monocristal de silicio
  • GB/T 15713-1995 Rodajas de germanio monocristalino.
  • GB/T 29504-2013 Silicio monocristalino de 300 mm.
  • GB/T 20229-2006 Cristal de señal de fosfuro de galio
  • GB/T 20230-2006 Cristal de señal de fosfuro de indio
  • GB/T 20228-2006 Monocristal de arseniuro de galio
  • GB/T 14843-1993 Monocristales de niobato de litio
  • GB/T 31092-2014 Lingote de zafiro monocristalino
  • GB/T 31092-2022 Barra de zafiro monocristalino
  • GB/T 12964-2003 Obleas pulidas de silicio monocristalino
  • GB/T 29506-2013 Obleas de silicio monocristalino pulido de 300 mm
  • GB/T 30656-2014 Obleas de carburo de silicio monocristalino pulido
  • GB/T 25076-2010 Silicio monocristalino de célula solar.
  • GB/T 30656-2023 Oblea pulida de un solo cristal de carburo de silicio
  • GB/T 26072-2010 Célula solar monocristal de germanio
  • GB/T 1555-1997 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
  • GB/T 11072-1989 Policristal de antimonuro de indio, monocristales y rodajas cortadas
  • GB/T 11072-2009 Policristal de antimonuro de indio, cristales individuales y rodajas cortadas
  • GB/T 1555-2023 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor
  • GB/T 1555-2009 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
  • GB/T 12965-1996 Silicio monocristalino en forma de rodajas cortadas y rodajas traslapadas
  • GB/T 12965-2005 Rebanadas cortadas de silicio monocristalino y rebanadas traslapadas
  • GB/T 12632-1990 Especificaciones generales de células solares individuales de silicio.
  • GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal.
  • GB/T 26065-2010 Especificación para obleas de silicio de prueba pulidas
  • GB/T 30858-2014 Producto de sustrato de zafiro monocristalino pulido
  • GB/T 13843-1992 Sustratos de zafiro monocristalino pulido
  • GB/T 25075-2010 Monocristal de arseniuro de galio para células solares
  • GB/T 29420-2012 Dispositivos de cristal láser de vanadato dopado con Nd
  • GB/T 29508-2013 Silicio monocristalino de 300 mm en rodajas cortadas y trituradas
  • GB/T 34213-2023 Alúmina de alta pureza para monocristal de zafiro
  • GB/T 11094-2007 Oblea de corte y cristal único de arseniuro de galio cultivado en Bridgman horizontal
  • GB/T 26071-2010 Silicio monocristalino en rodajas para células solares fotovoltaicas
  • GB/T 29421-2012 Dispositivos de cristal birrebringente de vanadato
  • GB/T 11094-1989 Monocristales de arseniuro de galio cultivados en barcos y rodajas cortadas
  • GB/T 9532-2012 Designaciones para cristales piezoeléctricos
  • GB/T 30866-2014 Método de prueba para medir el diámetro de obleas de carburo de silicio monocristalino.
  • GB/T 18032-2000 El método de inspección del defecto microscópico AB en monocristal de arseniuro de galio
  • GB/T 32278-2015 Método de prueba para determinar la planitud de una oblea única de carburo de silicio
  • GB/T 5252-1985 Monocristal de germanio: inspección de la densidad de las picaduras de grabado por dislocación
  • GB/T 11093-1989 Monocristales de arseniuro de galio cultivados en czochralski encapsulados en líquido y rodajas cortadas en forma de As
  • GB/T 5252-2006 Monocristal de germanio. Inspección de la densidad de las fosas de grabado por dislocación
  • GB/T 8760-2006 Determinación de la densidad de dislocaciones en monocristal de arseniuro de galio
  • GB/T 11093-2007 Monocristales de arseniuro de galio cultivados en czochralski encapsulados en líquido y rodajas cortadas
  • GB/T 26044-2010 Alambre de cobre redondo monocristalino y material de trefilado para transmisión de señal
  • GB 8760-1988 Monocristal de arseniuro de galio-Determinación de la densidad de dislocaciones
  • GB/T 41765-2022 Método de prueba para la densidad de dislocaciones de carburo de silicio monocristalino.
  • GB/T 8760-1988 Monocristal de arseniuro de galio: determinación de la densidad de dislocaciones
  • GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas
  • GB/T 1551-1995
  • GB/T 26074-2010 Monocristal de germanio.Medición de resistividad-Sonda lineal de cuatro puntos DC
  • GB/T 41751-2022 Método de prueba para determinar el radio de curvatura del plano cristalino en obleas de sustrato monocristalino de GaN
  • GB/T 42676-2023 Método de difracción de rayos X para probar la calidad del monocristal semiconductor
  • GB/T 15250-1994 Método de prueba para la atenuación masiva de ondas acústicas de cristales piezoeléctricos de niobato de litio.
  • GB/T 30118-2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición
  • GB/T 10067.410-2014 Especificaciones básicas para instalaciones de electrocalentamiento.Parte 410: Horno de cultivo monocristalino.
  • GB/T 30839.46-2015 Clasificación del consumo energético de instalaciones industriales de electrocalentamiento. Parte 46: Hornos de cultivo de cristales.
  • GB/T 42263-2022 Determinación del contenido de nitrógeno en monocristal de silicio: método de espectrometría de masas de iones secundarios
  • GB/T 30867-2014 Método de prueba para medir el espesor y la variación total del espesor de obleas de carburo de silicio monocristalino.
  • GB/T 31351-2014 Método de prueba no destructivo para determinar la densidad de microtubos de obleas de carburo de silicio monocristalino pulidas
  • GB/T 11297.7-1989 Método de prueba de resistividad y coeficiente Hall en monocristales de InSb
  • GB/T 22452-2008 Estado técnico general de los dispositivos ópticos de cristal de borato no lineales.
  • GB/T 22453-2008 Método de medición de dispositivos de cristal de borato óptico no lineal
  • GB/T 24574-2009 Métodos de prueba para el análisis de fotoluminiscencia de silicio monocristalino para impurezas Ⅲ-Ⅴ
  • GB 11297.7-1989 Método de prueba para la resistividad y el coeficiente Hall del monocristal de InSb
  • GB/T 30868-2014 Método de prueba para medir la densidad de microtubos de obleas de carburo de silicio monocristalino. Grabado químico
  • GB/T 42271-2022 Método de prueba de resistividad de carburo de silicio monocristalino semiaislante mediante medición sin contacto
  • GB/T 11297.6-1989 Método estándar para mostrar y medir los hoyos de grabado de dislocación en un monocristal de antimonuro de indio
  • GB/T 13389-1992 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro y fósforo
  • GB/T 32282-2015 Medición de la densidad de dislocación en monocristal de nitruro de galio mediante microscopía de catodoluminiscencia
  • GB/T 19199-2015 Métodos de prueba para la concentración de aceptores de carbono en monocristales semiaislantes de arseniuro de galio mediante espectroscopia de absorción infrarroja
  • GB/T 19199-2003 Método de prueba para la concentración de carbono de arseniuro de galio monocristalino semiaislante mediante medición del método de absorción infrarroja
  • GB/T 32188-2015 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de GaN
  • GB/T 13389-2014 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico
  • GB/T 4326-1984 Monocristales semiconductores extrínsecos: medición de la movilidad de Hall y del coeficiente de Hall
  • GB/T 4326-2006 Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall
  • GB 4326-1984 Monocristales semiconductores extrínsecos: medición de la movilidad de Hall y el coeficiente de Hall
  • GB/T 32189-2015 Examen de microscopía de fuerza atómica de la rugosidad de la superficie del sustrato monocristalino de nitruro de galio
  • GB/T 17170-2015
  • GB/T 35306-2023 Determinación del contenido de carbono y oxígeno en espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier de baja temperatura de monocristal de silicio
  • GB/T 13066-1991 Especificación detallada en blanco para transistores unijunction
  • GB/T 9532-1988 Designaciones para cristales piezoeléctricos LiNbO3, LiTaO3, Bi12GeO20, Bi12SiO20

Professional Standard - Machinery, cristal individual

UNKNOWN, cristal individual

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB13/T 1314-2010 Varilla cuadrada de silicio monocristalino de grado solar, oblea de silicio monocristalino
  • DB13/T 1828-2013 Oblea de silicio monocristalino de grado solar
  • DB13/T 5092-2019 Requisitos técnicos generales para cristales semilla cuadrados para lingotes de silicio monocristalino de grado solar
  • DB13/T 5631-2022 Especificaciones técnicas para la producción de crisoles de cuarzo para el crecimiento de silicio monocristalino para materiales electrónicos.

Group Standards of the People's Republic of China, cristal individual

  • T/ZSA 72-2019 Carburo de silicio monocristalino
  • T/IAWBS 001-2021 Monocristal de carburo de silicio
  • T/ZZB 1389-2019 Células fotovoltaicas de silicio monocristalino
  • T/ZZB 2675-2022 Silicio monocristalino como obleas lapeadas para TVS
  • T/ZZB 0044-2016 Hornos de cultivo de cristales serie TDR
  • T/ZZB 1927-2020 Máquina automática de corte de monosilicio
  • T/JSAS 015-2021 Células solares de silicio monocristalino
  • T/GZHG 006-2019 Óxido de manganeso, litio, cobalto, níquel monocristalino grande (NCM523)
  • T/ZZB 0497-2018 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie
  • T/CISA 167-2021 Aleación maestra de superaleación monocristalina DD419
  • T/HEBQIA 073-2022 Imanes superconductores de silicio monocristalino de Czochralski
  • T/CISA 086-2021 Aleación maestra de superaleación de cristal único DD405
  • T/SZBX 118-2023 Obleas de silicio monocristalino para células solares
  • T/CASME 465-2023 Texturizador sin IPA para monosilicio
  • T/IAWBS 005-2018 Obleas de carburo de silicio monocristalino pulido de 6 pulgadas
  • T/CEC 290-2019 Requisitos técnicos para la oblea de cristal único de contacto posterior
  • T/CEMIA 004-2018 Crisoles de cuarzo para el crecimiento de silicio monocristalino en la industria fotovoltaica
  • T/CEMIA 023-2021 Crisol de cuarzo para crecimiento de monosilicio semiconductor.
  • T/CECA 69-2022 Sustratos de película delgada monocristalinos para dispositivos SAW
  • T/ZZB 0648-2018 Obleas pulidas de silicio Czochralski monocristalino fuertemente dopadas con fósforo de 200 mm
  • T/NXCL 017-2022 Obleas pulidas de silicio Czochralski monocristalino fuertemente dopadas con fósforo de 300 mm
  • T/NXCL 016-2022 Oblea pulida de silicio Czochralski monocristalino fuertemente dopada con antimonio de 200 mm
  • T/CSTM 00033-2020 Términos de monocristales ópticos inorgánicos para la detección de radiación nuclear.
  • T/CEMIA 005-2018 Prácticas de fabricación de crisoles de cuarzo para el crecimiento de silicio monocristalino fotovoltaico
  • T/ZZB 2283-2021 Polvo de grafito de pureza ultraalta para cristal semiconductor de carburo de silicio
  • T/ICMTIA SM0027-2022 Oblea pulida de cristal único de silicio tipo P de 300 mm para tecnología de memoria avanzada
  • T/IAWBS 014-2021 Método de prueba para determinar la densidad de dislocaciones de obleas pulidas de carburo de silicio
  • T/CEMIA 024-2021 Prácticas de fabricación de crisoles de cuarzo para el crecimiento del monosilicio semiconductor
  • T/IAWBS 018-2022 Método de prueba para determinar la densidad de dislocación de obleas pulidas de monocristal de diamante
  • T/STSI 7-2020 Módulos fotovoltaicos utilizados en la construcción: requisitos técnicos generales para componentes monocristalinos en forma de U
  • T/IAWBS 013-2019 El método de medición de la resistividad para un sustrato de carburo de silicio semiaislante.
  • T/ZZB 2407-2021 Hidróxido compuesto de níquel, cobalto y manganeso aplicado en material de cátodo monocristalino
  • T/IAWBS 017-2022 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de curva de oscilación de rayos X de cristal doble de sustrato de cristal único de diamante
  • T/IAWBS 015-2021 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de Ga2O3
  • T/IAWBS 016-2022 Método de prueba FWHM de curva oscilante de doble cristal de rayos X para oblea única de carburo de silicio
  • T/CAB 0181-2022 Los métodos de medición de los parámetros característicos de los centelleadores LYSO y LSO.
  • T/CNIA 0101-2021 Especificación técnica para la evaluación de productos de diseño ecológico Oblea pulida de carburo de silicio monocristalino
  • T/IAWBS 011-2019 Métodos de prueba para medir la resistividad de obleas conductoras de carburo de silicio con un medidor de corrientes parásitas sin contacto
  • T/ZJSEIA 004-2022 Película adhesiva de copolímero de etileno-acetato de vinilo (EVA) para módulos fotovoltaicos de silicio monocristalino
  • T/CECA 83-2023 Obleas monocristalinas reducidas de tantalato de litio y niobato de litio: requisitos técnicos y métodos de medición de la luminosidad y la diferencia de color

Professional Standard - Light Industry, cristal individual

Professional Standard - Non-ferrous Metal, cristal individual

  • YS/T 554-2007 Monocristales de niobato de litio
  • YS/T 42-2010 Monocristales de tantalato de litio
  • YS/T 554-2006 Monocristal de niobato de litio
  • YS/T 1167-2016 Obleas grabadas de silicio monocristalino
  • YS 783-2012 La norma de consumo de energía por unidad de producto de monocristal de germanio infrarrojo.
  • YS/T 978-2014 Escudo guía de compuestos de carbono/carbono de horno monocristalino
  • YS/T 977-2014 Cilindro de aislamiento térmico de compuestos de carbono/carbono de horno monocristalino
  • YS/T 792-2012 Crisol de compuestos carbono-carbono utilizado en horno monocristalino
  • YS/T 557-2006 Método de prueba para la atenuación de ondas acústicas del monocristal piezoeléctrico de niobato de litio
  • YS/T 1600-2023 Determinación de elementos traza de impurezas en monocristales de carburo de silicio: espectrometría de masas de descarga luminosa

轻工业部, cristal individual

Professional Standard - Electron, cristal individual

  • SJ/Z 2655-1986 Colección de defectos de germaninm monocristalinos.
  • SJ 20607-1996 Especificación para cristal de molibdeno
  • SJ 20444-1994 Especificación para monocristal de niobato de litio
  • SJ 3241-1989 Oblea y barra monocristalina de arseniuro de galio
  • SJ 3243-1989 Barras y obleas monocristalinas de fosfuro de indio
  • SJ/T 10173-1991 Célula solar de silicio monocristalino TDA75
  • SJ 20606-1996 Especificación para monocristal de dióxido de telurio
  • SJ/T 11450-2013 Especificaciones de consumo de energía del horno monocristalino
  • SJ/T 11854-2022 Horno de silicio monocristalino Czochralski para energía fotovoltaica
  • SJ/T 11502-2015 Especificación para obleas de carburo de silicio monocristalino pulido
  • SJ/T 11505-2015 Especificación de obleas pulidas de cristal único de zafiro
  • SJ/T 11853-2022 Horno de silicio monocristalino de fusión de zona suspendida de presión positiva
  • SJ/T 11500-2015 Método de prueba para medir la orientación cristalográfica de carburo de silicio monocristalino.
  • SJ/T 11501-2015 Método de prueba para determinar el tipo de cristal de carburo de silicio monocristalino.
  • SJ 2572-1985 Varillas y láminas de silicio monocristalino para células solares.
  • SJ/T 11864-2022 Sustrato monocristalino de carburo de silicio semiaislante
  • SJ 3245-1989 Métodos para medir la dislocación del monocristal de fosfuro de indio.
  • SJ 20641-1997 Especificación para monocristales de antimonuro de indio para uso en detectores de infrarrojos
  • SJ 3244.3-1989 Métodos de medición para la orientación cristalina de monocristales de arseniuro de galio y fosfuro de indio
  • SJ/T 11499-2015 Método de prueba para medir las propiedades eléctricas del carburo de silicio monocristalino.
  • SJ 20640-1997 Especificación para rodajas monocristalinas de antimonuro de indio para uso en detectores de infrarrojos
  • SJ 20750-1999 Especificación para obleas de silicio monocristalino endurecidas por radiación para circuitos integrados militares CMOS
  • SJ 20858-2002 Métodos de medición de parámetros eléctricos del material monocristalino de carburo de silicio.
  • SJ 20605-1996 Especificación para el monocristal de tantalato de litio utilizado en dispositivos SAW
  • SJ/T 2428-1983 Calibración de células solares de silicio monocristalino estándar astronáuticas
  • SJ 2915-1988 Términos y definiciones para dispositivos de ferrita de microondas de cristal único
  • SJ/T 31108-1994 Requisitos de preparación y métodos de inspección y evaluación para hornos monocristalinos CG3000.
  • SJ/T 31109-1994 Requisitos de preparación y métodos de inspección y evaluación para hornos monocristalinos de alta presión.
  • SJ/T 11504-2015 Método de prueba para medir la calidad de la superficie de carburo de silicio monocristalino pulido
  • SJ 20844-2002 Método de prueba para la homogeneidad de microzonas de arseniuro de galio monocristalino semiaislante
  • SJ 20843-2002 Determinación cuantitativa de la densidad de defectos microscópicos AB en monocristal de arseniuro de galio
  • SJ/T 2429-1983 Método de prueba para las características eléctricas de células solares de silicio monocristalino astronáuticas.
  • SJ/T 11503-2015 Métodos de prueba para medir la rugosidad de la superficie de obleas de carburo de silicio monocristalino pulidas
  • SJ/T 11494-2015
  • SJ/T 11207-1999 Medición de propiedades magnéticas de películas magnéticas monocristalinas YIG.
  • SJ/T 10625-1995 Método de determinación del contenido de oxígeno atómico intersticial del germanio mediante absorción infrarroja
  • SJ/T 10333-1993 Métodos de medición para transistores uni-unión.
  • SJ 3249.2-1989 Métodos de medición de la concentración de carbono del monocristal semiaislante de arseniuro de Gallicem mediante absorción infrarroja
  • SJ 3249.1-1989 Métodos de medición de la resistividad del material monocristalino de arseniuro de galio y fosfuro de indio semiaislante

RU-GOST R, cristal individual

  • GOST 16153-1980 Germanio monocristalino. Especificaciones
  • GOST 24392-1980 Silicio monocristalino y germanio. Medición de la resistividad eléctrica por el método de las cuatro sondas.
  • GOST R 57548-2017 Fusión por inducción al vacío para la obtención de productos con estructura monocristalina. Requerimientos técnicos

IN-BIS, cristal individual

  • IS 9709-1980
  • IS 4540-1968 ESPECIFICACIÓN PARA CONJUNTOS Y EQUIPOS DE RECTIFICADOR DE SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO
  • IS 3895-1966 ESPECIFICACIÓN PARA PILAS Y CÉLULAS RECTIFICADORES DE SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, cristal individual

  • GJB 3076A-2021 Especificación de chip único de fosfuro de galio
  • GJB 3076-1997 Especificación de chip único de fosfuro de galio
  • GJB 2917A-2018 Especificación de oblea única de fosfuro de indio
  • GJB 2917A-2004 Especificación de oblea única de fosfuro de indio
  • GJB 2917-1997 Especificación de oblea única de fosfuro de indio
  • GJB 1926-1994 Especificación del material monocristalino de arseniuro de galio
  • GJB 10342-2021 Especificación para obleas monocristalinas de antimonuro de indio pulido
  • GJB 10343-2021 Especificación para obleas monocristalinas de antimonuro de galio pulido
  • GJB 1927A-2021 Método de prueba de material monocristalino de arseniuro de galio
  • GJB 1927-1994 Método de prueba de material monocristalino de arseniuro de galio
  • GJB 9804-2020 Especificación para varillas monocristalinas de aleación de molibdeno-niobio para uso nuclear
  • GJB 1431-1992 Especificaciones generales para células solares de silicio monocristalino para uso espacial.
  • GJB 395-1987 Fluoruro de magnesio monocristalino para placa de modulación de misiles aire-aire
  • GJB 1431A-2014 Especificación general para células solares de silicio monocristalino para aplicaciones espaciales.
  • GJB 1944A-2017 Especificación de monocristales de silicio para células solares espaciales
  • GJB 2452-1995 Especificación para obleas monocristalinas de telururo de cadmio para detectores de infrarrojos
  • GJB 2918-1997 Especificación para monolitos de silicio fundido de zona de alta resistencia de grado detector
  • GJB 581-1988 Fluoruro de calcio monocristalino para misiles "tierra-aire" con guía infrarroja
  • GJB 2652-1996 Especificación para materiales monocristalinos de telururo de zinc y cadmio para detectores de infrarrojos
  • GJB 2652A-2004 Especificación para materiales monocristalinos de telururo de zinc y cadmio para detectores de infrarrojos
  • GJB 757-1989 Chip único grande de mica sintética para dispositivos de microondas con radar.
  • GJB 8512-2015 Especificación para obleas monocristalinas de germanio pulido para células solares espaciales
  • GJB 2918A-2017 Especificación para obleas pulidas de monocristal de silicio fundido en zona de alta resistencia de grado detector
  • GJB 1431/1-2000 Especificaciones de las células solares de silicio monocristalino de las series TDJ y TDB para uso espacial
  • GJB 1431/1A-2021 Especificaciones de las células solares de silicio monocristalino de las series TDJ y TDB para uso espacial
  • GJB 396-1987 Método de prueba para fluoruro de magnesio monocristalino para uso en discos moduladores de misiles aire-aire
  • GJB 2834-1997 Especificación para monocristales de arseniuro de galio y obleas pulidas para células solares espaciales

工业和信息化部, cristal individual

  • JC/T 2417-2017 Material monocristalino piezoeléctrico de tetraborato de litio
  • YS/T 1182-2016 Especificaciones de producción de seguridad de monocristal de germanio.
  • YB/T 4589-2017 Materiales compuestos de carbono/carbono para aislamiento de hornos monocristalinos
  • YB/T 4587-2017 Elemento calefactor compuesto de carbono/carbono para horno monocristalino
  • YB/T 4588-2017 Estructura de placa de carbono/materiales compuestos de carbono para hornos monocristalinos.
  • JC/T 2545-2019 Monocristal piroeléctrico para detectores infrarrojos de alto rendimiento
  • JB/T 13942-2020 Síntesis de un gran diamante monocristalino para uso industrial mediante el método de presión estática superabrasiva
  • JC/T 2513-2019 Método de prueba para determinar el rendimiento antimanchas grises de componentes monocristalinos de titanilfosfato de potasio
  • JC/T 2512-2019 Requisitos técnicos para componentes monocristalinos de fosfato de titanilo de potasio con alto contenido antiincrustante para láseres de estado sólido

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, cristal individual

  • GB/T 34210-2017 Método de prueba para determinar la orientación del monocristal de zafiro.
  • GB/T 33763-2017 Método de prueba para la densidad de dislocaciones de un monocristal de zafiro.
  • GB/T 35305-2017 Obleas pulidas de arseniuro de galio monocristalino para células solares
  • GB/T 34481-2017 Método de prueba para medir la densidad de los hoyos de grabado (EPD) en rodajas de germanio monocristalino de baja densidad de dislocación
  • GB/T 35306-2017 Método de prueba para el contenido de carbono y oxígeno del silicio monocristalino: espectrometría infrarroja por transformada de Fourier de baja temperatura

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, cristal individual

  • JJG 48-2004 Rebanada estándar de resistividad de silicio monocristalino
  • JJG 48-1990 Regulación de verificación de la rebanada estándar de resistividad de silicio monocristalino

Professional Standard - Building Materials, cristal individual

  • JC/T 1048-2007 Crisoles de cuarzo fundido para el crecimiento de silicio monocristalino
  • JC/T 1048-2018 Crisol de cuarzo para crecimiento de silicio monocristalino.
  • JC/T 2025-2010 Monocristales piezoeléctricos de titanato de niobato de magnesio y plomo (PMNT)
  • JC/T 2343-2015 Tubo de alúmina monocristalino preparado mediante crecimiento de cristal alimentado con película de borde definido
  • JC/T 2139-2012 Monocristal de paratelurito de alta pureza para física nuclear

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, cristal individual

  • YB 1603-1983 Discos de corte y desbaste monocristalinos de silicio

机械电子工业部, cristal individual

  • JB 5203-1991 Método de análisis químico de corindón monocristalino.

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB36/ 771-2013 Cuota de consumo de energía por unidad de producto de silicio monocristalino de Czochralski

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB15/T 2234-2021 Cuota de consumo de energía por unidad de producto de silicio monocristalino de Czochralski

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, cristal individual

  • JJF 1256-2010 Especificación de calibración para equipos de orientación de monocristales de rayos X
  • JJF 1760-2019 Especificación de calibración para cortes estándar de resistividad de silicio monocristalino

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB61/T 512-2011 Normas de inspección para obleas de silicio monocristalino para células solares
  • DB61/T 511-2011 Normas de inspección para varillas de silicio monocristalino para células solares.

Shanghai Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB31/ 792-2014 Norma de consumo de energía por unidad de producto para silicio monocristalino y obleas de silicio.
  • DB31/T 792-2014 Cuota de consumo de energía por unidad de producto de monocristal de silicio y su oblea de silicio
  • DB31/ 792-2020 Cuota de consumo de energía por unidad de producto de monocristal de silicio y su oblea de silicio

German Institute for Standardization, cristal individual

  • DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
  • DIN EN 62276:2017-08 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2016); Versión alemana EN 62276:2016 / Nota: DIN EN 62276 (2013-08) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 28-11-2019.
  • DIN EN IEC 62276:2023-05 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 49/1401/CD:2022); Texto en alemán e inglés / Nota: Fecha de emisión 2023-04-28*Destinado a sustituir a DIN EN 62276 (2017-08).

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), cristal individual

  • KS D 2715-2006 Muestra de tracción de materiales de película nano/microcristalina monocristalina y policristalina
  • KS D 2715-2017 Muestra de tracción de materiales de película nano/microcristalina monocristalina y policristalina
  • KS D 0260-1999 MÉTODOS DE PRUEBA DE RESISTIVIDAD PARA OBLEAS DE SILICIO DE CRISTAL ÚNICO CON SONDA DE CUATRO PUNTOS
  • KS C IEC 62276:2007 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW) -Especificaciones y métodos de medición
  • KS D 0260-1989(1994) MÉTODOS DE PRUEBA DE RESISTIVIDAD PARA OBLEAS DE SILICIO DE CRISTAL ÚNICO CON SONDA DE CUATRO PUNTOS
  • KS D 0257-2002(2017) Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
  • KS D 0257-2002(2022) Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
  • KS C IEC 62276:2019 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición
  • KS D 0257-2002 Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), cristal individual

  • JIS H 0612:1975 Métodos de prueba de resistividad para obleas de silicio monocristalino con sonda de cuatro puntos
  • JIS C 6760:2014 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
  • JIS H 0604:1995 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en monocristales de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB51/T 2499-2018 Juicio de denominación y calificación del tratamiento de relleno de gemas monocristalinas

American National Standards Institute (ANSI), cristal individual

  • ANSI/ASTM D6058:2001 Práctica para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral
  • ANSI/ASTM D6057:2001 Método de prueba para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral mediante microscopía de contraste de fases

Association Francaise de Normalisation, cristal individual

  • NF C93-616:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición
  • NF C93-616:2006 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición.
  • NF C93-616*NF EN 62276:2018 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal individual

  • DB35/T 1118-2011 Componentes monocristalinos ópticos no lineales del fosfato de titanilo del potasio Anti-incineración

International Electrotechnical Commission (IEC), cristal individual

  • IEC 62276:2005 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
  • IEC 62276:2012 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
  • IEC PAS 62276:2001 Obleas monocristalinas aplicadas a dispositivos de ondas acústicas de superficie: especificación y método de medición
  • IEC 62276:2016 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición

Professional Standard - Aviation, cristal individual

  • HB 6742-1993 Determinación de la orientación del cristal de láminas de cristal único mediante fotografía Laue con retrosoplado de rayos X
  • HB 7762-2005 Especificación para aleaciones maestras de superaleaciones monocristalinas y solidificadas direccionalmente para motores de aviación

British Standards Institution (BSI), cristal individual

  • BS EN 62276:2013 Obleas de cristal único para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
  • BS EN 62276:2005 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición
  • BS EN 62276:2006 Obleas monocristalinas aplicadas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificación y métodos de medición
  • BS EN 62276:2016 Obleas de cristal único para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW). Especificaciones y métodos de medición.
  • 23/30468947 DC BS EN 62276. Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición.

PL-PKN, cristal individual

  • PN M59102-1973 Productos de marcado Peajes abrasivos aglomerados y monocristalinos Clasificación y designación

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., cristal individual

  • IEEE 1859-2017 Cristales individuales basados en relajantes para aplicaciones de transductores y actuadores

IEC - International Electrotechnical Commission, cristal individual

  • PAS 62276-2001 Obleas monocristalinas aplicadas a dispositivos de ondas acústicas de superficie: especificación y método de medición (Edición 1.0)

CZ-CSN, cristal individual

  • CSN 34 5941-1984 Arseniuro de galio y fosfuro de galio monocristalinos. Determinación de resistividad y coeficiente de Hall.

Professional Standard - Geology, cristal individual

  • DZ/T 0294-2016 Detección e identificación de diamantes monocristalinos incoloros sintetizados por deposición química de vapor

Danish Standards Foundation, cristal individual

  • DS/EN 62276:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, cristal individual

  • EN 62276:2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), cristal individual

  • EN 62276:2016 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): especificaciones y métodos de medición

ES-UNE, cristal individual

  • UNE-EN 62276:2016 Obleas monocristalinas para aplicaciones en dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW) - Especificaciones y métodos de medida (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2017.)

American Society for Testing and Materials (ASTM), cristal individual

  • ASTM F847-94(1999) Métodos de prueba estándar para medir la orientación cristalográfica de planos en obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X
  • ASTM D6058-96(2011) Práctica estándar para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral
  • ASTM D6058-96(2016)
  • ASTM D6058-96(2006) Práctica estándar para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral
  • ASTM D6058-96(2001) Práctica estándar para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral
  • ASTM D6058-96 Práctica estándar para determinar la concentración de bigotes cerámicos monocristalinos en el aire en el entorno laboral

廊坊市市场监督管理局, cristal individual

  • DB1310/T 227-2020 Especificación técnica del proceso de crisol de cuarzo para el crecimiento de silicio monocristalino, un material electrónico especial

Lithuanian Standards Office , cristal individual

  • LST EN 62276-2006 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW). Especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2005)
  • LST EN 62276-2013 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición (IEC 62276:2012)

KR-KS, cristal individual

  • KS C IEC 62276-2019 Obleas monocristalinas para aplicaciones de dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW): especificaciones y métodos de medición

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), cristal individual

  • IEEE Std 1859-2017 Estándar IEEE para cristales individuales basados en relajantes para aplicaciones de transductores y actuadores
  • IEEE P1859/D7, September 2016 Borrador de estándar aprobado por IEEE para cristales individuales basados en relajantes para aplicaciones de transductores y actuadores
  • IEEE P1859/D8, February 2017 Borrador de estándar aprobado por IEEE para cristales individuales basados en relajantes para aplicaciones de transductores y actuadores

GOSTR, cristal individual

  • PNST 406-2020 Estándares ?Verdes?. Módulos fotovoltaicos monocristalinos. Criterios e indicadores para confirmar el cumplimiento de productos ?verdes?




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