ZH
RU
EN
ES

半導体テストの原理

半導体テストの原理は全部で 500 項標準に関連している。

半導体テストの原理 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス、 半導体ディスクリートデバイス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 ソフトウェア開発とシステム文書化、 無機化学、 放射線測定、 金属材料試験、 長さと角度の測定、 電気、磁気、電気および磁気測定、 半導体材料、 光ファイバー通信、 整流器、コンバータ、安定化電源、 語彙、 総合電子部品、 電気機器部品、 原子力工学、 送配電網、 電気および電子試験、 産業用オートメーションシステム、 電子機器用機械部品、 断熱材、 ワイヤーとケーブル、 真空技術、 情報技術用の言語、 ゴム・プラスチック製品、 消防、 情報技術の応用、 電子および通信機器用の電気機械部品、 プラスチック、 航空宇宙システムおよび操作装置、 電気工学総合、 光学および光学測定、 音響および音響測定、 セラミックス、 農林、 分析化学、 粒度分析、スクリーニング。

SE-SIS, 半導体テストの原理

• SIS SEN 01 26 51-1969 半導体の電気回路図記号
• SIS SS IEC 617-5:1987 概略図記号。 半導体と電子管
• SIS SS-IEC 749:1991 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
• SIS SS IEC 333:1986 核実験装置。 半導体荷電粒子検出器の試験手順
• SIS SS IEC 700:1984 パワーエレクトロニクス。 高電圧直流伝送用半導体電子管。 テスト

Professional Standard - Electron, 半導体テストの原理

• SJ/T 10735-1996 半導体集積回路の基本原理 TTL回路の試験方法
• SJ/T 10736-1996 半導体集積回路のHTL回路試験法の基本原理
• SJ/T 10737-1996 半導体集積回路ECL回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 10741-2000 半導体集積回路CMOS回路の検査方法の基本原理
• SJ/T 10741-1996 半導体集積回路CMOS回路の検査方法の基本原理
• SJ/T 10804-2000 半導体集積回路 レベルコンバータ試験法の基本原理
• SJ/T 10805-2000 半導体集積回路 電圧比較器の試験方法の基本原理
• SJ/T 10882-1996 半導体集積回路リニアアンプの試験方法の基本原理
• SJ/T 10803-1996 半導体集積インターフェース回路線の回路試験方法の基本原理
• SJ/T 10880-1996 半導体集積オーディオ回路のステレオデコーダ試験方法の基本原理
• SJ/T 10739-1996 半導体集積回路MOSランダムアクセスメモリのテスト方法の基本原理
• SJ/T 10738-1996 半導体集積回路のオペアンプ（電圧）アンプの試験方法の基本原理
• SJ/T 10800-1996 半導体集積インターフェース回路センスアンプのテスト方法の基本原理
• SJ/T 10802-1996 半導体集積インターフェース回路の周辺ドライバの試験方法の基本原理
• SJ/T 10805-1996 半導体集積インターフェース回路の電圧比較器試験方法の基本原理
• SJ/T 10804-1996 半導体集積インターフェース回路レベルコンバータの試験方法の基本原理
• SJ/T 10806-1996 半導体集積インターフェース回路のディスプレイドライバの試験方法の基本原理
• SJ/T 11005-1996 半導体テレビ集積回路音声チャンネル回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 11006-1996 半導体TV集積回路のラインとフィールド走査回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 10401-1993 半導体集積オーディオ回路モーター速度安定化回路 試験方法の基本原理
• SJ/T 10740-1996 半導体集積回路のバイポーラランダムアクセスメモリの試験方法の基本原理
• SJ/T 10402-1993 半導体集積オーディオ回路自動選曲回路 試験方法の基本原理
• SJ/T 10400-1993 半導体集積オーディオ回路グラフィックイコライゼーション回路 試験方法の基本原理
• SJ/T 11004-1996 半導体テレビ用集積回路映像チャンネル回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 10879-1996 半導体オーディオ集積回路のオーディオプリアンプ試験方法の基本原理
• SJ/T 10427.1-1993 半導体集積回路オーディオ回路の基本原理 FMコンバーターの試験方法
• SJ/T 10427.2-1993 半導体集積回路の基本原理 オーディオ回路中間周波増幅器の試験方法
• SJ/T 10881-1996 半導体集積オーディオ回路の基本原理、レベルを示すドライバのテスト方法
• SJ/T 10801-1996 半導体集積インターフェース回路の基本原理 コアメモリドライバの試験方法
• SJ/T 11007-1996 半導体テレビ集積回路の映像信号・色信号処理回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 2215-2015 半導体フォトカプラの試験方法
• SJ 2749-1987 半導体レーザーダイオードの試験方法
• SJ 2214.1-1982 半導体感光管の試験方法の一般原則
• SJ/T 11394-2009 半導体発光ダイオードの試験方法
• SJ 20788-2000 半導体ダイオードの熱インピーダンス試験方法
• SJ 2355.1-1983 半導体発光デバイスの試験方法 一般原則
• SJ 2215.1-1982 半導体フォトカプラのテスト方法の一般原則
• SJ 20787-2000 半導体ブリッジ整流器の熱抵抗試験方法
• SJ/T 11399-2009 半導体発光ダイオードチップの検査方法
• SJ 2355.5-1983 半導体発光素子の試験方法 常光強度および半値角の試験方法
• SJ/T 10818-1996 半導体集積非線形回路デジタル・アナログ変換器の基本原理とアナログ・デジタル変換器の試験方法
• SJ 2065-1982 半導体デバイス製造に使用される拡散炉の試験方法
• SJ 2355.6-1983 半導体発光素子の試験方法 光束の試験方法
• SJ 2355.4-1983 半導体発光素子の試験方法 接合容量の試験方法
• SJ/T 2214-2015 半導体フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
• SJ 2355.3-1983 半導体発光素子の試験方法 逆電流試験方法
• SJ 2355.2-1983 半導体発光素子の試験方法 順方向電圧降下試験方法
• SJ/T 10482-1994 半導体の深いエネルギー準位の過渡静電容量 試験方法
• SJ 20026-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
• SJ 2214.3-1982 半導体フォトダイオードの暗電流試験方法
• SJ 2214.5-1982 半導体フォトダイオードの接合容量の試験方法
• SJ 2214.8-1982 半導体フォトトランジスタの暗電流試験方法
• SJ 2658.1-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 一般原理
• SJ 2658.4-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 静電容量の試験方法
• SJ 2355.7-1983 半導体発光素子の試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
• SJ 2214.2-1982 半導体フォトダイオードの順方向電圧降下試験方法
• SJ 2214.7-1982 半導体フォトトランジスタの飽和電圧降下試験方法
• SJ 2214.10-1982 半導体フォトダイオードおよび三極管の光電流のテスト方法
• SJ 2658.2-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順電圧降下試験方法
• SJ 2658.3-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 逆電圧試験方法
• SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 半導体ディスクリートデバイス試験システム検証規定
• SJ 2215.6-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）接合容量の試験方法
• SJ 2215.8-1982 半導体光カプラの出力飽和電圧降下試験方法
• SJ/T 11818.1-2022 半導体 UV 発光ダイオード パート 1: 試験方法
• SJ 2658.7-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 放射束の試験方法
• SJ 2658.10-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 変調ブロードバンドの試験方法
• SJ 2658.12-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
• SJ 2215.14-1982 半導体光カプラの入出力間絶縁耐圧試験方法
• SJ 2757-1987 高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法
• SJ 2215.3-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電流試験方法
• SJ 2214.4-1982 半導体フォトダイオードの逆耐圧試験方法
• SJ 2215.4-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆電流試験方法
• SJ 2215.10-1982 半導体フォトカプラの直流電流伝達率の試験方法
• SJ 2215.12-1982 半導体光カプラの入出力間の絶縁容量の試験方法
• SJ 2215.2-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電圧降下試験方法
• SJ 2215.13-1982 半導体光カプラの入出力間絶縁抵抗試験方法
• SJ 2658.6-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの試験方法
• SJ 2658.8-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 正常放射輝度の試験方法
• SJ 2658.9-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 放射強度および半値角の空間分布の試験方法
• SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法
• SJ 2658.11-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 インパルス応答特性の試験方法
• SJ 2215.5-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆耐圧試験方法
• SJ 2215.9-1982 半導体フォトカプラ（トランジスタ）の逆方向遮断電流の試験方法
• SJ/T 11820-2022 半導体ディスクリートデバイスのDCパラメータ試験装置の技術要件と測定方法
• SJ 2214.9-1982 半導体フォトダイオードおよびトランジスタのパルス立ち上がり時間および立ち下がり時間の試験方法
• SJ 2658.13-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの温度係数の試験方法
• SJ 2215.7-1982 半導体フォトカプラのコレクタ・エミッタ間逆耐圧試験方法
• SJ 2215.11-1982 半導体光カプラのパルス、立ち上がり、立ち下がり、遅延、蓄積時間の試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体テストの原理

• GB/T 14028-1992 半導体集積回路のアナログスイッチ試験方法の基本原理
• GB/T 14030-1992 半導体集積回路の時間ベースの回路試験方法の基本原理
• GB 14030-1992 半導体集積回路の時間ベースの回路試験方法の基本原理
• GB 14028-2018 半導体集積回路のアナログスイッチ試験方法の基本原理
• GB/T 6798-1996 半導体集積回路の電圧比較器の試験方法の基本原理
• GB/T 4377-1996 半導体集積回路のボルテージレギュレータの試験方法の基本原理
• GB/T 14031-1992 半導体集積回路のアナログフェーズロックループ試験法の基本原理
• GB/T 14032-1992 半導体集積回路のデジタルフェーズロックループ試験法の基本原理
• GB/T 14029-1992 半導体集積回路のアナログ乗算器の試験方法の基本原理
• GB 14029-1992 半導体集積回路のアナログ乗算器の試験方法の基本原理
• GB 14031-1992 半導体集積回路のアナログフェーズロックループ試験法の基本原理
• GB 14032-1992 半導体集積回路のデジタルフェーズロックループ試験法の基本原理
• GB/T 15136-1994 半導体集積回路の基本原理 クォーツ時計の回路検査方法
• GB/T 14115-1993 半導体集積回路のサンプルホールドアンプの試験方法の基本原理
• GB 3442-1986 半導体集積回路のオペアンプ（電圧）アンプの試験方法の基本原理
• GB/T 31359-2015 半導体レーザーの試験方法
• GB/T 12843-1991 半導体集積回路のマイクロプロセッサおよび周辺インターフェース回路の電気的パラメータ試験法の基本原理
• GB 12843-1991 半導体集積回路のマイクロプロセッサおよび周辺インターフェース回路の電気的パラメータ試験法の基本原理
• GB/T 14114-1993 半導体集積回路の電圧・周波数および周波数・電圧変換器の試験方法の基本原理
• GB/T 5201-1994 荷電粒子半導体検出器の試験方法
• GB/T 1550-1997 外部半導体材料の導電型の試験方法
• GB/T 13974-1992 半導体チューブ特性図形測定器試験方法
• GB/T 6616-2023 半導体ウエハの比抵抗や半導体膜のシート抵抗を非接触で検査する渦電流法
• GB/T 42975-2023 半導体集積回路ドライバの試験方法
• GB/T 42838-2023 半導体集積回路ホール回路の試験方法
• GB/T 43061-2023 半導体集積回路PWMコントローラの試験方法
• GB/T 42676-2023 半導体単結晶結晶品質検査X線回折法
• GB/T 36477-2018 半導体集積回路のフラッシュメモリのテスト方法
• GB/T 4377-2018 半導体集積回路のボルテージレギュレータの試験方法
• GB/T 15653-1995 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
• GB/T 43040-2023 半導体集積回路AC/DCコンバータの試験方法
• GB/T 42970-2023 半導体集積回路のビデオエンコード・デコード回路の試験方法
• GB/T 14862-1993 半導体集積回路パッケージの接合部からケースまでの熱抵抗試験方法
• GB/T 42848-2023 半導体集積回路ダイレクトデジタル周波数シンセサイザ試験方法
• GB 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法
• GB/T 43226-2023 航空宇宙用途で使用される半導体集積回路のシングルイベントソフトエラータイムドメインテスト方法
• GB/T 8446.2-2004 パワー半導体デバイス用ヒートシンク 第2部 熱抵抗と流動抵抗の試験方法

HU-MSZT, 半導体テストの原理

• MSZ 700/36.lap-1961 炭鉱での半導体検査実験
• MSZ 700/23.lap-1965 STマイクロエレクトロニクスはコークスを試験します
• MSZ 700/24.lap-1965 STマイクロエレクトロニクスのコークス試験
• MSZ 700/27.lap-1962 STMicroelectronics テスト フラッシュの定義
• MNOSZ 700-8.lap-1955 STマイクロエレクトロニクスは炭素と黄疸を検査します
• MSZ 700/26.lap-1961 STマイクロエレクトロニクスのテスト。 灰分含有量を迅速に測定する方法
• MSZ 700/41.lap-1961 STマイクロエレクトロニクスのテスト。 総硫黄含有量を迅速に測定
• MNOSZ 700-3.lap-1955 半導体モデルの分析試験 実験室のサンプル準備

AT-ON, 半導体テストの原理

• ONORM E 1005-1987 概略図記号。 半導体と電子管のシンボル

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体テストの原理

• JEDEC JEP140-2002 半導体ビーズ温度試験
• JEDEC JESD22-B108A-2003 表面実装半導体機器のコプラナリティ試験
• JEDEC JESD22-B108B-2010 表面実装半導体デバイスのコプラナリティ試験
• JEDEC JESD57-1996 重イオン放射線に曝露された半導体デバイスのシングルイベント効果測定のテスト手順
• JEDEC JESD390A-1981 半導体ロジックゲートマイクロ回路のノイズ安全率の標準テスト手順
• JEDEC JESD51-14-2010 シングルチャネルサーマルフロー半導体デバイスのジャンクションケース熱抵抗過渡デュアルインターフェース試験方法

CZ-CSN, 半導体テストの原理

• CSN 35 1540-1979 パワー半導体コンバータの試験
• CSN IEC 617-5:1993 概略図記号。 第 5 部: 半導体と電子管
• CSN IEC 749:1994 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
• CSN 35 6575 Z1-1997 半導体X線分光計の標準試験手順
• CSN 35 1601-1980 パワー半導体デバイス。 一般的な技術要件。 試験方法
• CSN IEC 596:1994 半導体放射線検出器とシンチレーションカウンティングの試験法用語の解説
• CSN 35 6553 Z1-1997 半導体電離放射線検出器用のアンプおよびプリアンプ。 試験方法

RO-ASRO, 半導体テストの原理

• STAS 11066/2-1980 半導体カセットフローチューブ。 試験方法
• STAS 6693/2-1975 半導体装置。 トランジスタ。 電子性能試験方法

Defense Logistics Agency, 半導体テストの原理

• DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 半導体デバイスの試験方法
• DLA MIL-STD-750 F-2012 半導体デバイスの試験方法規格
• DLA MIL STD 750 3-2012 試験方法 半導体デバイス用トランジスタの標準電気試験方法 パート 3: 試験方法 3000 ～ 3999
• DLA MIL STD 750 1-2012 試験方法 半導体デバイスの標準環境試験方法 第 1 部：1000 年から 1999 年までの試験方法
• DLA MIL STD 750 2-2012 試験方法 半導体デバイスの標準機械的試験方法 第 2 部: 2001 年から 2099 年までの試験方法
• DLA MIL STD 750 4 E-2012 試験方法 半導体デバイス用ダイオードの標準電気試験方法 パート 4: 試験方法 4000 ～ 4999
• DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 試験方法 半導体デバイスの標準環境試験方法 第 1 部：1000 年から 1999 年までの試験方法
• DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 試験方法 半導体デバイスの標準機械的試験方法 第 2 部: 2001 年から 2099 年までの試験方法
• DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 試験方法 半導体デバイスの標準環境試験方法 第 1 部：1000 年から 1999 年までの試験方法
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 シリコンモノリシック、テストバストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路

IN-BIS, 半導体テストの原理

• IS 7412-1974 半導体デバイスの寿命試験
• IS 9816-1981 半導体デバイステストの一般要件と分類
• IS 12641-1989 半導体デバイスおよび集積回路の環境試験手順
• IS 12737-1988 半導体X線エネルギー分光計の標準試験手順

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• T/SHDSGY 113-2022 RFフロントエンド半導体テストソフトウェア
• T/ZACA 041-2022 ミックスドシグナル半導体デバイス試験装置
• T/CASAS 011.1-2021 車載グレードの半導体パワーデバイスのテストおよび認証仕様
• T/CASAS 011.2-2021 車載グレードの半導体パワーモジュールのテストおよび認証仕様
• T/GVS 005-2022 半導体装置用絶対電圧容量薄膜真空計の比較方法の試験仕様書

YU-JUS, 半導体テストの原理

• JUS N.R1.500-1980 半導体デバイス。 受け入れ。 電気試験
• JUS N.C0.036-1980 可動ロープとケーブルのテスト。 絶縁抵抗測定、半導体層抵抗、表面抵抗測定

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体テストの原理

• IEEE 660-1986 半導体メモリのテストパターン言語
• IEEE No 256-1963 IEEE 半導体ダイオードのテスト手順
• IEEE Std 660-1986 半導体メモリのテストパターン言語に関するIEEE規格
• IEEE Std 300-1988 半導体荷電粒子検出器の IEEE 標準テスト手順
• ANSI/IEEE Std 300-1982 半導体荷電粒子検出器の IEEE 標準テスト手順
• ANSI/IEEE Std 759-1984 半導体X線分光計のIEEE標準試験手順
• IEEE Std C62.35-1987 アバランシェ接合半導体サージ保護装置の IEEE 標準テスト仕様
• IEEE No 300-1969*USAS N42.1-1969 半導体放射線検出器 (電離放射線) の米国規格および IEEE 試験手順
• IEEE 300-1969 半導体放射線検出器 (電離放射線) の米国規格および IEEE 試験手順
• IEEE Unapproved Draft Std PC62.35/D11, Aug 2007 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイスの IEEE 標準テスト仕様草案
• IEEE Std C62.35-2010 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイスアセンブリのIEEE標準試験方法
• IEEE Std C62.35- 2010 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイスアセンブリのIEEE標準試験方法
• IEEE 1450.1-2005 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張 (IEEE Std 1450-1999)
• IEEE Unapproved Draft Std P62.32_D12, Nov 2009 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイスアセンブリの IEEE 標準試験方法草案

RU-GOST R, 半導体テストの原理

• GOST 29106-1991 半導体デバイス.超小型集積回路.パート 1.一般原則
• GOST 24461-1980 パワー半導体デバイスの測定および試験方法

British Standards Institution (BSI), 半導体テストの原理

• BS EN IEC 63364-1:2022 半導体デバイスIoTシステムに使用される半導体デバイスの音変化検出試験方法
• BS IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブル伸縮性半導体デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
• BS IEC 62951-7:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイス フレキシブル有機半導体フィルムカプセル化のバリア特性を特性評価するための試験方法
• BS IEC 62951-6:2019 半導体デバイスおよび伸縮性半導体デバイスのフレキシブル導電フィルムのシート抵抗の試験方法
• BS IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト MOSFET の高速 BTI テスト
• BS IEC 62951-1:2017 半導体デバイスのフレキシブル基板上の導電膜のフレキシブル伸縮性半導体デバイスの曲げ試験方法
• 14/30297227 DC BS EN 62880-1 半導体デバイス 半導体デバイスのウェーハレベル信頼性銅ストレスマイグレーション試験方法
• 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 34-1 パワー半導体モジュールのパワーサイクル試験
• BS IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法バイアス温度不安定性試験方法
• 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験パート 1. 迅速 BTI 試験方法
• 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半導体デバイス金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1. 迅速 BTI テスト方法
• BS IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイス 半導体センサー 表面弾性波による紫外線、照度、温度測定用集積センサーの試験方法
• BS IEC 62951-9:2022 抵抗性メモリユニットの半導体デバイスのフレキシブル伸縮性半導体デバイス-トランジスタ-抵抗器(1T1R)の性能試験方法
• BS IEC 62880-1:2017 半導体デバイスのストレスマイグレーション試験規格 - 銅ストレスマイグレーション試験規格
• 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半導体デバイス モノのインターネット システムで使用する半導体デバイス パート 1 音声変化検出のテスト方法
• BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
• BS EN 60749-34:2010 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パワーサイクル
• BS EN 60749-6:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 高温保管
• BS EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 中性子照射
• PD ES 59008-4-1:2001 半導体チップのデータ要件 特定の要件と推奨事項 テストと品質
• BS EN 62047-3:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械装置、引張試験用フィルム標準試験片
• BS IEC 60747-18-1:2019 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの校正試験方法とデータ分析
• IEC TR 63357:2022 自動車用半導体デバイスの故障試験方法の標準化ロードマップ
• BS EN 60749-39:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• BS IEC 62951-8:2023 半導体デバイスの柔軟性と伸縮性 半導体デバイスの伸縮性、柔軟性、安定性のフレキシブル抵抗メモリ試験方法
• BS IEC 62830-5:2021 エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル熱電デバイスの発電電力を測定する試験方法
• BS EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS IEC 62830-4:2019 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル圧電エネルギーハーベスティングデバイスの試験および評価方法
• BS EN 60749-9:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法マーキングの永続性
• BS EN 60749-3:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 外部外観検査
• BS IEC 63284:2022 半導体装置窒化ガリウムトランジスタ誘導性負荷スイッチの信頼性試験方法
• BS EN 60749-29:2011 半導体デバイス、機械的および耐気候性の試験方法、ラッチアップ効果の試験
• 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半導体デバイスの信頼性試験方法 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ パート 1. バイアス温度不安定性試験方法
• BS EN 60749-4:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 湿熱、定常状態、高度加速ストレス試験 (HAST)
• BS EN 60749-5:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 定常状態温度湿度バイアス寿命試験
• PD IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス・光電子デバイス・発光ダイオード・LED効率試験方法
• BS EN IEC 60749-18:2019 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 電離放射線 (総線量)
• 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16 BGA、LGA、FBGA、FLGA 用の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集
• 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
• 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
• 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 5 フレキシブル熱電デバイスの発電量を測定するための試験方法
• BS EN IEC 60749-30:2020 信頼性試験の前に非ハーメチック表面実装デバイスを事前調整するための半導体デバイスの機械的および気候的試験方法
• BS EN 60749-26:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS EN 60749-26:2014 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS IEC 62526:2007 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張標準
• BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
• BS IEC 62830-6:2019 半導体デバイス 環境発電および発電用の半導体デバイス 半導体デバイス 垂直接触モード摩擦電気環境発電デバイス 試験および評価の方法
• 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用する有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半導体デバイス 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 パート 2. ボディ ダイオードの動作によって引き起こされるバイポーラ劣化の試験方法
• BS EN 60749-16:2003 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、粒子衝撃ノイズ検出 (PIND)
• BS IEC 62047-32:2019 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMS共振器の非線形振動試験方法
• BS EN IEC 60749-10:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 機械的衝撃装置およびアセンブリ
• BS EN IEC 60749-37:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
• 20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9 半導体デバイス フレキシブルおよび伸縮性半導体デバイス パート 9 1 チューブ 1 抵抗器 (1T1R) 抵抗メモリ ユニットの性能試験方法
• 20/30409285 DC BS IEC 63284 半導体デバイスの誘導性負荷スイッチの導通ストレス信頼性に関する信頼性試験方法、窒化ガリウムトランジスタ

Danish Standards Foundation, 半導体テストの原理

• DS/EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
• DS/EN 62416:2010 半導体デバイスMOSトランジスタのホットキャリア試験
• DS/EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
• DS/EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
• DS/EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
• DS/EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
• DS/EN 60749-2:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
• DS/EN 60749-21:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
• DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
• DS/EN 60749-30/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• DS/EN 60749-30:2005 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• DS/EN 60749-34:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
• DS/EN 60749-25:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 25: 温度サイクル
• DS/EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• DS/EN 60749-26:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• DS/ES 59008-4-1:2001 半導体チップのデータ要件 パート 4-1: 特定の要件と推奨事項 テストと品質
• DS/EN 60749-19/A1:2010 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 19 部: チップせん断強度

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体テストの原理

• EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• EN 60749-29:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
• EN 60749-34:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源サイクル
• EN 60749-26:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体テストの原理

• KS C 6045-1991(2001) 半導体整流ダイオードの試験方法
• KS M 1804-2008(2018) 半導体の検査方法に使用されるフッ酸
• KS C 6045-1986 半導体整流ダイオードの試験方法
• KS C 6565-2002 半導体加速度センサーの試験方法
• KS C 6565-2002(2017) 半導体加速度センサーの試験方法
• KS C 6520-2008 半導体プロセス部品のプラズマ耐摩耗性試験
• KS C IEC 60759-2009(2019) 半導体X線分光計の標準試験手順
• KS C IEC 62526-2015(2020) 半導体設計環境で使用する標準テストインターフェイス言語 (stil)
• KS C IEC 62526:2015 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張
• KS C IEC 60749-21:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 21: はんだ付け性
• KS C IEC 60749-2:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 2: 低気圧
• KS C IEC 60749-13:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩分雰囲気
• KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体デバイス用有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• KS C IEC 60749-34:2006 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パート 34: 電源の再投入
• KS C IEC 60749-6:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 6: 高温保管
• KS C IEC 60749-22:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 22: 接着強度
• KS C IEC 60749-34:2017 半導体デバイスの機械的および環境的試験方法 パート 34: パワーサイクル
• KS C IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。

Association Francaise de Normalisation, 半導体テストの原理

• NF EN 62415:2010 半導体デバイス – 定電流エレクトロマイグレーション試験
• NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
• NF EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス - IDO システム用半導体デバイス - パート 1: 音響変化検出テスト方法
• NF EN 62416:2010 半導体デバイス – MOS トランジスタのホットキャリア試験
• NF EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 パート 44: 半導体デバイスの中性子線単一事象効果 (SEE) 試験方法
• NF EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
• NF EN 62418:2011 半導体デバイス - メタライゼーション応力によって引き起こされるテストキャビティ
• NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 第 44 部: 半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
• NF EN 60749-29:2012 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 29: ラッチアップ試験
• NF C53-225:1985 直流高圧送電用半導体真空管の試験
• NF EN 60749-8:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 8: シーリング
• NF EN 60749-1:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 1: 概要
• NF EN 60749-21:2012 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 21: はんだ付け性
• NF EN 60749-2:2002 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 2: 低気圧
• NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
• NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
• NF EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装コンポーネントのプレコンディショニング
• NF EN 60749-6:2017 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 6: 高温保管
• NF EN 60749-25:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 25: 温度サイクル
• NF EN 60749-34:2011 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 34: 電源の入れ直し
• NF EN IEC 60749-13:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩水雰囲気
• NF EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - 第 17 部: 中性子照射
• NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 3: 引張試験用の標準フィルム試験片
• NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• NF EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 - 人体モデル (HBM)
• NF EN 62374:2008 半導体デバイス - ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊試験 (TDDB)
• XP CEN/TS 16599:2014 光触媒は、半導体材料の光触媒性能をテストするための照射条件を決定します。
• NF EN 60749-32/A1:2011 半導体デバイス - 機械的および気候試験方法 - パート 32: プラスチックパッケージのデバイスの可燃性 (外部要因による発火の場合)
• NF EN 60749-32:2003 半導体デバイス - 機械的および気候試験方法 - パート 32: プラスチックパッケージのデバイスの可燃性 (外部要因による発火の場合)
• NF EN 60749-31:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - 第 31 部: プラスチックパッケージされたデバイスの可燃性 (内部火災原因の場合)

ES-UNE, 半導体テストの原理

• UNE-EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
• UNE-EN 62416:2010 半導体デバイスMOSトランジスタのホットキャリア試験
• UNE-EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
• UNE-EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
• UNE-EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス モノのインターネットシステムに使用される半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
• UNE-EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
• UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
• UNE-EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
• UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• UNE-EN IEC 60749-13:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 13 部: 塩分雰囲気
• UNE-EN 60749-21:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
• UNE-EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-16 部：BGA、LGA、FBGA、FLGA の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集 (IEC 60191-6-16:2007)
• UNE-EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
• UNE-EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング
• UNE-EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第17部：中性子照射
• UNE-EN IEC 60749-12:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 12 部: 振動周波数の換算
• UNE-EN 62047-3:2006 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第3部：引張試験用フィルム標準試験片
• UNE-EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
• UNE-EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• UNE-EN 62374-1:2010 半導体デバイス パート 1: 金属間時間依存絶縁破壊 (TDDB) 試験

German Institute for Standardization, 半導体テストの原理

• DIN EN 62415:2010-12 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
• DIN EN 62416:2010-12 半導体デバイス - MOS トランジスタのホットキャリア試験
• DIN 50448:1998 半導体プロセス材料の試験、容量性検出器を使用した半絶縁半導体スライスの抵抗率の非接触測定
• DIN EN 62418:2010-12 半導体デバイス - メタライゼーション応力ボイド試験
• DIN 50441-2:1998 半導体プロセス材料の試験 半導体チップの幾何学的寸法の測定 パート 2: 角のある断面の試験
• DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査 半導体ウェーハの幾何学的寸法測定 パート 1: 厚さと厚さのばらつき
• DIN 50441-5:2001 半導体技術のテスト 半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定 パート 5: 形状および平坦度の偏差の用語。
• DIN EN 60749-44:2017-04 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
• DIN EN 60749-38:2008-10 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 38: メモリを備えた半導体デバイスのソフト エラー テスト方法 (IEC 60749-38:2008)
• DIN SPEC 1994:2017-02 半導体技術用材料の試験 弱酸中の陰イオンの測定
• DIN EN 60749-29:2012-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
• DIN EN 60191-6-16:2007-11 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
• DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験 赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定 パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
• DIN EN 60749-8:2003-12 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
• DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• DIN EN 60749-21:2012-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
• DIN EN IEC 60749-13:2018-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 13 部: 塩分雰囲気
• DIN EN 62373:2007-01 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
• DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
• DIN EN IEC 60749-30:2023-02 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング
• DIN EN 60749-34:2011-05 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
• DIN EN 60749-25:2004-04 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 25: 温度サイクル
• DIN EN 60749-27:2013-04 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 27 部: 静電気放電
• DIN EN 60749-6:2017-11 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 6 部: 高温保管
• DIN EN 60749-22:2003-12 半導体デバイスの機械的及び気候的試験方法 第22部：接着強度
• DIN EN IEC 60749-12:2018-07 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 12 部: 振動周波数の換算
• DIN EN 60749-39:2007 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• DIN 50450-2:1991-03 半導体技術の材料試験、キャリアおよびドーピングガス中の不純物の測定、ガルバニ電池を使用した N (指数) 2 、Ar、He、Ne、および H (指数) 2 中の酸素不純物の測定
• DIN 50453-3:2001 半導体技術試験 エッチング混合物のエッチング速度の決定 パート 3: アルミニウム 重量法
• DIN EN 62374:2008-02 半導体デバイス - ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
• DIN EN 62374-1:2011-06 半導体デバイス パート 1: 金属間時間依存絶縁破壊 (TDDB) 試験
• DIN EN 60749-36:2003-12 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 36 部: 加速定常状態
• DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020)

工业和信息化部, 半導体テストの原理

• SJ/T 2749-2016 半導体レーザーダイオードの試験方法
• SJ/T 10805-2018 半導体集積回路の電圧比較器の試験方法
• SJ/T 11702-2018 半導体集積回路のシリアルペリフェラルインターフェースのテスト方法
• SJ/T 11706-2018 半導体集積回路フィールドプログラマブルゲートアレイの試験方法
• SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009「半導体発光ダイオードの試験方法」アプリケーションガイド

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体テストの原理

• JIS K 0315:2022 半導体微量ガス測定装置を用いた還元性微量ガスの測定方法
• JIS R 1750:2012 ファインセラミックスの室内光環境における半導体光触媒材料の検査用光源
• JIS C 5630-3:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 3: 引張試験用フィルム標準試験片
• JIS Z 8823-1:2001 遠心沈降法による粒度分布の測定 パート 1: 一般原則とガイドライン

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体テストの原理

• IEC 62416:2010 半導体デバイス - Mos トランジスタのホットキャリアテスト
• IEC 63364-1:2022 半導体デバイス IoT システム用半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
• IEC 60749-44:2016 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 パート 44: 中性子線照射のシングルイベント影響 (参照) 半導体デバイスの試験方法
• IEC 60333:1993 原子力機器半導体荷電粒子検出器のテスト手順
• IEC 62951-9:2022 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス 第9部：1トランジスタ1抵抗（1T1R）抵抗メモリユニットの性能試験方法
• IEC 62830-5:2021 半導体デバイス エネルギー収集および生成用の半導体デバイス パート 5: フレキシブル熱電デバイスによって生成される電力を測定するための試験方法
• IEC 62880-1:2017 半導体デバイス - ストレスマイグレーションテスト規格 - パート 1 - 銅ストレスマイグレーションテスト規格
• IEC 60749-13:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩分雰囲気
• IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• IEC 60749-39:2021 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• IEC 60147-2:1963 半導体デバイスの基本的な定格や特性、測定方法の一般原則 第2部：測定方法の一般原則
• IEC 60749-34:2010 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パート 34: 電源の再投入
• IEC 60596:1978 半導体放射線検出器およびシンチレーションカウンティング試験法の用語の定義
• IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイス パート 14-11: UV、照度、温度測定用の表面弾性波ベースの統合センサーの半導体センサー試験方法
• IEC 60749-30:2011 半導体デバイスの機械的および環境的試験 パート 30: 非気密表面実装機器の信頼性試験前のプレコンディショニング
• IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体テストの原理

• GB/T 1550-2018 外部半導体材料の導電型の試験方法
• GB/T 39771.2-2021 半導体発光ダイオードの光放射の安全性 第 2 部: 試験方法
• GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導体ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法

Professional Standard - Aerospace, 半導体テストの原理

• QJ 259-1977 半導体集積型安定化電源の試験方法
• QJ 257-1977 半導体TTL集積デジタル回路の試験方法
• QJ 1528-1988 半導体集積回路のタイムベース試験方法
• QJ/Z 32-1977 半導体集積比較アンプの試験方法
• QJ 260-1977 半導体集積位相感応整流回路の試験方法
• QJ 1460-1988 半導体集積回路広帯域アンプの試験方法
• QJ 2491-1993 半導体集積回路オペアンプの試験方法
• QJ 1526-1988 半導体集積回路オペアンプの特殊パラメータの試験方法
• QJ 2660-1994 半導体集積回路スイッチング電源パルス幅変調器の試験方法
• QJ 3293-2008 固体ミサイル組立試験の安全管理要件
• QJ 3044-1998 半導体集積回路のデジタル/アナログコンバータおよびアナログ/デジタルコンバータの試験方法

TR-TSE, 半導体テストの原理

• TS 2643-1977 電離放射線半導体検出器の試験手順
• TS 2552-1977 半導体デバイスの基本的な定格や特性、測定方法の一般原則など。 パート 2: 測定方法の一般原則
• TS 3433-1979 電離放射線半導体検出器用増幅器およびプリアンプの試験手順

Lithuanian Standards Office , 半導体テストの原理

• LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
• LST EN 62415-2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験 (IEC 62415:2010)
• LST EN 62416-2010 半導体デバイスMOSトランジスタのホットキャリア試験(IEC 62416:2010)
• LST EN 60749-38-2008 半導体デバイスの機械的および気候的テスト方法 パート 38: メモリを備えた半導体デバイスのソフト エラー テスト方法 (IEC 60749-38:2008)
• LST EN 62418-2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験 (IEC 62418:2010)
• LST EN 60749-29-2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 29: ラッチアップ試験 (IEC 60749-29:2011)
• LST EN 60191-6-16-2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-16 部：BGA、LGA、FBGA、FLGA の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集 (IEC 60191-6-16:2007)
• LST EN 60749-39-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
• LST EN 62373-2006 金属酸化物、半導体、および電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験 (IEC 62373:2006)
• LST EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング (IEC 60749-30:2020)
• LST EN 60749-30-2005 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング (IEC 60749-30:2005)

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体テストの原理

• YD/T 701-1993 半導体レーザーダイオードの組立て試験方法
• YD/T 2001.2-2011 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: テスト方法

ECIA - Electronic Components Industry Association, 半導体テストの原理

• EIA CB-5:1969 半導体ヒートシンクの推奨テスト手順

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体テストの原理

• EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
• EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 第 44 部: 半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
• EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
• EN 60749-39:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネント用有機材料の水分拡散率および水溶解度の試験 IEC 60749-39-2006
• EN IEC 60749-30:2020 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• EN 60749-34:2010 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
• EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• EN 60749-26:2014 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• HD 396-1979 半導体放射線検出器およびシンチレーションカウンティング試験法で使用される用語の定義

American National Standards Institute （ANSI), 半導体テストの原理

• ANSI/IEEE 300:1988 半導体荷電粒子検出器のテスト手順
• ANSI/ASTM D6095:2012 圧縮成形された交差接続された熱可塑性半導体、導体および絶縁シールド材料の体積抵抗を縦方向に測定するための試験方法
• ANSI/UL 2360-2004 半導体デバイスの製造に使用されるプラスチックの可燃性特性を測定するための試験方法

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 半導体テストの原理

• ECA CB 5-1969 半導体放熱装置の推奨試験手順
• ECA CB 5-1-1971 CB5 半導体放熱装置の推奨試験手順の付録

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体テストの原理

• GB/T 14028-2018 半導体集積回路のアナログスイッチの試験方法
• GB/T 35006-2018 半導体集積回路レベルコンバータの試験方法
• GB/T 36005-2018 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法
• GB/T 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• DB52/T 1104-2016 半導体デバイスのジャンクションケース熱抵抗過渡試験方法

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体テストの原理

• IEEE 425-1957 トランジスタ半導体の定義とライト表記のテストコード
• IEEE 300-1988 半導体荷電粒子検出器の標準試験手順
• IEEE 300-1982 半導体荷電粒子検出器の標準試験手順
• IEEE C62.35-1987 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイスの標準試験仕様
• IEEE PC62.35/D1-2018 シリコンアバランシェ半導体サージプロテクター部品の試験方法に関する規格草案
• IEEE C62.35-2010 アバランシェ接合半導体サージ保護デバイス部品の標準試験方法

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• JJG(电子) 04008-1987 QE1A ダブルベース半導体管テスターのパイロット校正手順
• JJG(电子) 310002-2006 半導体ディスクリートデバイス用DCパラメータテスタの校正手順
• JJG(电子) 310003-2006 半導体ディスクリートデバイス用容量パラメータテスターの校正手順
• JJG(电子) 04023-1989 BJ2970 高出力半導体トランジスタ TF テスターの校正規定

Professional Standard - Machinery, 半導体テストの原理

• JB/T 6307.1-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器アームペア
• JB/T 6307.2-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器単相ブリッジ
• JB/T 6307.3-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器三相ブリッジ
• JB/T 4219-1999 パワー半導体デバイス試験装置 型式命名方法
• JB/T 6307.4-1992 パワー半導体モジュールのテスト方法 バイポーラトランジスタアームとアームペア
• JB/T 6307.5-1994 パワー半導体モジュールの試験方法 バイポーラトランジスタ単相ブリッジと三相ブリッジ

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体テストの原理

• GJB 9147-2017 半導体集積回路オペアンプの試験方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体テストの原理

• ASTM E1161-95 半導体・電子部品の放射能検査方法
• ASTM D4325-20 非金属半導体および電気絶縁ゴムテープの標準試験方法
• ASTM F637-85(1994)e1 周囲 19 mm および 35 mm のテスト可能なテープキャリア接合半導体デバイスの物理的特性フォーマットおよびテスト方法の標準仕様
• ASTM D6095-12(2018) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法
• ASTM D6095-12(2023) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法
• ASTM D6095-06 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法
• ASTM D6095-12 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• CNS 6802-1980 半導体ロジックゲートマイクロ回路のノイズ限界のテスト手順
• CNS 8104-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの線形臨界電圧試験方法
• CNS 8106-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの飽和臨界電圧試験方法
• CNS 5751-1980 電子部品および半導体用途におけるセラミックの見掛け密度試験方法

CU-NC, 半導体テストの原理

• NC 34-54-1987 農業機械の原理。 トレーラーとセミトレーラー。 テスト認知方法論

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• JJF 1895-2021 半導体デバイス用直流・低周波パラメータ試験装置の校正仕様書

未注明发布机构, 半導体テストの原理

• BS IEC 62526:2007(2010) 半導体設計環境標準テストインターフェイス言語 (STIL) 拡張標準

ZA-SANS, 半導体テストの原理

• SANS 6281-1:2007 含油紙絶縁ケーブルの試験方法。 パート 1: 絶縁紙および半導体紙の試験
• SANS 6284-2:2007 架橋ポリエチレン (XLPE) 絶縁ケーブルの試験方法。 パート 2: 押出成形半導体シールドのテスト

AENOR, 半導体テストの原理

• UNE-EN 60749-2:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
• UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• UNE-EN 60749-30:2005 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング
• UNE-EN 60749-12:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 12 部: 振動、周波数変換
• UNE-EN 60749-10:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 10 部: 機械的衝撃

KR-KS, 半導体テストの原理

• KS C IEC 60749-2-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 2: 低気圧
• KS C IEC 60749-21-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 21: はんだ付け性
• KS C IEC 60749-13-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩分雰囲気
• KS C IEC 60749-22-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 22: 接着強度
• KS C IEC 60749-6-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 6: 高温保管

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体テストの原理

• DB13/T 5120-2019 光通信用FPおよびDFB半導体レーザチップのDC性能試験仕様

Underwriters Laboratories (UL), 半導体テストの原理

• UL 2360-2000 半導体デバイス製造に使用されるプラスチックの可燃性特性を決定するための試験方法

AT-OVE/ON, 半導体テストの原理

• OVE EN IEC 63275-2:2021 半導体デバイス - 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 - 第 2 部: ボディダイオード動作によるバイポーラ劣化の試験方法 (IEC 47/2680/CDV) (英語版)

Professional Standard - Agriculture, 半導体テストの原理

• NY/T 1860.4-2010 農薬の物理的および化学的特性を決定するための試験ガイドライン パート 4: 技術材料の安定性

Professional Standard - Building Materials, 半導体テストの原理

• JC/T 2133-2012 半導体研磨液用シリカゾル中の不純物元素含有量の測定～誘導結合プラズマ発光分析法～

PL-PKN, 半導体テストの原理

• PN-EN IEC 60749-30-2021-05 E 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング (IEC 60749-30:2020)

その他：   半導体試験装置, 試験原理, ++++半導体テスト手順, 半導体のテスト手順, 半導体試験装置, 半導体検査, 半導体検査, 試験原理, パワー半導体試験, 半導体試験装置, 半導体テスト装置, 半導体テスト装置, 半導体 + テスト + 装置, 半導体テスト技術, 半導体テスト技術, 半導体の分析と試験, 半導体テストの原理, 半導体ケルビン試験原理, 半導体テスト分析, 半導体ケルビン試験原理.