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半導体テスト装置

半導体テスト装置は全部で 500 項標準に関連している。

半導体テスト装置 国際標準分類において、これらの分類：原子力工学、 半導体ディスクリートデバイス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 光ファイバー通信、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 ソフトウェア開発とシステム文書化、 無機化学、 放射線測定、 金属材料試験、 長さと角度の測定、 電気、磁気、電気および磁気測定、 半導体材料、 整流器、コンバータ、安定化電源、 電子機器用機械部品、 語彙、 グラフィックシンボル、 情報技術の応用、 総合電子部品、 プリント回路およびプリント回路基板、 電気機器部品、 電子および通信機器用の電気機械部品、 品質、 航空宇宙システムおよび操作装置、 送配電網、 電気および電子試験、 産業用オートメーションシステム、 抵抗器、 表面処理・メッキ、 断熱材、 ワイヤーとケーブル、 計測学と測定の総合、 農林、 真空技術、 情報技術用の言語、 ゴム・プラスチック製品、 消防、 プラスチック。


Professional Standard - Electron, 半導体テスト装置

  • SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 半導体ディスクリートデバイス試験システム検証規定
  • SJ/T 2215-2015 半導体フォトカプラの試験方法
  • SJ 2749-1987 半導体レーザーダイオードの試験方法
  • SJ 2214.1-1982 半導体感光管の試験方法の一般原則
  • SJ/T 11394-2009 半導体発光ダイオードの試験方法
  • SJ 20788-2000 半導体ダイオードの熱インピーダンス試験方法
  • SJ 2355.1-1983 半導体発光デバイスの試験方法 一般原則
  • SJ 2215.1-1982 半導体フォトカプラのテスト方法の一般原則
  • SJ 20787-2000 半導体ブリッジ整流器の熱抵抗試験方法
  • SJ/T 11399-2009 半導体発光ダイオードチップの検査方法
  • SJ/T 11405-2009 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • SJ 2355.5-1983 半導体発光素子の試験方法 常光強度および半値角の試験方法
  • SJ 2065-1982 半導体デバイス製造に使用される拡散炉の試験方法
  • SJ 2355.6-1983 半導体発光素子の試験方法 光束の試験方法
  • SJ 2355.4-1983 半導体発光素子の試験方法 接合容量の試験方法
  • SJ/T 2214-2015 半導体フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
  • SJ 2355.3-1983 半導体発光素子の試験方法 逆電流試験方法
  • SJ 2355.2-1983 半導体発光素子の試験方法 順方向電圧降下試験方法
  • SJ/T 10482-1994 半導体の深いエネルギー準位の過渡静電容量 試験方法
  • SJ 20026-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
  • SJ 2214.3-1982 半導体フォトダイオードの暗電流試験方法
  • SJ 2214.5-1982 半導体フォトダイオードの接合容量の試験方法
  • SJ 2214.8-1982 半導体フォトトランジスタの暗電流試験方法
  • SJ 2658.1-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 一般原理
  • SJ 2658.4-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 静電容量の試験方法
  • SJ 2355.7-1983 半導体発光素子の試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ 2658.13-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの温度係数の試験方法
  • SJ 2214.2-1982 半導体フォトダイオードの順方向電圧降下試験方法
  • SJ 2214.7-1982 半導体フォトトランジスタの飽和電圧降下試験方法
  • SJ 2214.10-1982 半導体フォトダイオードおよび三極管の光電流のテスト方法
  • SJ 2658.2-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順電圧降下試験方法
  • SJ 2658.3-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 逆電圧試験方法
  • SJ 2215.6-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）接合容量の試験方法
  • SJ 2215.8-1982 半導体光カプラの出力飽和電圧降下試験方法
  • SJ/T 11818.1-2022 半導体 UV 発光ダイオード パート 1: 試験方法
  • SJ 2658.7-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 放射束の試験方法
  • SJ 2658.10-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 変調ブロードバンドの試験方法
  • SJ 2658.12-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ 2215.14-1982 半導体光カプラの入出力間絶縁耐圧試験方法
  • SJ 2757-1987 高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法
  • SJ 2215.3-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電流試験方法
  • SJ 2214.4-1982 半導体フォトダイオードの逆耐圧試験方法
  • SJ 2215.4-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆電流試験方法
  • SJ 2215.10-1982 半導体フォトカプラの直流電流伝達率の試験方法
  • SJ 2215.12-1982 半導体光カプラの入出力間の絶縁容量の試験方法
  • SJ/T 10735-1996 半導体集積回路の基本原理 TTL回路の試験方法
  • SJ/T 10736-1996 半導体集積回路のHTL回路試験法の基本原理
  • SJ/T 10737-1996 半導体集積回路ECL回路の試験方法の基本原理
  • SJ/T 10741-2000 半導体集積回路CMOS回路の検査方法の基本原理
  • SJ/T 10741-1996 半導体集積回路CMOS回路の検査方法の基本原理
  • SJ 2215.2-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電圧降下試験方法
  • SJ 2215.13-1982 半導体光カプラの入出力間絶縁抵抗試験方法
  • SJ 2658.6-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの試験方法
  • SJ 2658.8-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 正常放射輝度の試験方法
  • SJ 2658.9-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 放射強度および半値角の空間分布の試験方法
  • SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法
  • SJ 2658.11-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 インパルス応答特性の試験方法
  • SJ/T 10880-1996 半導体集積オーディオ回路のステレオデコーダ試験方法の基本原理
  • SJ/T 10804-2000 半導体集積回路 レベルコンバータ試験法の基本原理
  • SJ/T 10805-2000 半導体集積回路 電圧比較器の試験方法の基本原理
  • SJ 2215.5-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆耐圧試験方法
  • SJ 2215.9-1982 半導体フォトカプラ（トランジスタ）の逆方向遮断電流の試験方法
  • SJ/T 10882-1996 半導体集積回路リニアアンプの試験方法の基本原理
  • SJ/T 10803-1996 半導体集積インターフェース回路線の回路試験方法の基本原理
  • SJ/T 11820-2022 半導体ディスクリートデバイスのDCパラメータ試験装置の技術要件と測定方法
  • SJ 2214.9-1982 半導体フォトダイオードおよびトランジスタのパルス立ち上がり時間および立ち下がり時間の試験方法
  • SJ/T 10739-1996 半導体集積回路MOSランダムアクセスメモリのテスト方法の基本原理

British Standards Institution (BSI), 半導体テスト装置

  • BS EN IEC 63364-1:2022 半導体デバイスIoTシステムに使用される半導体デバイスの音変化検出試験方法
  • BS EN 62007-2:2000 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス.測定方法
  • BS EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス。 測定方法
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半導体デバイス モノのインターネット システムで使用する半導体デバイス パート 1 音声変化検出のテスト方法
  • BS IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブル伸縮性半導体デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
  • BS IEC 62951-7:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイス フレキシブル有機半導体フィルムカプセル化のバリア特性を特性評価するための試験方法
  • BS IEC 62951-6:2019 半導体デバイスおよび伸縮性半導体デバイスのフレキシブル導電フィルムのシート抵抗の試験方法
  • BS IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト MOSFET の高速 BTI テスト
  • BS EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半導体デバイスの機械的規格化 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外観分類
  • BS IEC 62951-1:2017 半導体デバイスのフレキシブル基板上の導電膜のフレキシブル伸縮性半導体デバイスの曲げ試験方法
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 半導体デバイス 半導体デバイスのウェーハレベル信頼性銅ストレスマイグレーション試験方法
  • 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 34-1 パワー半導体モジュールのパワーサイクル試験
  • BS EN 62007-1:2000 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な評価と特性
  • BS IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法バイアス温度不安定性試験方法
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験パート 1. 迅速 BTI 試験方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半導体デバイス金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1. 迅速 BTI テスト方法
  • BS IEC 60747-18-3:2019 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの流体流特性 流体システムを備えたパッケージモジュール
  • BS IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイス 半導体センサー 表面弾性波による紫外線、照度、温度測定用集積センサーの試験方法
  • BS IEC 62951-9:2022 抵抗性メモリユニットの半導体デバイスのフレキシブル伸縮性半導体デバイス-トランジスタ-抵抗器(1T1R)の性能試験方法
  • BS IEC 62880-1:2017 半導体デバイスのストレスマイグレーション試験規格 - 銅ストレスマイグレーション試験規格
  • BS ISO 18257:2016 航空宇宙システム 航空宇宙アプリケーション用の半導体集積回路 設計要件
  • BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
  • BS EN 60749-34:2010 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パワーサイクル
  • BS EN 60749-6:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 高温保管
  • BS EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 中性子照射
  • PD ES 59008-4-1:2001 半導体チップのデータ要件 特定の要件と推奨事項 テストと品質
  • BS EN 62047-3:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械装置、引張試験用フィルム標準試験片
  • BS IEC 60747-18-1:2019 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの校正試験方法とデータ分析
  • IEC TR 63357:2022 自動車用半導体デバイスの故障試験方法の標準化ロードマップ
  • BS EN 60749-39:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • BS IEC 62951-8:2023 半導体デバイスの柔軟性と伸縮性 半導体デバイスの伸縮性、柔軟性、安定性のフレキシブル抵抗メモリ試験方法
  • BS IEC 62830-5:2021 エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル熱電デバイスの発電電力を測定する試験方法
  • BS EN 62047-4:2010 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、微小電気機械システム (MEMS) の一般仕様
  • BS EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
  • BS IEC 62830-4:2019 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル圧電エネルギーハーベスティングデバイスの試験および評価方法
  • BS EN 60749-9:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法マーキングの永続性
  • BS EN 60749-3:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 外部外観検査
  • BS IEC 63284:2022 半導体装置窒化ガリウムトランジスタ誘導性負荷スイッチの信頼性試験方法
  • BS EN 60749-29:2011 半導体デバイス、機械的および耐気候性の試験方法、ラッチアップ効果の試験
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半導体デバイスの信頼性試験方法 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ パート 1. バイアス温度不安定性試験方法
  • BS EN 60749-4:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 湿熱、定常状態、高度加速ストレス試験 (HAST)
  • BS EN 60749-5:2017 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 定常状態温度湿度バイアス寿命試験
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス・光電子デバイス・発光ダイオード・LED効率試験方法
  • BS EN IEC 60749-18:2019 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 電離放射線 (総線量)
  • 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16 BGA、LGA、FBGA、FLGA 用の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 5 フレキシブル熱電デバイスの発電量を測定するための試験方法
  • BS EN 60749-26:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
  • BS EN 60749-26:2014 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
  • BS IEC 62526:2007 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張標準
  • BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法

Association Francaise de Normalisation, 半導体テスト装置

  • NF EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス - IDO システム用半導体デバイス - パート 1: 音響変化検出テスト方法
  • NF EN 62415:2010 半導体デバイス – 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
  • NF EN 62416:2010 半導体デバイス – MOS トランジスタのホットキャリア試験
  • NF C53-228:1989 半導体コンバータ、無停電電源装置用スイッチ
  • NF EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 パート 44: 半導体デバイスの中性子線単一事象効果 (SEE) 試験方法
  • NF EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
  • NF EN 62418:2011 半導体デバイス - メタライゼーション応力によって引き起こされるテストキャビティ
  • NF EN 60191-4/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ構造のコーディング体系と形状分類
  • NF EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ構造のコーディング体系と形状分類
  • NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 第 44 部: 半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージの符号化方式の分類とパッケージ外形形状
  • NF EN 60749-29:2012 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 29: ラッチアップ試験
  • NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 9: 微小電気機械システム シリコン ウェーハのシリコン接合強度試験。
  • NF C53-225:1985 直流高圧送電用半導体真空管の試験
  • NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部: 微小電気機械システムの内蔵材料の線熱膨張係数の試験方法
  • NF C86-503:1986 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、フォトトランジスタ、太陽電池複合トランジスタおよび光電子半導体回路、空白の詳細仕様書 CESS 20 003
  • NF C83-282:1987 電子部品の統一品質評価システム 半導体過電圧制限用可変抵抗器
  • NF EN 60749-8:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 8: シーリング
  • NF EN 60749-1:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 1: 概要
  • NF EN 60749-21:2012 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 21: はんだ付け性
  • NF EN 60749-2:2002 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 2: 低気圧
  • NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
  • NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
  • NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • NF C86-411:1987 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、薄膜ハイブリッド集積回路、サブ仕様
  • NF EN 62047-12:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第12回：微小電気機械システム構造の利用（半導体デバイス）
  • NF EN 60749-6:2017 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 6: 高温保管
  • NF EN 60749-25:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 25: 温度サイクル
  • NF EN 60749-34:2011 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 34: 電源の入れ直し
  • NF EN IEC 60749-13:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩水雰囲気
  • NF EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - 第 17 部: 中性子照射

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体テスト装置

  • GB/T 11685-2003 半導体X線検出器システムおよび半導体X線エネルギー分析装置の測定方法
  • GB/T 31359-2015 半導体レーザーの試験方法
  • GB/T 42835-2023 半導体集積回路システムオンチップ（SoC）
  • GB/T 5201-1994 荷電粒子半導体検出器の試験方法
  • GB/T 1550-1997 外部半導体材料の導電型の試験方法
  • GB/T 13974-1992 半導体チューブ特性図形測定器試験方法
  • GB/T 6616-2023 半導体ウエハの比抵抗や半導体膜のシート抵抗を非接触で検査する渦電流法
  • GB/T 42975-2023 半導体集積回路ドライバの試験方法
  • GB/T 10236-2006 半導体コンバータと電源システム間の互換性と干渉保護に関するガイドライン
  • GB/T 42838-2023 半導体集積回路ホール回路の試験方法
  • GB/T 43061-2023 半導体集積回路PWMコントローラの試験方法
  • GB/T 42676-2023 半導体単結晶結晶品質検査X線回折法
  • GB/T 36477-2018 半導体集積回路のフラッシュメモリのテスト方法
  • GB/T 4377-2018 半導体集積回路のボルテージレギュレータの試験方法
  • GB/T 15653-1995 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
  • GB/T 43040-2023 半導体集積回路AC/DCコンバータの試験方法
  • GB/T 42970-2023 半導体集積回路のビデオエンコード・デコード回路の試験方法
  • GB/T 14862-1993 半導体集積回路パッケージの接合部からケースまでの熱抵抗試験方法
  • GB/T 14028-1992 半導体集積回路のアナログスイッチ試験方法の基本原理
  • GB/T 14030-1992 半導体集積回路の時間ベースの回路試験方法の基本原理
  • GB/T 42848-2023 半導体集積回路ダイレクトデジタル周波数シンセサイザ試験方法
  • GB 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法
  • GB 14030-1992 半導体集積回路の時間ベースの回路試験方法の基本原理
  • GB 14028-2018 半導体集積回路のアナログスイッチ試験方法の基本原理
  • GB/T 6798-1996 半導体集積回路の電圧比較器の試験方法の基本原理
  • GB/T 4377-1996 半導体集積回路のボルテージレギュレータの試験方法の基本原理
  • GB/T 14031-1992 半導体集積回路のアナログフェーズロックループ試験法の基本原理
  • GB/T 14032-1992 半導体集積回路のデジタルフェーズロックループ試験法の基本原理
  • GB/T 14029-1992 半導体集積回路のアナログ乗算器の試験方法の基本原理
  • GB 14029-1992 半導体集積回路のアナログ乗算器の試験方法の基本原理
  • GB 14031-1992 半導体集積回路のアナログフェーズロックループ試験法の基本原理
  • GB 14032-1992 半導体集積回路のデジタルフェーズロックループ試験法の基本原理
  • GB/T 4326-2006 固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法
  • GB 4326-1984 固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法
  • GB/T 15136-1994 半導体集積回路の基本原理 クォーツ時計の回路検査方法
  • GB/T 43226-2023 航空宇宙用途で使用される半導体集積回路のシングルイベントソフトエラータイムドメインテスト方法

ES-UNE, 半導体テスト装置

  • UNE-EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス モノのインターネットシステムに使用される半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
  • UNE-EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • UNE-EN 62416:2010 半導体デバイスMOSトランジスタのホットキャリア試験
  • UNE-EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • UNE-EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
  • UNE-EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
  • UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
  • UNE-EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外形形式の分類
  • UNE-EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
  • UNE-EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外形形状の分類
  • UNE-EN 62047-11:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部：微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • UNE-EN IEC 60749-13:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 13 部: 塩分雰囲気
  • UNE-EN 60749-21:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
  • UNE-EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-16 部：BGA、LGA、FBGA、FLGA の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集 (IEC 60191-6-16:2007)
  • UNE-EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • UNE-EN IEC 60749-17:2019 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第17部：中性子照射
  • UNE-EN IEC 60749-12:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 12 部: 振動周波数の換算

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体テスト装置

  • IEC 63364-1:2022 半導体デバイス IoT システム用半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
  • IEC 62416:2010 半導体デバイス - Mos トランジスタのホットキャリアテスト
  • IEC 62007-2:1997 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類
  • IEC 62007-2:1999 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
  • IEC 60749-44:2016 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 パート 44: 中性子線照射のシングルイベント影響 (参照) 半導体デバイスの試験方法
  • IEC 60191-4:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスの包装形態の分類とコーディング体系
  • IEC 60191-4:1987 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスの包装形態の分類とコーディング体系
  • IEC 60191-4:1999 半導体デバイスの機械的規格化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 60191-4:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 60191-4:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法 修正 1
  • IEC 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • IEC 60333:1993 原子力機器半導体荷電粒子検出器のテスト手順
  • IEC 62047-9:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 9: 微小電気機械システムシリコンウェーハのシリコンウェーハ接合強度試験
  • IEC 62047-9:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 9: 微小電気機械システムシリコンウェーハのシリコンウェーハ接合強度試験
  • IEC 60191-4/AMD1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類1の分類・付番体系の変更
  • IEC 60191-4/AMD2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスの包装形態の分類及びコーディング体系 修正2
  • IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系 修正1
  • IEC 62951-9:2022 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス 第9部：1トランジスタ1抵抗（1T1R）抵抗メモリユニットの性能試験方法
  • IEC 60747-18-3:2019 半導体デバイス パート 18-3: 半導体バイオセンサー 流体システムを備えたレンズレス CMOS フォトニック アレイ センサー コンポーネントの流体の流れ特性
  • IEC 60146-5:1988 半導体コンバータ 第5部 無停電電源装置スイッチ(UPSスイッチ)
  • IEC 60146-4:1986 半導体コンバータ パート 4: 無停電電源システムの性能およびテスト要件を指定する方法
  • IEC 62830-5:2021 半導体デバイス エネルギー収集および生成用の半導体デバイス パート 5: フレキシブル熱電デバイスによって生成される電力を測定するための試験方法
  • IEC 62880-1:2017 半導体デバイス - ストレスマイグレーションテスト規格 - パート 1 - 銅ストレスマイグレーションテスト規格
  • IEC 60749-13:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩分雰囲気
  • IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • IEC 60749-39:2021 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • IEC 62007-1:1999 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性。
  • IEC 62007-1:1997 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
  • IEC 60749-34:2010 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パート 34: 電源の再投入
  • IEC 60596:1978 半導体放射線検出器およびシンチレーションカウンティング試験法の用語の定義

American National Standards Institute （ANSI), 半導体テスト装置

  • ANSI/EIA 370-B:1992 半導体デバイスの命名制度
  • ANSI/IEEE 300:1988 半導体荷電粒子検出器のテスト手順
  • ANSI/ASTM D6095:2012 圧縮成形された交差接続された熱可塑性半導体、導体および絶縁シールド材料の体積抵抗を縦方向に測定するための試験方法
  • ANSI/UL 2360-2004 半導体デバイスの製造に使用されるプラスチックの可燃性特性を測定するための試験方法

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体テスト装置

HU-MSZT, 半導体テスト装置

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体テスト装置

  • GB/T 36005-2018 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法
  • GB/T 14028-2018 半導体集積回路のアナログスイッチの試験方法
  • GB/T 35006-2018 半導体集積回路レベルコンバータの試験方法
  • GB/T 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法

CZ-CSN, 半導体テスト装置

  • CSN 35 1540-1979 パワー半導体コンバータの試験
  • CSN IEC 749:1994 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
  • CSN 35 8760-1973 半導体。 ツェナーダイオード。 電圧温度係数測定
  • CSN 35 6575 Z1-1997 半導体X線分光計の標準試験手順
  • CSN 35 1601-1980 パワー半導体デバイス。 一般的な技術要件。 試験方法
  • CSN 35 8785-1975 半導体装置。 バラクタダイオード。 熱容量係数の測定
  • CSN IEC 596:1994 半導体放射線検出器とシンチレーションカウンティングの試験法用語の解説
  • CSN 35 6553 Z1-1997 半導体電離放射線検出器用のアンプおよびプリアンプ。 試験方法

RO-ASRO, 半導体テスト装置

  • STAS 11066/2-1980 半導体カセットフローチューブ。 試験方法
  • STAS 6693/2-1975 半導体装置。 トランジスタ。 電子性能試験方法
  • STAS CEI 191-4-1992 半導体デバイスの機械的標準化。 第 4 部：コーディング体系と半導体デバイスパッケージング外形への分類

Defense Logistics Agency, 半導体テスト装置

IN-BIS, 半導体テスト装置

  • IS 7412-1974 半導体デバイスの寿命試験
  • IS 9816-1981 半導体デバイステストの一般要件と分類
  • IS 12641-1989 半導体デバイスおよび集積回路の環境試験手順
  • IS 12737-1988 半導体X線エネルギー分光計の標準試験手順

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体テスト装置

  • T/SHDSGY 113-2022 RFフロントエンド半導体テストソフトウェア
  • T/ZACA 041-2022 ミックスドシグナル半導体デバイス試験装置
  • T/ZZB Q041-2022 ミックスドシグナル半導体デバイス試験装置
  • T/CASAS 011.1-2021 車載グレードの半導体パワーデバイスのテストおよび認証仕様
  • T/CASAS 011.2-2021 車載グレードの半導体パワーモジュールのテストおよび認証仕様
  • T/GVS 005-2022 半導体装置用絶対電圧容量薄膜真空計の比較方法の試験仕様書

YU-JUS, 半導体テスト装置

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体テスト装置

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体テスト装置

  • YD/T 2001.2-2011 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: テスト方法
  • YD/T 701-1993 半導体レーザーダイオードの組立て試験方法

Danish Standards Foundation, 半導体テスト装置

  • DS/EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DS/EN 62416:2010 半導体デバイスMOSトランジスタのホットキャリア試験
  • DS/EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • DS/EN 60749-38:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 38 部: メモリを備えた半導体デバイスのソフトエラー試験方法
  • DS/EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • DS/EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
  • DS/EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
  • DS/EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法
  • DS/EN 60749-2:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
  • DS/EN 60749-21:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
  • DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DS/EN 60749-34:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • DS/EN 60749-25:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 25: 温度サイクル

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体テスト装置

  • EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • EN 62007-2:2000 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • EN 60749-29:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
  • EN 60749-34:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源サイクル

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体テスト装置

  • KS C 6045-1991(2001) 半導体整流ダイオードの試験方法
  • KS M 1804-2008(2018) 半導体の検査方法に使用されるフッ酸
  • KS C 6045-1986 半導体整流ダイオードの試験方法
  • KS C IEC 62007-2:2003 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • KS C 6565-2002 半導体加速度センサーの試験方法
  • KS C 6565-2002(2017) 半導体加速度センサーの試験方法
  • KS C IEC 62007-2-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • KS C 6520-2008 半導体プロセス部品のプラズマ耐摩耗性試験
  • KS C IEC 60759-2009(2019) 半導体X線分光計の標準試験手順
  • KS C IEC 62526-2015(2020) 半導体設計環境で使用する標準テストインターフェイス言語 (stil)
  • KS C IEC 62526:2015 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張
  • KS C IEC 60749-21:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 21: はんだ付け性
  • KS C IEC 60749-2:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 2: 低気圧
  • KS C IEC 60749-13:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 13: 塩分雰囲気
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体デバイス用有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • KS C IEC 61954:2002 送配電システム用パワーエレクトロニクス機器静的可変補償器用半導体バルブの試験
  • KS C IEC 62007-1:2003 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 基本的な定格と特性。
  • KS C IEC 60749-34:2006 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パート 34: 電源の再投入
  • KS C IEC 60749-6:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 6: 高温保管
  • KS C IEC 60749-22:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 22: 接着強度
  • KS C IEC 60749-34:2017 半導体デバイスの機械的および環境的試験方法 パート 34: パワーサイクル

German Institute for Standardization, 半導体テスト装置

  • DIN EN 62415:2010-12 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DIN EN 62416:2010-12 半導体デバイス - MOS トランジスタのホットキャリア試験
  • DIN 50448:1998 半導体プロセス材料の試験、容量性検出器を使用した半絶縁半導体スライスの抵抗率の非接触測定
  • DIN EN 62418:2010-12 半導体デバイス - メタライゼーション応力ボイド試験
  • DIN EN 60191-4:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ形状のコーディング体系と分類
  • DIN 50441-2:1998 半導体プロセス材料の試験 半導体チップの幾何学的寸法の測定 パート 2: 角のある断面の試験
  • DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査 半導体ウェーハの幾何学的寸法測定 パート 1: 厚さと厚さのばらつき
  • DIN 50441-5:2001 半導体技術のテスト 半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定 パート 5: 形状および平坦度の偏差の用語。
  • DIN EN 60749-44:2017-04 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 第44部：半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果（SEE）の試験方法
  • DIN EN 62007-2:2009-09 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • DIN EN 60749-38:2008-10 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 38: メモリを備えた半導体デバイスのソフト エラー テスト方法 (IEC 60749-38:2008)
  • DIN SPEC 1994:2017-02 半導体技術用材料の試験 弱酸中の陰イオンの測定
  • DIN EN 60749-29:2012-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
  • DIN EN 60191-6-16:2007-11 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
  • DIN EN IEC 63364-1:2023-10 半導体デバイス - モノのインターネット システム用半導体デバイス - パート 1: 音変化検出の試験方法 (IEC 47/2742/CDV:2021); ドイツ語版および英語版 prEN IEC 63364-1:2021 / 注: リリース日 2023-09 -29
  • DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験 赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定 パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
  • DIN EN 62047-11:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法
  • DIN EN 60749-8:2003-12 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
  • DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • DIN EN 60191-4:2019-02 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 4 部: 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系と包装形態の分類 (IEC 60191-4:2013 + A1:2018)
  • DIN EN 60749-21:2012-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 21 部: はんだ付け性
  • DIN EN IEC 60749-13:2018-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 13 部: 塩分雰囲気
  • DIN EN 62373:2007-01 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
  • DIN EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 パート 4: 半導体デバイスのパッケージングエンクロージャの形状のコーディングシステムと分類 (IEC 60191-4-2013) ドイツ語版 EN 60191-4-2014
  • DIN EN 60749-34:2011-05 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • DIN EN 60749-25:2004-04 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 25: 温度サイクル
  • DIN EN 60749-27:2013-04 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 27 部: 静電気放電
  • DIN EN 60749-6:2017-11 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 6 部: 高温保管
  • DIN EN 60749-22:2003-12 半導体デバイスの機械的及び気候的試験方法 第22部：接着強度
  • DIN EN IEC 60749-12:2018-07 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 12 部: 振動周波数の換算

工业和信息化部, 半導体テスト装置

  • SJ/T 2749-2016 半導体レーザーダイオードの試験方法
  • SJ/T 10805-2018 半導体集積回路の電圧比較器の試験方法
  • SJ/T 11702-2018 半導体集積回路のシリアルペリフェラルインターフェースのテスト方法
  • SJ/T 11706-2018 半導体集積回路フィールドプログラマブルゲートアレイの試験方法
  • SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009「半導体発光ダイオードの試験方法」アプリケーションガイド

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体テスト装置

  • GB/T 1550-2018 外部半導体材料の導電型の試験方法
  • GB/T 39771.2-2021 半導体発光ダイオードの光放射の安全性 第 2 部: 試験方法

Professional Standard - Aerospace, 半導体テスト装置

  • QJ 259-1977 半導体集積型安定化電源の試験方法
  • QJ 257-1977 半導体TTL集積デジタル回路の試験方法
  • QJ 1528-1988 半導体集積回路のタイムベース試験方法
  • QJ/Z 32-1977 半導体集積比較アンプの試験方法
  • QJ 260-1977 半導体集積位相感応整流回路の試験方法
  • QJ 1460-1988 半導体集積回路広帯域アンプの試験方法
  • QJ 2491-1993 半導体集積回路オペアンプの試験方法
  • QJ 1526-1988 半導体集積回路オペアンプの特殊パラメータの試験方法
  • QJ 2660-1994 半導体集積回路スイッチング電源パルス幅変調器の試験方法
  • QJ 3289-2007 地対空ミサイル無線周波数ホーミング誘導制御システムの半物理シミュレーション試験の要件と方法
  • QJ 3044-1998 半導体集積回路のデジタル/アナログコンバータおよびアナログ/デジタルコンバータの試験方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体テスト装置

  • EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • EN 60749-44:2016 半導体デバイスの機械的および気候学的試験方法 第 44 部: 半導体デバイスに対する中性子線照射のシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
  • EN 60749-29:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 29 部: ラッチアップ試験
  • EN 62047-9:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 9: 微小電気機械システム (MEMS) シリコン ウェーハのシリコン接着強度試験
  • EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法
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