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半导体测试原理

本专题涉及半导体测试原理的标准有500条。

国际标准分类中,半导体测试原理涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、光电子学、激光设备、软件开发和系统文件、无机化学、金属材料试验、辐射测量、长度和角度测量、电学、磁学、电和磁的测量、半导体材料、光纤通信、整流器、转换器、稳压电源、建筑材料、词汇、电子元器件综合、电气设备元件、核能工程、输电网和配电网、电工和电子试验、工业自动化系统、电子设备用机械构件、绝缘材料、电线和电缆、真空技术、信息技术用语言、橡胶和塑料制品、消防、信息技术应用、电子电信设备用机电元件。

在中国标准分类中,半导体测试原理涉及到半导体集成电路、技术管理、微电路综合、半导体整流器件、激光器件、、光电子器件综合、半导体光敏器件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、半导体发光器件、金属物理性能试验方法、核仪器与核探测器综合、通用电子测量仪器设备及系统、半金属与半导体材料综合、光通信设备、电力半导体器件、部件、元素半导体材料、电子测量与仪器综合、加工专用设备、程序语言、计量综合、敏感元器件及传感器、其他、电子元器件、半导体分立器件综合、辐射防护仪器、电子设备专用微特电机、电子技术专用材料、航天器综合、电缆及其附件、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、数据媒体。


SE-SIS,关于半导体测试原理的标准

行业标准-电子,关于半导体测试原理的标准

  • SJ/T 10735-1996 半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10736-1996 半导体集成电路 HTL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10737-1996 半导体集成电路 ECL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10741-1996 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10804-2000 半导体集成电路.电平转换器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10805-2000 半导体集成电路.电压比较器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10882-1996 半导体集成电路线性放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10880-1996 半导体集成音响电路立体声解码器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10800-1996 半导体集成接口电路读出放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10802-1996 半导体集成接口电路外围驱动器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10805-1996 半导体集成接口电路电压比较器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10804-1996 半导体集成接口电路电平转换器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10806-1996 半导体集成接口电路显示驱动器测试方法的基本原理
  • SJ/T 11005-1996 半导体电视集成电路伴音通道电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 11006-1996 半导体电视集成电路行场扫描电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10401-1993 半导体集成音响电路马达稳速电路.测试方法的基本原理
  • SJ/T 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10402-1993 半导体集成音响电路自动选曲电路.测试方法的基本原理
  • SJ/T 10400-1993 半导体集成音响电路图示均衡电路.测试方法的基本原理
  • SJ/T 11004-1996 半导体电视集成电路图象通道电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10879-1996 半导体集成音响电路音频前置放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10427.1-1993 半导体集成电路音响电路调频变频器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10427.2-1993 半导体集成电路音响电路中频放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10881-1996 半导体集成音响电路电平指示驱动器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10801-1996 半导体集成接口电路磁芯存储器驱动器测试方法的基本原理
  • SJ/T 11007-1996 半导体电视集成电路视频信号和色信号处理电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
  • SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
  • SJ 2214.1-1982 半导体光敏管测试方法总则
  • SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
  • SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
  • SJ 2355.1-1983 半导体发光器件测试方法.总则
  • SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则
  • SJ 20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法
  • SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
  • SJ/T 10818-1996 半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理
  • SJ 2355.5-1983 半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法
  • SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法
  • SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法
  • SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法
  • SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
  • SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
  • SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法
  • SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
  • SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  • SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
  • SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
  • SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
  • SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
  • SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
  • SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
  • SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法
  • SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法
  • SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
  • SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法
  • SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
  • SJ 20233-1993 IMPACT-Ⅱ型半导体分立器件测试系统检定规程
  • SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
  • SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
  • SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分:测试方法
  • SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法
  • SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
  • SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
  • SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法
  • SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
  • SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法
  • SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法
  • SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
  • SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
  • SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法
  • SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法
  • SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法
  • SJ 2658.8-1986 半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
  • SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
  • SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
  • SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法
  • SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法
  • SJ/T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法
  • SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法

国家质检总局,关于半导体测试原理的标准

  • GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
  • GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
  • GB 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
  • GB 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
  • GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
  • GB/T 4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
  • GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
  • GB 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
  • GB 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
  • GB 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 15136-1994 半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理
  • GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
  • GB 3442-1986 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
  • GB/T 12843-1991 半导体集成电路 微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
  • GB 12843-1991 半导体集成电路微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
  • GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法
  • GB/T 14114-1993 半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理
  • GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
  • GB/T 5201-1994 带电粒子半导体探测器测试方法
  • GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法
  • GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  • GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法
  • GB/T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法
  • GB/T 43061-2023 半导体集成电路 PWM控制器测试方法
  • GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
  • GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
  • GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
  • GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  • GB/T 43040-2023 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法
  • GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法
  • GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
  • GB/T 42848-2023 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法
  • GB 35007-2018 半导体集成电路低电压差分信号电路测试方法

韩国科技标准局,关于半导体测试原理的标准

AT-ON,关于半导体测试原理的标准

HU-MSZT,关于半导体测试原理的标准

(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于半导体测试原理的标准

CZ-CSN,关于半导体测试原理的标准

RO-ASRO,关于半导体测试原理的标准

美国国防后勤局,关于半导体测试原理的标准

IN-BIS,关于半导体测试原理的标准

RU-GOST R,关于半导体测试原理的标准

中国团体标准,关于半导体测试原理的标准

YU-JUS,关于半导体测试原理的标准

美国电气电子工程师学会,关于半导体测试原理的标准

IEC - International Electrotechnical Commission,关于半导体测试原理的标准

  • IEC 60617-5:1996 原理图图形符号 第5部分:半导体和电子管(2.0 版)
  • IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 第7部分:表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法(1.0版)

英国标准学会,关于半导体测试原理的标准

  • BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件 物联网系统用半导体器件 声音变化检测的测试方法
  • BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法
  • BS IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
  • BS IEC 62951-6:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性导电薄膜方块电阻的测试方法
  • BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
  • BS IEC 62951-1:2017 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 半导体器件 半导体器件的晶圆级可靠性 铜应力迁移测试方法
  • 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半导体器件 机械和气候测试方法 第 34-1 部分 功率半导体模块的功率循环测试
  • BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 半导体传感器 基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
  • BS IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 一晶体管一电阻(1T1R)电阻式存储单元的性能测试方法
  • BS IEC 62880-1:2017 半导体器件 应力迁移测试标准-铜应力迁移测试标准
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
  • BS EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
  • BS EN 60749-34:2010 半导体器件.机械和环境测试方法.动力循环
  • BS EN 60749-6:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 高温储存
  • BS EN IEC 60749-17:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 中子辐照
  • BS IEC 60747-18-1:2019 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器校准的测试方法和数据分析
  • BS EN 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.拉伸测试的薄膜标准试样
  • PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求 具体要求和建议 测试和质量
  • IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
  • BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
  • BS IEC 62951-8:2023 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性电阻存储器的拉伸性、柔性和稳定性的测试方法
  • BS IEC 62830-5:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 测量柔性热电装置发电功率的试验方法
  • BS IEC 62830-4:2019 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
  • BS EN IEC 60749-26:2018 半导体器件 机械和气候测试方法 静电放电(ESD)灵敏度测试 人体模型(HBM)
  • BS EN 60749-9:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 标记的持久性
  • BS EN 60749-3:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 外部目视检查
  • BS IEC 62526:2007(2010) 半导体设计环境标准测试接口语言 (STIL) 扩展标准
  • BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
  • BS EN 60749-29:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.闩锁效应测试
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
  • BS EN 60749-4:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)
  • BS EN 60749-5:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 稳态温度湿度偏置寿命测试
  • 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半导体器件的机械标准化 第6-16部分 BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
  • BS EN IEC 60749-18:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 电离辐射(总剂量)
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第5部分 测量柔性热电装置发电量的测试方法
  • BS EN IEC 60749-30:2020 半导体器件 机械和气候测试方法 在可靠性测试之前对非密封表面贴装器件进行预处理
  • BS EN 60749-26:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
  • BS EN 60749-26:2014 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
  • BS IEC 62526:2007 半导体设计环境用标准测试接口语言(STIL)的扩展标准
  • BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法

丹麦标准化协会,关于半导体测试原理的标准

  • DS/EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • DS/EN 62416:2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试
  • DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
  • DS/EN 60749-38:2008 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分:带存储器的半导体器件的软错误测试方法
  • DS/EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分:闩锁测试
  • DS/EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分:BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
  • DS/EN 60749-2:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第2部分:低气压
  • DS/EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分:可焊性
  • DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • DS/EN 60749-30/A1:2011 半导体设备 机械和气候测试方法 第30部分:可靠性测试前非密封表面安装设备的预处理
  • DS/EN 60749-30:2005 半导体设备 机械和气候测试方法 第30部分:可靠性测试前非密封表面安装设备的预处理
  • DS/EN 60749-34:2011 半导体设备 机械和气候测试方法 第34部分:功率循环
  • DS/EN 60749-25:2004 半导体器件 机械和气候测试方法 第25部分:温度循环

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,关于半导体测试原理的标准

法国标准化协会,关于半导体测试原理的标准

  • NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
  • NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
  • NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分:声学变化检测测试方法
  • NF EN 62416:2010 半导体器件 – MOS 晶体管的热载流子测试
  • NF EN 60749-38:2008 半导体器件机械和气候测试方法第38部分:带存储器的半导体器件的软错误测试方法
  • NF EN 60749-44:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分:半导体器件中子束单粒子效应(SEE)测试方法
  • NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
  • NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 半导体器件 机械和气候测试方法 第44部分:半导体器件的中子束辐照单事件效应(SEE)测试方法
  • NF EN 60749-29:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 29 部分:闩锁测试
  • NF C53-225:1985 直流高压电力传输用半导体电子管的测试
  • NF EN 60749-8:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 8 部分:密封
  • NF EN 60749-1:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 1 部分:概述
  • NF EN 60749-21:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 21 部分:可焊性
  • NF EN 60749-2:2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 2 部分:低气压
  • NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
  • NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分:半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
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  • NF EN IEC 60749-13:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 13 部分:盐水气氛
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ES-UNE,关于半导体测试原理的标准

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  • UNE-EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管的热载流子测试
  • UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
  • UNE-EN 60749-38:2008 半导体器件 机械和气候测试方法 第38部分:带存储器的半导体器件的软错误测试方法
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  • UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分:半导体器件中子束辐照单粒子效应(SEE)测试方法
  • UNE-EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分:闩锁测试
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分:用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
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  • UNE-EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分:可焊性
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  • DIN EN 60749-39:2007-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分:用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
  • DIN EN 60749-8:2003-12 半导体器件 机械和气候测试方法 第8部分:密封
  • DIN EN 60749-21:2012-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分:可焊性
  • DIN EN IEC 60749-13:2018-10 半导体器件机械和气候测试方法第13部分:盐气氛
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  • DANSK DS/EN 62416:2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试
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  • CEI EN 60749-44:2017 半导体器件机械和气候测试方法 第44部分:半导体器件中子束辐照单粒子效应(SEE)测试方法
  • DANSK DS/EN 60749-44:2016 半导体器件 机械和气候测试方法 第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应 (SEE) 测试方法
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  • DANSK DS/EN IEC 60749-30:2020 半导体器件 机械和气候测试方法 第30部分:可靠性测试前非密封表面贴装器件的预处理
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  • IEC 60340:1970 电离辐射半导体探测器放大器和前置放大器的测试程序
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  • QJ/Z 32-1977 半导体集成比较放大器测试方法
  • QJ 260-1977 半导体集成相敏整流电路测试方法
  • QJ 1460-1988 半导体集成电路宽带放大器测试方法
  • QJ 2491-1993 半导体集成电路运算放大器测试方法
  • QJ 1526-1988 半导体集成电路运算放大器特殊参数测试方法
  • QJ 2660-1994 半导体集成电路 开关电源脉宽调制器测试方法
  • QJ 3293-2008 固体导弹总装测试安全管理要求
  • QJ 3044-1998 半导体集成电路数/模转换器和模/数转换器测试方法

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  • LST EN 62416-2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试(IEC 62416:2010)
  • LST EN 60749-38-2008 半导体器件 机械和气候测试方法 第38部分:带存储器的半导体器件的软错误测试方法(IEC 60749-38:2008)
  • LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试(IEC 62418:2010)
  • LST EN 60749-29-2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分:闩锁测试(IEC 60749-29:2011)
  • LST EN 60191-6-16-2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分:BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表(IEC 60191-6-16:2007)

行业标准-邮电通信,关于半导体测试原理的标准

ECIA - Electronic Components Industry Association,关于半导体测试原理的标准

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美国国家标准学会,关于半导体测试原理的标准

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美国电子元器件、组件及材料协会,关于半导体测试原理的标准

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于半导体测试原理的标准

贵州省地方标准,关于半导体测试原理的标准

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于半导体测试原理的标准

国家计量检定规程,关于半导体测试原理的标准

行业标准-机械,关于半导体测试原理的标准

国家军用标准-总装备部,关于半导体测试原理的标准

未注明发布机构,关于半导体测试原理的标准

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  • ASTM E1161-95 半导体和电子元件的放射性的测试方法
  • ASTM D4325-20 非金属半导体和电绝缘橡胶胶带的标准测试方法
  • ASTM F637-85(1994)e1 周长为19和35mm的可测试带材载体粘合半导体器件的物理性能格式和试验方法的标准规范

台湾地方标准,关于半导体测试原理的标准

  • CNS 6802-1980 半导体逻辑闸微电路噪声界限之测试程序
  • CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
  • CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
  • CNS 5751-1980 电子组件与半导体应用之陶质视在密度测试法

CU-NC,关于半导体测试原理的标准

  • NC 34-54-1987 农业机械原理.拖车和半拖车.测试认知方法学

国家计量技术规范,关于半导体测试原理的标准

  • JJF 1895-2021 半导体器件直流和低频参数测试设备校准规范

ZA-SANS,关于半导体测试原理的标准

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AENOR,关于半导体测试原理的标准

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  • UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 半导体设备 机械和气候测试方法 第30部分:可靠性测试前非密封表面安装设备的预处理
  • UNE-EN 60749-30:2005 半导体器件 机械和气候测试方法 第30部分:可靠性测试前非密封表面安装器件的预处理
  • UNE-EN 60749-12:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第12部分:振动,变频
  • UNE-EN 60749-10:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第10部分:机械冲击

KR-KS,关于半导体测试原理的标准

河北省标准,关于半导体测试原理的标准

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