ZH
EN
ES

Принципы тестирования полупроводников

Принципы тестирования полупроводников, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Принципы тестирования полупроводников, являются: Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Разработка программного обеспечения и системная документация, Неорганические химикаты, Измерения радиации, Испытание металлов, Линейные и угловые измерения, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Полупроводниковые материалы, Оптоволоконная связь, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Словари, Электронные компоненты в целом, Атомная энергетика, Компоненты для электрооборудования, Сети передачи и распределения электроэнергии, Электрические и электронные испытания, Системы промышленной автоматизации, Механические конструкции электронного оборудования, Изоляционные материалы, Электрические провода и кабели, Вакуумная техника, Языки, используемые в информационных технологиях, Пластмассы, Защита от огня, Резиновые и пластмассовые изделия, Применение информационных технологий, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Космические системы и операции, Электротехника в целом, Оптика и оптические измерения, Акустика и акустические измерения, Керамика, Аналитическая химия, Сельское и лесное хозяйство, Анализ размера частиц. просеивание.

SE-SIS, Принципы тестирования полупроводников

SIS SEN 01 26 51-1969 Символы электрических схем Полупроводники
SIS SS IEC 617-5:1987 Графические символы для диаграмм - Полупроводники и электронные лампы
SIS SS-IEC 749:1991 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
SIS SS IEC 333:1986 Ядерное приборостроение. Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
SIS SS IEC 700:1984 Силовая электроника. Полупроводниковые лампы для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения. Испытания.

Professional Standard - Electron, Принципы тестирования полупроводников

SJ/T 10735-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения ТТЛ-схем.
SJ/T 10736-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения HTL-схем.
SJ/T 10737-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения ЭСЛ-схем.
SJ/T 10741-2000 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения КМОП схем.
SJ/T 10741-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения КМОП-схем.
SJ/T 10804-2000 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения преобразователя уровня.
SJ/T 10805-2000 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения компараторов напряжения.
SJ/T 10882-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения линейных усилителей.
SJ/T 10803-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения линейных цепей.
SJ/T 10880-1996 Полупроводниковые интегральные аудиосхемы. Общие принципы методов измерения стереодекодеров.
SJ/T 10739-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения МОП-памяти с произвольным доступом.
SJ/T 10738-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения операционных усилителей (напряжения)
SJ/T 10800-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения усилителей считывания.
SJ/T 10802-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов периферийных устройств.
SJ/T 10805-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения компараторов напряжения.
SJ/T 10804-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения для преобразователей уровней.
SJ/T 10806-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов дисплеев.
SJ/T 11005-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем аудиоканалов.
SJ/T 11006-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения для схем строчной и вертикальной развертки.
SJ/T 10401-1993 Общие принципы методов измерения стабилизаторов скорости двигателей полупроводниковых интегральных аудиосхем
SJ/T 10740-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения биполярных запоминающих устройств с произвольным доступом.
SJ/T 10402-1993 Общие принципы методов измерения автоматических музыкальных селекторов полупроводниковых интегральных аудиосхем
SJ/T 10400-1993 Общие принципы методов измерения графических эквалайзеров полупроводниковых интегральных аудиосхем
SJ/T 11004-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем канала изображения.
SJ/T 10879-1996 Полупроводниковые интегральные звуковые схемы. Общие принципы методов измерения звуковых предусилителей.
SJ/T 10427.1-1993 Grneral Принципы методов измерения FM-преобразователя для полупроводниковых интегральных аудиосхем
SJ/T 10427.2-1993 Общие принципы методов измерения усилителей промежуточной частоты для полупроводниковых интегральных аудиосхем
SJ/T 10881-1996 Полупроводниковые интегральные аудиосхемы. Общие принципы методов измерения стереодекодеров.
SJ/T 10801-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов магнитной памяти.
SJ/T 11007-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем обработки видеосигналов и сигналов цветности.
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
SJ 20788-2000 Метод измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов
SJ 2355.1-1983 Общие методики измерений светоизлучающих устройств
SJ 2215.1-1982 Общие процедуры измерения полупроводниковых фотопар
SJ 20787-2000 Метод измерения термического сопротивления полупроводниковых мостовых выпрямителей
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 10818-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей нелинейных цепей.
SJ 2355.5-1983 Метод измерения силы света и угла половинной силы света светоизлучающих устройств
SJ 2065-1982 Метод испытаний диффузионной печи для производства полупроводниковых приборов
SJ 2355.6-1983 Метод измерения светового потока светоизлучающих устройств
SJ 2355.4-1983 Методы измерения емкости перехода светоизлучающих устройств
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2355.3-1983 Метод измерения обратного тока светоизлучающих устройств
SJ 2355.2-1983 Метод измерения прямого падения напряжения светоизлучающих устройств
SJ/T 10482-1994 Метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников методами переходной емкости
SJ 20026-1992 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.8-1982 Метод измерения напряжения темнового тока полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ 2355.7-1983 Метод измерения пиковой длины волны излучения и спектральной полосы пропускания излучения светоизлучающих устройств
SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.7-1982 Метод измерения напряжения насыщения полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ 20233-1993 Регламент поверки системы испытания дискретных полупроводниковых приборов модели IMPACT-II
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.8-1982 Метод измерения выходного напряжения насыщения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 11818.1-2022 Полупроводниковые УФ-диоды. Часть 1. Методы испытаний.
SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
SJ 2658.10-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения модулированных широкополосных диодов
SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
SJ 2215.14-1982 Метод измерения напряжения изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.10-1982 Метод измерения коэффициента передачи постоянного тока полупроводниковых фотопар
SJ 2215.12-1982 Метод измерения входной-выходной емкости полупроводниковых фотопар
SJ 2215.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.13-1982 Метод измерения сопротивления изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости
SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик
SJ 2215.5-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.9-1982 Метод измерения обратного тока отсечки полупроводниковых фотопар-транзисторов
SJ/T 11820-2022 Технические требования и методы измерения параметров постоянного тока аппаратуры полупроводниковых дискретных приборов
SJ 2214.9-1982 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2658.13-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения температурного коэффициента выходной оптической мощности
SJ 2215.7-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя коллектор-эмиттер полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.11-1982 Метод измерения задержки нарастания и спада импульса и времени хранения полупроводниковых фотопар

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

GB/T 14028-1992 Общие принципы методов измерения аналоговых ключей для полупроводниковых интегральных схем
GB/T 14030-1992 Общие принципы методов измерения таймерных схем полупроводниковых интегральных схем
GB 14030-1992 Основные принципы методов временного тестирования полупроводниковых интегральных схем
GB 14028-2018 Основные принципы методов испытаний аналоговых переключателей полупроводниковых интегральных схем
GB/T 6798-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения компараторов напряжения
GB/T 4377-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения регуляторов напряжения
GB/T 14031-1992 Общие принципы методов измерения аналоговой фазовой петли для полупроводниковых интегральных схем
GB/T 14032-1992 Общие принципы методов измерения цифровой фазовой автоподстройки частоты для полупроводниковых интегральных схем
GB/T 14029-1992 Общие принципы методов измерения аналоговых умножителей для полупроводниковых интегральных схем
GB 14029-1992 Основные принципы методов тестирования аналоговых умножителей полупроводниковых интегральных схем
GB 14031-1992 Основные принципы методов тестирования аналоговых фазовой автоподстройки частоты полупроводниковых интегральных схем
GB 14032-1992 Основные принципы методов цифровой фазовой автоподстройки частоты полупроводниковых интегральных схем
GB/T 15136-1994 Общие принципы методов измерения кварцевых часов и часовых схем полупроводниковых интегральных схем
GB/T 14115-1993 Общие принципы методов измерения усилителей выборки/хранения для полупроводниковых интегральных схем
GB 3442-1986 Основные принципы методов испытаний операционных усилителей (напряжения) полупроводниковых интегральных схем
GB/T 6800-1986 Общие принципы методов измерения усилителей мощности звука для полупроводниковых интегральных аудиосхем
GB/T 12843-1991 Общие принципы методов измерения параметров микропроцессоров и цепей периферийного интерфейса полупроводниковых интегральных схем
GB 12843-1991 Основные принципы методов контроля электрических параметров полупроводниковых интегральных схем микропроцессоров и схем периферийных интерфейсов
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB/T 14114-1993 Общие принципы методов измерения преобразователей V/F и F/V для полупроводниковых интегральных схем
GB/T 5201-1994 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
GB/T 1550-1997 Стандартные методы измерения типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 13974-1992 Методы испытаний индикаторов кривых полупроводниковых приборов
GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
GB/T 42975-2023 Методы тестирования драйверов полупроводниковых интегральных схем
GB/T 42838-2023 Метод испытания схемы Холла полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 43061-2023 Метод тестирования ШИМ-контроллера полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 42676-2023 Рентгенодифракционный метод проверки качества монокристалла полупроводника
GB/T 36477-2018 Полупроводниковая интегральная схема. Методы измерения флэш-памяти.
GB/T 4377-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения регуляторов напряжения.
GB/T 15653-1995 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
GB/T 43040-2023 Метод испытания преобразователя переменного/постоянного тока полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 42970-2023 Методы тестирования схем видеокодирования и декодирования полупроводниковых интегральных схем
GB/T 14862-1993 Методы испытаний термостойкости переход-корпус корпусов полупроводниковых интегральных схем
GB/T 8446.2-1987 Метод измерения термического сопротивления и разницы давлений входной и выходной жидкости радиатора силового полупроводникового прибора
GB/T 42848-2023 Метод испытаний прямого цифрового синтезатора частоты полупроводниковой интегральной схемы
GB 35007-2018 Метод тестирования дифференциальной сигнальной цепи низкого напряжения на полупроводниковой интегральной схеме
GB/T 43226-2023 Метод однособытийного тестирования мягких ошибок во временной области для полупроводниковых интегральных схем, используемых в аэрокосмических приложениях.
GB/T 8446.2-2004 Радиатор для силового полупроводникового устройства. Часть 2: Метод измерения термического сопротивления и разницы давлений жидкости на входе и выходе жидкости.

AT-ON, Принципы тестирования полупроводников

ONORM E 1005-1987 Графические символы для диаграмм; символы полупроводников и электронных ламп

HU-MSZT, Принципы тестирования полупроводников

MSZ 700/36.lap-1961 Испытание полупроводников в угольной шахте
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics тестирует кокс
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics: испытание кокса
MNOSZ 700-8.lap-1955 STMicroelectronics тестирует углерод и желтуху
MSZ 700/27.lap-1962 Определение тестовой вспышки STMicroelectronics
MSZ 700/26.lap-1961 Тестирование STMicroelectronics. Определение зольности экспресс-методом
MSZ 700/41.lap-1961 Тестирование STMicroelectronics. Быстрое определение общего содержания серы
MNOSZ 700-3.lap-1955 Подготовка проб в испытательной лаборатории для анализа моделей полупроводников

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Принципы тестирования полупроводников

JEDEC JEP140-2002 Измерение температуры полупроводниковых корпусов бисерной термопарой
JEDEC JESD22-B108A-2003 Испытание на копланарность полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
JEDEC JESD22-B108B-2010 Испытание на копланарность полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
JEDEC JESD57-1996 Методики испытаний для измерения одиночных эффектов в полупроводниковых устройствах от облучения тяжелыми ионами
JEDEC JESD390A-1981 Стандартная процедура испытаний для измерения запаса по помехам для полупроводниковых микросхем с логическим управлением
JEDEC JESD51-14-2010 Метод испытаний на переходный процесс с двойным интерфейсом для измерения термического сопротивления перехода к корпусу полупроводниковых приборов с тепловым потоком по одному пути

CZ-CSN, Принципы тестирования полупроводников

CSN 35 1540-1979 Испытания силовых полупроводниковых преобразователей
CSN IEC 617-5:1993 Графические символы для диаграмм. Часть 5: Полупроводники и электронные лампы
CSN IEC 749:1994 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
CSN 35 6575 Z1-1997 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
CSN 35 1601-1980 Силовые полупроводниковые приборы. Общие технические требования. Методы тестирования
CSN IEC 596:1994 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета
CSN 35 6553 Z1-1997 Усилители и предусилители для полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения. Методы испытаний

RO-ASRO, Принципы тестирования полупроводников

STAS 11066/2-1980 ТИРИСТОРЫ Методы испытаний
STAS 6693/2-1975 Полупроводниковые приборы ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических свойств

IN-BIS, Принципы тестирования полупроводников

IS 7412-1974 Ресурсные испытания полупроводниковых приборов
IS 9816-1981 Общие требования и классификации испытаний полупроводниковых приборов
IS 12641-1989 Процедуры экологических испытаний полупроводниковых приборов и интегральных схем
IS 12737-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров

Defense Logistics Agency, Принципы тестирования полупроводников

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL-STD-750 F-2012 СТАНДАРТ МЕТОДА ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL STD 750 3-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ЧАСТЬ 3: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 3000 ПО 3999
DLA MIL STD 750 1-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 1: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 1000 ПО 1999 Г.
DLA MIL STD 750 2-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ МЕХАНИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 2: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 2001 ПО 2999 ГГ.
DLA MIL STD 750 4 E-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЯ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ДИОДОВ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 4: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 4000 ПО 4999.
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 1: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 1000 ПО 1999 Г.
DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ МЕХАНИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 2: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 2001 ПО 2999 ГГ.
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. ЧАСТЬ 1: МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ С 1000 ПО 1999 Г.
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ТЕСТОВОЙ ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Group Standards of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

T/SHDSGY 113-2022 Программное обеспечение для радиочастотного тестирования полупроводников
T/ZACA 041-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов смешанного сигнала
T/CASAS 011.1-2021 Квалификация испытаний силовых устройств в автомобильной промышленности
T/CASAS 011.2-2021 Квалификация испытаний силовых модулей в автомобильной промышленности
T/GVS 005-2022 Спецификация испытаний контрастного метода емкостно-диафрагменного вакуумметра абсолютного давления в полупроводниковой аппаратуре

YU-JUS, Принципы тестирования полупроводников

JUS N.R1.500-1980 Полупроводниковые устройства. Принятие. Электрические испытания
JUS N.C0.036-1980 Испытание гибких шнуров и кабелей. Измерения сопротивления изоляции, сопротивления полупроводниковых слоев и поверхностного сопротивления.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Принципы тестирования полупроводников

IEEE 660-1986 Язык шаблонов тестирования полупроводниковой памяти
IEEE No 256-1963 Процедура испытаний IEEE для полупроводниковых диодов
IEEE Std 660-1986 Стандарт IEEE для языка шаблонов тестирования полупроводниковой памяти
IEEE Std 300-1988 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/IEEE Std 300-1982 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/IEEE Std 759-1984 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
IEEE Std C62.35-1987 Стандартные спецификации испытаний IEEE для полупроводниковых устройств защиты от перенапряжения с лавинным переходом
IEEE No 300-1969*USAS N42.1-1969 Стандарт США и процедура испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов радиации (для ионизирующего излучения)
IEEE 300-1969 Стандарт США и процедура испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов радиации (для ионизирующего излучения)
IEEE Unapproved Draft Std PC62.35/D11, Aug 2007 Проект стандартных спецификаций IEEE для испытаний полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
IEEE Std C62.35-2010 Стандартные методы испытаний IEEE для компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
IEEE Std C62.35- 2010 Стандартные методы испытаний IEEE для компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
IEEE 1450.1-2005 Стандарт IEEE для расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) (IEEE Std 1450–999) для сред проектирования полупроводников Документ IEEE Computer Society; Исправление: 20.12.2005.
IEEE Unapproved Draft Std P62.32_D12, Nov 2009 Проект стандартных методов испытаний IEEE для компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом

RU-GOST R, Принципы тестирования полупроводников

GOST 29106-1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 1. Общие сведения
GOST 24461-1980 Силовые полупроводниковые приборы. Методы испытаний и измерений

British Standards Institution (BSI), Принципы тестирования полупроводников

BS EN IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Метод испытания обнаружения изменения звука
BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
BS IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Метод испытаний для определения барьерных характеристик тонкопленочной герметизации гибких органических полупроводников.
BS IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
BS IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые приборы. Метод испытаний на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках
14/30297227 DC БС ЕН 62880-1. Полупроводниковые приборы. Надежность на уровне пластин для полупроводниковых приборов. Метод испытания миграции меди под напряжением
22/30443678 DC БС ЕН 60749-34-1. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34-1. Тест циклического включения и выключения силового полупроводникового модуля
BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
18/30381548 DC БС ЕН 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
17/30366375 DC БС МЭК 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
BS IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегральных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
BS IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
BS IEC 62880-1:2017 Полупроводниковые приборы. Стандарт испытаний на стресс-миграцию - Стандарт испытаний на стресс-миграцию меди
21/30432536 DC БС ЕН МЭК 63364-1. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука
BS EN 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Включение питания на велосипеде
BS EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
PD ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации. Тест и качество
BS IEC 60747-18-1:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Метод испытаний и анализ данных для калибровки безлинзовых фотонных матриц КМОП
BS EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
IEC TR 63357:2022 Полупроводниковые приборы. Дорожная карта стандартизации метода проверки неисправностей автомобильных транспортных средств
BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
BS IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания растяжимости, гибкости и стабильности гибкой резистивной памяти.
BS IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Метод испытаний для измерения мощности, генерируемой гибкими термоэлектрическими устройствами
BS IEC 62830-4:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии.
BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
BS EN 60749-9:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость маркировки.
BS EN 60749-3:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Внешний визуальный осмотр
BS IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод проверки надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
BS EN 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тест на защелкивание
20/30406230 DC БС МЭК 63275-1. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
BS EN 60749-4:2017 Полупроводниковые приборы. Методы механических и климатических испытаний. Влажное тепло, стационарное испытание под нагрузкой, высокоускоренное испытание (HAST).
13/30284029 DC БС ЕН 60191-6-16. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-16. Глоссарий тестов полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
19/30390371 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
18/30362458 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
18/30355426 DC БС ЕН 62830-5. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами
BS EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность.
BS EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
BS EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
BS IEC 62526:2007 Стандарт для расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников.
BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
BS EN IEC 60749-17:2019 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Нейтронное облучение
BS IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.
20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей
BS EN IEC 60749-26:2018 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
20/30406234 DC БС МЭК 63275-2 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 2. Метод испытания биполярной деградации при работе внутреннего диода
BS EN 60749-16:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Обнаружение шума от удара частиц (PIND)
BS IEC 62047-32:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания нелинейной вибрации МЭМС-резонаторов.
20/30423207 DC БС ЕН МЭК 62951-9. Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы тестирования работоспособности однотранзисторных и одного резистора (1Т1R) резистивных ячеек памяти
20/30409285 DC BS IEC 63284. Приборы полупроводниковые. Метод испытания нагрузочной надежности при коммутации индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Принципы тестирования полупроводников

JIS K 0315:2022 Способ измерения микроэлементов-восстановителей с помощью оборудования для измерения микроэлементов полупроводникового типа
JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
JIS C 5630-3:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
JIS Z 8823-1:2001 Определение гранулометрического состава методами центробежного жидкостного осаждения. Часть 1. Общие принципы и рекомендации.

Danish Standards Foundation, Принципы тестирования полупроводников

DS/EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
DS/EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
DS/EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
DS/EN 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание
DS/EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DS/EN 60749-2:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
DS/EN 60749-21:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 60749-30/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
DS/EN 60749-30:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
DS/EN 60749-34:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
DS/EN 60749-25:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.
DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
DS/EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
DS/ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-1. Особые требования и рекомендации. Испытания и качество.
DS/EN 60749-19/A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
DS/EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Принципы тестирования полупроводников

EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
EN 60749-29:2003 Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний Часть 29. Испытание на защелкивание
EN 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний Часть 34. Циклическая обработка
EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Принципы тестирования полупроводников

KS C 6045-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
KS M 1804-2008(2018) Метод испытания плавиковой кислоты для полупроводников
KS C 6045-1986 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
KS C 6565-2002 Методы испытаний полупроводниковых датчиков ускорения
KS C 6565-2002(2017) Методы испытаний полупроводниковых датчиков ускорения
KS C 6520-2008 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C IEC 60759-2009(2019) Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
KS C IEC 62526-2015(2020) Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 62526:2015 Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников
KS C IEC 60749-21:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
KS C IEC 60749-2:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
KS C IEC 60749-13:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера
KS C IEC 60749-34:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Циклическое выключение питания.
KS C IEC 60749-6:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-22:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
KS C IEC 60749-34:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания.
KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.

Association Francaise de Normalisation, Принципы тестирования полупроводников

NF EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для системы IDO. Часть 1. Метод определения акустических отклонений.
NF EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
NF EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на одиночные эффекты нейтронного луча (SEE) для полупроводниковых приборов
NF EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую погрешность полупроводниковых приборов с памятью.
NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание полостей из-за напряжений металлизации
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
NF EN 60749-29:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на блокировку
NF C53-225:1985 Испытание полупроводниковых ламп для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения.
NF EN 60749-8:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметичность
NF EN 60749-1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие сведения.
NF EN 60749-21:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
NF EN 60749-2:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое атмосферное давление.
NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
NF EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных компонентов для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высоких температурах.
NF EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурные циклы
NF EN 60749-34:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
NF EN IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соленая атмосфера
NF EN IEC 60749-17:2019 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартные тонкопленочные образцы для испытаний на растяжение.
NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
NF EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
NF EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
NF EN 60749-32/A1:2011 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 32. Воспламеняемость приборов в пластиковых капсулах (в случае внешней причины возгорания)
NF EN 60749-32:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 32. Воспламеняемость приборов в пластиковых капсулах (в случае внешней причины возгорания)
NF EN 60749-31:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 31. Воспламеняемость приборов в пластиковых капсулах (случай внутренней причины возгорания)

ES-UNE, Принципы тестирования полупроводников

UNE-EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.)
UNE-EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (одобрено AENOR в октябре 2010 г.)
UNE-EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие ошибки для полупроводниковых приборов с памятью (одобрен AENOR в сентябре 2008 г.).
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2023 г.).
UNE-EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
UNE-EN 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на фиксацию (одобрено AENOR в ноябре 2011 г.).
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
UNE-EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Одобрено AENOR в октябре 2007 г.)
UNE-EN IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в мае 2018 г.)
UNE-EN 60749-21:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость (одобрено AENOR в ноябре 2011 г.)
UNE-EN 62373:2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в ноябре 2020 г.)
UNE-EN IEC 60749-17:2019 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в июне 2019 г.)
UNE-EN IEC 60749-12:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в апреле 2018 г.)
UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006) (одобрен AENOR в январе 2007 г.)
UNE-EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM). (Одобрено Испанской ассоциацией нормализации в мае 2018 г.)
UNE-EN 62374-1:2010 Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для межметаллических слоев (одобрено AENOR в марте 2011 г.)

German Institute for Standardization, Принципы тестирования полупроводников

DIN EN 62415:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (IEC 62415:2010); Немецкая версия EN 62415:2010.
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 62416:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов (IEC 62416:2010); Немецкая версия EN 62416:2010.
DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
DIN EN 62418:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010); Немецкая версия EN 62418:2010.
DIN 50441-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 2. Испытание краевого профиля.
DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
DIN 50441-5:2001 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 5. Условия отклонения формы и плоскостности.
DIN EN 60749-44:2017-04 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод однособытийного испытания (SEE) нейтронным лучом для полупроводниковых приборов (IEC 60749-44:2016); Немецкая версия EN 60749-44:2016
DIN EN 60749-38:2008-10 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую ошибку для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008)
DIN SPEC 1994:2017-02 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение анионов в слабых кислотах.
DIN EN 60749-29:2012-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание (IEC 60749-29:2011); Немецкая версия EN 60749-29:2011 / Примечание: DIN EN 60749-29 (2004-07) остается действительным наряду с этим стандартом до 12 мая 2014 г.
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Немецкая версия EN 60191-6-16:2007 / Примечание. Заменяется стандартом DIN EN 60191-6-16 (2013-...).
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
DIN EN 60749-8:2003-12 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация (IEC 60749-8:2002 + Исправление 1:2003 + Исправление 2:2003); Немецкая версия EN 60749-8:2003 / Примечание. При определенных условиях DIN EN 60749 (2002-09) остается действительным наряду с настоящим стандартом.
DIN EN 60749-21:2012-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость (IEC 60749-21:2011); Немецкая версия EN 60749-21:2011 / Примечание: DIN EN 60749-21 (2005-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 12 мая 2014 г.
DIN EN IEC 60749-13:2018-10 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера (IEC 60749-13:2018); Немецкая версия EN IEC 60749-13:2018 / Примечание: DIN EN 60749-13 (2003-04) остается действительным наряду с этим стандартом до 22 марта 2021 г.
DIN EN 62373:2007-01 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN 50452-1:1995-11 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 1. Микроскопическое определение частиц.
DIN EN IEC 60749-30:2023-02 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (IEC 60749-30:2020); Немецкая версия EN IEC 60749-30:2020 / Примечание: DIN EN 60749-30 (2011-12) остается...
DIN EN 60749-34:2011-05 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Циклическое выключение питания (IEC 60749-34:2010); Немецкая версия EN 60749-34:2010 / Примечание: DIN EN 60749-34 (2004-10) остается действительным наряду с этим стандартом до 1 декабря 2013 г.
DIN EN 60749-25:2004-04 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Циклическое изменение температуры (IEC 60749-25:2003); Немецкая версия EN 60749-25:2003 / Примечание. При определенных условиях DIN EN 60749 (2002-09) остается действительным наряду с этим стандартом до 2006-0...
DIN EN 60749-27:2013-04 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (MM) (IEC 60749-27:2006 + A1:2012); Немецкая версия EN 60749-27:2006 + A1:2012 / Примечание: DIN EN 60749-27 (2007-01) повторно...
DIN EN 60749-6:2017-11 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2017); Немецкая версия EN 60749-6:2017 / Примечание: DIN EN 60749-6 (2003-04) остается действительным наряду с этим стандартом до 07 апреля 2020 г.
DIN EN 60749-22:2003-12 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения (IEC 60749-22:200 + Исправление 1:2003); Немецкая версия EN 60749-22:2003 / Примечание. При определенных условиях DIN EN 60749 (2002-09) остается действительным наряду с данным стандартом до тех пор, пока...
DIN EN IEC 60749-12:2018-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты (IEC 60749-12:2017); Немецкая версия EN IEC 60749-12:2018 / Примечание: DIN EN 60749-12 (2003-04) остается действительным наряду с этим стандартом до 17 января 2021 г.
DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
DIN 50450-2:1991-03 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение примесей в газах-носителях и легирующих газах; определение примеси кислорода в N<(Индекс)2>, Ar, He, Ne и H<(Индекс)2>; с помощью гальванического элемента
DIN 50453-3:2001 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение скорости травления травильных смесей. Часть 3. Алюминий, гравиметрический метод.
DIN EN 62374:2008-02 Полупроводниковые приборы — испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора (IEC 62374:2007); Немецкая версия EN 62374:2007.
DIN EN 62374-1:2011-06 Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для межметаллических слоев (IEC 62374-1:2010); Немецкая версия EN 62374-1:2010 + AC:2011
DIN EN 60749-36:2003-12 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии (IEC 60749-36:2003); Немецкая версия EN 60749-36:2003 / Примечание. При определенных условиях стандарт DIN EN 60749 (2002-09) остается действительным наряду с настоящим стандартом до тех пор, пока...
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).

工业和信息化部, Принципы тестирования полупроводников

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов
SJ/T 10805-2018 Метод испытания компаратора напряжения полупроводниковой интегральной схемы
SJ/T 11702-2018 Метод испытаний последовательного периферийного интерфейса полупроводниковой интегральной схемы
SJ/T 11706-2018 Метод испытания программируемой вентильной матрицы для полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 11577-2016 Руководство по применению SJ/T 11394-2009 «Методы испытаний полупроводниковых светодиодов»

International Electrotechnical Commission (IEC), Принципы тестирования полупроводников

IEC 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука.
IEC 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
IEC 60333:1993 Ядерное приборостроение; полупроводниковые детекторы заряженных частиц; процедуры испытаний
IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами.
IEC 62880-1:2017 Полупроводниковые приборы. Стандарт испытаний на миграцию под напряжением. Часть 1. Стандарт испытаний на миграцию меди под напряжением.
IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
IEC 60147-2:1963 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов и общие принципы методов измерений. Часть 2. Общие принципы методов измерения.
IEC 60596:1978 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета
IEC 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегрированных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры.
IEC 60749-30:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Принципы тестирования полупроводников

GB/T 1550-2018 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 39771.2-2021 Оптическая радиационная безопасность светодиодов. Часть 2. Методы измерения.
GB/T 37131-2018 Нанотехнологии - метод испытания полупроводникового нанопорошка с использованием спектроскопии диффузного отражения УФ-ВИД.

Professional Standard - Aerospace, Принципы тестирования полупроводников

QJ 259-1977 器件
QJ 257-1977 Метод тестирования полупроводниковых интегральных цифровых схем TTL
QJ 1528-1988 Метод испытания временной развертки полупроводниковых интегральных схем
QJ/Z 32-1977 Методы испытаний полупроводниковых интегральных усилителей сравнения
QJ 260-1977 器件
QJ 1460-1988 Метод испытаний широкополосного усилителя полупроводниковой интегральной схемы
QJ 2491-1993 Методы испытаний операционных усилителей в полупроводниковых интегральных схемах
QJ 1526-1988 器件
QJ 2660-1994 Метод испытаний широтно-импульсного модулятора импульсного источника питания на полупроводниковых интегральных схемах
QJ 3293-2008 Требования к управлению безопасностью при испытаниях окончательной сборки твердотопливных ракет
QJ 3044-1998 Полупроводниковая интегральная схема цифро-аналогового преобразователя и метод испытания аналого-цифрового преобразователя

TR-TSE, Принципы тестирования полупроводников

TS 2643-1977 Методики испытаний бемипроводниковых детекторов ионизирующего излучения
TS 2552-1977 Основные номиналы и характеристики устройств Seraiconductor и общие принципы методов измерения. Часть 2: Общие принципы методов измерения.
TS 3433-1979 МЕТОДИКА ИСПЫТАНИЙ УСИЛИТЕЛЕЙ И ПРЕДУСИЛИТЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Lithuanian Standards Office , Принципы тестирования полупроводников

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 62415-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (IEC 62415:2010)
LST EN 62416-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (IEC 62416:2010)
LST EN 60749-38-2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую ошибку для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008)
LST EN 62418-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010)
LST EN 60749-29-2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание (IEC 60749-29:2011)
LST EN 60191-6-16-2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62373-2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006)
LST EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (IEC 60749-30:2020)
LST EN 60749-30-2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (IEC 60749-30:2005)

Professional Standard - Post and Telecommunication, Принципы тестирования полупроводников

YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.

ECIA - Electronic Components Industry Association, Принципы тестирования полупроводников

EIA CB-5:1969 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Принципы тестирования полупроводников

EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
EN 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание
EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
EN 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
HD 396-1979 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета

American National Standards Institute （ANSI), Принципы тестирования полупроводников

ANSI/IEEE 300:1988 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ANSI/UL 2360-2004 Методы испытаний для определения характеристик горючести пластмасс, используемых в полупроводниковом приборостроении

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Принципы тестирования полупроводников

ECA CB 5-1969 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств
ECA CB 5-1-1971 Дополнение к Рекомендуемой процедуре испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств к CB5

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Принципы тестирования полупроводников

GB/T 14028-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения аналогового переключателя.
GB/T 35006-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения преобразователя уровня.
GB/T 36005-2018 Методы измерения оптической радиационной безопасности полупроводниковых осветительных приборов и систем
GB/T 35007-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения схем дифференциальной сигнализации низкого напряжения.

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

DB52/T 1104-2016 Метод переходных испытаний термического сопротивления корпуса полупроводниковых приборов.

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Принципы тестирования полупроводников

IEEE 425-1957 ТЕСТОВЫЙ КОД ТРАНЗИСТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ЛЕЙТЕРНЫЕ СИМВОЛЫ.
IEEE 300-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
IEEE 300-1982 СТАНДАРТНЫЕ ПРОЦЕДУРЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
IEEE C62.35-1987 Стандартные спецификации испытаний полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
IEEE PC62.35/D1-2018 Проект стандарта на методы испытаний компонентов кремниевых лавинных полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений
IEEE C62.35-2010 Стандартные методы испытаний компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

JJG(电子) 04008-1987 Правила пробной проверки для тестера полупроводниковых трубок с двойной базой QE1A
JJG(电子) 310002-2006 Технические условия на поверку тестеров параметров постоянного тока полупроводниковых дискретных приборов
JJG(电子) 310003-2006 Технические условия на поверку тестеров параметров конденсаторов полупроводниковых дискретных приборов
JJG(电子) 04023-1989 Спецификация для проверки TF-тестера мощного полупроводникового триода модели BJ2970

Professional Standard - Machinery, Принципы тестирования полупроводников

JB/T 6307.1-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля. Пара плеч выпрямительного диода.
JB/T 6307.2-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля Однофазные мостовые выпрямительные диоды
JB/T 6307.3-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля Трехфазный мостовой выпрямительный диод
JB/T 4219-1999 Обозначение типа измерительной аппаратуры для силовых полупроводниковых приборов
JB/T 6307.4-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля Плечо и пара плеч биполярного транзистора
JB/T 6307.5-1994 Методы испытаний силовых полупроводниковых модулей. Биполярные транзисторы. Однофазный мост и трехфазный мост.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Принципы тестирования полупроводников

GJB 9147-2017 Методы испытаний операционных усилителей полупроводниковых интегральных схем

American Society for Testing and Materials (ASTM), Принципы тестирования полупроводников

ASTM E1161-95 Стандартный метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
ASTM D4325-20 Стандартные методы испытаний неметаллических полупроводниковых и электроизоляционных резиновых лент
ASTM F637-85(1994)e1 Стандартные спецификации на формат, физические свойства и методы испытаний тестируемых ленточных носителей диаметром 19 и 35 мм для полупроводниковых устройств с ленточным носителем по периметру
ASTM D6095-12(2018) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

CNS 6802-1980 Стандартная процедура испытаний для измерения запаса по помехам для полупроводниковых микросхем с логическим управлением
CNS 8104-1981 Метод измерения линейного порогового напряжения MOSFET
CNS 8106-1981 Метод измерения порогового напряжения насыщения MOSFET
CNS 5751-1980 Метод определения кажущейся плотности керамики для применения в электронных устройствах и полупроводниках

CU-NC, Принципы тестирования полупроводников

NC 34-54-1987 Сельскохозяйственные машины и орудия. Прицеп и полуприцеп. Методология проведения тестов

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

JJF 1895-2021 Спецификация калибровки полупроводниковых приборов, испытательного оборудования для измерения параметров постоянного и низкочастотного тока

未注明发布机构, Принципы тестирования полупроводников

BS IEC 62526:2007(2010) Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников

ZA-SANS, Принципы тестирования полупроводников

SANS 6281-1:2007 Методы испытаний электрических кабелей с пропитанной бумажной изоляцией. Часть 1. Испытания изоляционной и полупроводниковой бумаги.
SANS 6284-2:2007 Методы испытаний электрических кабелей с изоляцией из сшитого полиэтилена (XLPE). Часть 2. Испытания экструдированных полупроводниковых экранов.

AENOR, Принципы тестирования полупроводников

UNE-EN 60749-2:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
UNE-EN 60749-30:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
UNE-EN 60749-12:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
UNE-EN 60749-10:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.

KR-KS, Принципы тестирования полупроводников

KS C IEC 60749-2-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
KS C IEC 60749-21-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
KS C IEC 60749-13-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера
KS C IEC 60749-22-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
KS C IEC 60749-6-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.

European Committee for Standardization (CEN), Принципы тестирования полупроводников

HD 396 S1-1979 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета

Underwriters Laboratories (UL), Принципы тестирования полупроводников

UL 2360-2000 Методы испытаний для определения характеристик горючести пластмасс, используемых в полупроводниковом приборостроении

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Принципы тестирования полупроводников

DB13/T 5120-2019 Спецификации для испытаний на постоянном токе полупроводниковых лазерных чипов FP и DFB для оптической связи

AT-OVE/ON, Принципы тестирования полупроводников

OVE EN IEC 63275-2:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы корпусного диода (IEC 47/2680/CDV) (английская версия)

Professional Standard - Building Materials, Принципы тестирования полупроводников

JC/T 2133-2012 Определение примесей в золе кремнезема для полировальных растворов в полупроводниковой промышленности. Атомно-эмиссионный спектрометрический метод с индуктивно-связанной плазмой.

Professional Standard - Agriculture, Принципы тестирования полупроводников

NY/T 1860.4-2010 Руководство по определению физико-химических свойств пестицидов. Часть 4. Техническая стабильность материалов.

PL-PKN, Принципы тестирования полупроводников

PN-EN IEC 60749-30-2021-05 E Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (IEC 60749-30:2020)