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二次回折解析

二次回折解析は全部で 220 項標準に関連している。

二次回折解析 国際標準分類において、これらの分類:分析化学、 粒度分析、スクリーニング、 非鉄金属、 耐火物、 化学製品、 語彙、 空気の質、 半導体材料、 放射線防護、 無機化学、 光学機器、 光学および光学測定、 労働安全、労働衛生、 セラミックス、 建材、 塗料とワニス、 非破壊検査、 発電所総合、 非金属鉱物、 有機化学、 教育する、 塗料成分、 ゴムやプラスチックの原料、 テレビ放送とラジオ放送、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 無線通信。


PT-IPQ, 二次回折解析

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 二次回折解析

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 二次回折解析

  • GB/T 19077.1-2003 粒度分析レーザー回折法
  • GB/T 19077-2016 粒度分析レーザー回折法
  • GB/T 19501-2013 マイクロビーム解析の一般原理 電子後方散乱回折解析法
  • GB/T 19501-2004 電子後方散乱回折分析法の一般原則
  • GB/T 30703-2014 マイクロビーム解析ガイドライン 後方散乱電子回折方位解析手法
  • GB/T 18907-2013 マイクロビーム解析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、選択電子回折分析法
  • GB 16355-1996 X線回折装置および蛍光分析装置の放射線防護基準
  • GB/T 19421.1-2003 層状結晶性二ケイ酸ナトリウムの試験方法 デルタ相の定性分析 層状結晶性二ケイ酸ナトリウム X 線回折法
  • GB/T 18907-2002 透過型電子顕微鏡による電子回折分析法を採用
  • GB/T 19077.1-2008 粒子径分析、レーザー回折法、パート 1: 一般原理
  • GB/T 30904-2014 無機化学製品の結晶構造解析のためのX線回折法
  • GB/T 21782.13-2009 粉体塗料 パート 13: レーザー回折による粒子サイズ分析
  • GB/T 38532-2020 マイクロビーム分析 電子後方散乱回折 平均粒径の決定
  • GB/T 6609.32-2009 アルミナの化学分析法と物性測定法 第32回 α-アルミナ含有量の測定 X線回折法
  • GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次イオン質量分析 シリコン中のヒ素の深さプロファイリング方法
  • GB/T 32698-2016 レーザー回折法によるゴム配合物中の沈降含水シリカの粒度分布の測定
  • GB/T 26019-2010 高不純物タングステン鉱石の化学分析法 三酸化タングステン含有量の定量 二次分離強熱重量法

KR-KS, 二次回折解析

  • KS A ISO 13320-2022 粒子径分析、レーザー回折法
  • KS M ISO 8130-13-2019 コーティングされた粉末 - パート 13: レーザー回折による粒子サイズ分析
  • KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析・二次イオン質量分析・シリコン中のホウ素深さ分布測定場法
  • KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下の化学分析 - 二次イオン質量分析 - シリコン中に均一に添加されたホウ素原子の濃度の測定方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 二次回折解析

  • JIS Z 8825:2013 粒子径分析、レーザー回折法
  • JIS Z 8825:2022 粒度分析レーザー回折法
  • JIS K 0131:1996 X線回折装置測定分析通則
  • JIS Z 8825-1:2001 粒子径分析、レーザー回折法、パート 1: 一般原理
  • JIS K 0164:2023 シリコン中のホウ素の深さ分析のための表面化学分析二次イオン質量分析法
  • JIS K 0157:2021 表面化学分析、二次イオン質量分析、通過時間二次イオン質量分析計の質量スケールの校正
  • JIS A 1481-3:2014 建材製品中のアスベストの測定その3:X線回折によるアスベスト含有量の定量分析
  • JIS K 0168:2011 表面化学分析 - 静的二次イオン質量分析のための情報フォーマット
  • JIS K 0158:2021 表面化学分析、二次イオン質量分析法、シングルイオンカウンティング動的二次イオン質量分析法における飽和強度の補正方法。
  • JIS K 0153:2015 表面化学分析 二次イオン質量分析 静的二次イオン質量分析における相対強度範囲の再現性と安定性
  • JIS K 5600-9-3:2006 コーティングの試験方法 パート 9: コーティングパウダー セクション 3: レーザー回折による粒子サイズ分析
  • JIS A 1481-3 AMD 1:2022 建材製品中のアスベストの定量 その3:X線回折によるアスベスト含有量の定量分析(修正1)
  • JIS K 0155:2018 表面化学分析 二次イオン質量分析 単一イオンカウンティング飛行時間型質量分析装置における強度スケールの直線性

Danish Standards Foundation, 二次回折解析

British Standards Institution (BSI), 二次回折解析

  • BS ISO 13320:2020 粒度分析レーザー回折法
  • BS ISO 13320:2010 粒度分析 レーザー回折法
  • BS ISO 13320:2009 粒度分析 - レーザー回折法
  • 19/30333249 DC BS ISO 13320 粒子サイズ分析のためのレーザー回折法
  • BS ISO 13320-1:2000 粒度分析、レーザー回折法、一般規則
  • BS ISO 25498:2018 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • BS EN ISO 8130-13:2010 粉体塗料 レーザー回折による粒度分析
  • BS EN ISO 8130-13:2001 レーザー回折を使用した粉体塗料の粒径分析
  • BS ISO 16258-2:2015 職場の空気 X 線回折を用いた呼吸可能な石英の分析 間接分析法
  • BS EN ISO 8130-13:2019 レーザー回折によるコーティング粉末の粒度分析
  • BS ISO 13067:2011 マイクロビーム分析、反射電子回折、平均粒径測定
  • BS ISO 13067:2020 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 平均粒径の測定
  • BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次イオン質量分析 分析 飛行時間型二次イオン質量分析 質量スケール校正
  • BS ISO 23749:2022 マイクロビーム分析による鋼中のオーステナイトの定量的測定 後方散乱電子回折
  • BS EN 15305:2008 非破壊検査 X線回折による残留応力解析の検査方法
  • BS ISO 24173:2009 マイクロビーム解析、後方散乱電子回折を使用した方位角測定の基準
  • BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次イオン質量分析分析 アルゴンクラスタースパッタリングにおける収量の決定方法 有機材料の深さプロファイリング
  • BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次イオン質量分析分析 シングルイオンカウンティング 動的二次イオン質量分析 飽和強度補正法
  • BS ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • 19/30365236 DC BS ISO 13067 マイクロビーム分析 後方散乱電子回折 平均粒径の測定
  • BS ISO 12406:2010 表面化学分析、二次イオン質量分析、シリコン中のヒ素の深さプロファイリング。
  • 21/30398224 DC BS ISO 23749 マイクロビーム分析による後方散乱電子回折による鋼中のオーステナイトの定量的測定
  • BS EN 12698-2:2007 炭化ケイ素耐火物に結合した窒化物の化学分析 光線回折 (XRD) 法
  • 23/30435799 DC BS ISO 24173 マイクロビーム分析による後方散乱電子回折を使用した配向測定のガイド
  • BS ISO 23703:2022 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 (EBSD) によるオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷を評価するための方向ずれ解析ガイド
  • BS ISO 16258-1:2015 職場の空気 X 線回折を使用した呼吸可能な石英の分析 直接濾過法
  • BS ISO 13084:2011 表面化学分析 二次イオン質量分析 飛行時間型二次イオン質量分析用の質量スケールの校正
  • BS 3900-J13:2001 塗料の試験方法 塗料粉体の試験 レーザー回折法による粒子径の分析
  • BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深さプロファイリング 単層膜および多層膜の X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さ分析におけるスパッタリング率の決定方法...
  • 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析の深さプロファイリング X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、単イオンおよび二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さ分析におけるスパッタリング率の決定方法...
  • 21/30395106 DC BS ISO 23703 マイクロビーム解析電子後方散乱回折 (EBSD) によるオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷の評価のための誤方位解析ガイド
  • BS ISO 22048:2004 界面化学分析用の静的二次イオン質量分析の情報フォーマット
  • BS ISO 17109:2015 表面化学分析、深さプロファイリング、単層膜および多層膜を使用した、X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さプロファイリングにおけるスパッタリング率を決定する方法。
  • BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次イオン質量分析分析 単一イオン計数における強度スケーリングの直線性 飛行時間型質量分析装置
  • 20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次イオン質量分析法 単一イオン計数飛行時間型質量分析装置における強度スケールの直線性

German Institute for Standardization, 二次回折解析

工业和信息化部, 二次回折解析

  • YS/T 1178-2017 アルミニウムスラグの相分析 X線回折法
  • YB/T 172-2020 X線回折法による珪石れんがの定量相分析
  • YS/T 1160-2016 工業用シリコン粉末の定量相分析 シリカ含有量の定量 X線回折K値法
  • YS/T 1344.3-2020 錫ドープ酸化インジウム粉末の化学分析法その3:相分析X線回折分析法

International Organization for Standardization (ISO), 二次回折解析

  • ISO 13320:2020 粒度分析 - レーザー回折法
  • ISO 13320:2009 粒子微細度分析 レーザー回折法
  • ISO/CD 23699 マイクロビーム解析—後方散乱電子回折—語彙
  • ISO 16258-2:2015 職場の空気 X 線回折による吸入性結晶質シリカの分析 パート 2: 間接分析法
  • ISO/CD 25498:2023 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • ISO 13067:2011 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、平均粒径測定
  • ISO 13320-1:1999 粒子径分析のためのレーザー回折法パート 1: 一般原理
  • ISO 16258-1:2015 職場の空気 X 線回折による吸入性結晶質シリカの分析 その 1: 直接濾過法
  • ISO 23749:2022 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、鋼中のオーステナイトの定量
  • ISO 13067:2020 マイクロビーム分析 - 電子後方散乱回折 - 平均粒径の測定
  • ISO 8130-13:2001 粉体塗料 パート 13: レーザー回折を使用した粒度分析
  • ISO 8130-13:2019 コーティングされた粉末 - パート 13: レーザー回折による粒子サイズ分析
  • ISO 24173:2009 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折を使用した指向性測定ガイド
  • ISO/DIS 24173:2023 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折を使用した配向測定ガイド
  • ISO 13084:2011 表面化学分析 二次イオン質量分析 飛行時間型二次イオン質量分析計の質量スケールの校正
  • ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO 25498:2018 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO 12406:2010 表面化学分析、二次イオン質量分析、シリコン中のヒ素の深さプロファイリング。
  • ISO 23703:2022 マイクロビーム解析電子後方散乱回折 (EBSD) を使用したオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷評価のための方位解析ガイド
  • ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次イオン質量分析 - シリコン中のシリコンを深く分析する方法
  • ISO 22048:2004 表面化学分析 - 静的二次イオン質量分析情報フォーマット
  • ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次イオン質量分析 - 飛行時間型二次イオン質量分析計用の質量分析計の校正
  • ISO 17109:2015 表面化学分析、深さプロファイリング、単層膜および多層膜を使用した、X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さプロファイリングにおけるスパッタリング率を決定する方法。
  • ISO 20411:2018 表面化学分析、二次イオン質量分析、単一イオンカウンティング動的二次イオン分析における飽和強度の補正方法。
  • ISO 22415:2019 表面化学分析、二次イオン質量分析、有機材料のアルゴンクラスタースパッタリング深さプロファイルによる収量体積の決定方法。
  • ISO 178:1975 表面化学分析、二次イオン質量分析、単一イオン計数飛行時間型質量分析装置における強度スケーリングの直線性。
  • ISO 17862:2022 表面化学分析、二次イオン質量分析、単一イオン計数飛行時間型質量分析装置における強度スケーリングの直線性。
  • ISO 17862:2013 表面化学分析 - 二次イオン質量分析 - 単一イオン計数飛行時間型質量分析装置における強度スケーリングの直線性
  • ISO 178:2019 表面化学分析、二次イオン質量分析、単一イオン計数飛行時間型質量分析装置における強度スケーリングの直線性。

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, 二次回折解析

  • YB/T 172-2000 珪石れんがの定量相分析。 X線回折法
  • YB/T 5320-2006 X線回折K値法による金属材料の相定量分析
  • YB/T 5336-2006 X線回折法を用いたハイス中の炭化物相の定量分析

American National Standards Institute (ANSI), 二次回折解析

Association Francaise de Normalisation, 二次回折解析

  • NF X43-600-2*NF ISO 16258-2:2015 X線回折による職場空気の吸入性結晶性シリカの分析その2:間接分析法
  • NF ISO 24173:2009 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折方位測定ガイド
  • NF X11-666:1984 粒度測定 粉末の粒度分析 回折法
  • NF X21-014:2012 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、平均粒子径の測定
  • NF T30-499-13*NF EN ISO 8130-13:2019 コーティングパウダー パート 13: レーザー回折粒度分析
  • NF EN 15305:2009 非破壊検査 X線回折残留応力解析試験方法
  • NF X43-600-1*NF ISO 16258-1:2015 X線回折による職場空気の吸入性結晶質シリカの分析その1:直接ろ過法
  • NF EN ISO 8130-13:2019 コーティング用粉末 - パート 13: レーザー回折粒度分析
  • NF T25-111-6:1991 炭素繊維 - テクスチャと構造 - パート 6: 選択領域回折分析
  • NF X21-011*NF ISO 24173:2009 マイクロビーム分析のための電子後方散乱回折方向測定のガイド
  • NF T25-111-3:1991 炭素繊維 - 組織と構造 - パート 3: X 線回折の方位角分析
  • NF ISO 16258-2:2015 職場空気中の X 線回折による結晶質シリカの呼吸可能成分の測定パート 2: 間接分析法
  • NF T30-499-13:2011 粉体塗料 パート 13: レーザー回折による粒子サイズ分析。
  • NF ISO 16258-1:2015 作業場空気X線回折法による結晶性シリカの吸入性フラクションの測定その1:直接ろ過分析法
  • NF A09-185*NF EN 15305:2009 非破壊検査 - X線回折による残留応力解析の検査方法
  • NF A09-285:1999 非破壊検査 X線回折による残留応力解析の検査方法
  • NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次イオン質量分析 厚さ分析によるシリコン中のホウ素量の決定
  • NF B49-422-2*NF EN 12698-2:2008 窒化物結合炭化ケイ素耐火物の化学分析 パート 2: X 線回折 (XRD) 法。
  • NF ISO 23830:2009 表面化学分析 二次イオン質量分析 二次イオン静的質量分析における相対強度スケーリングの再現性と安定性
  • NF ISO 14237:2010 表面化学分析 均一にドープされた材料を使用したシリコン内のホウ素原子線量の二次イオン質量分析分析

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 二次回折解析

  • GB/T 36923-2018 真珠粉の識別方法 X線回折分析
  • GB/T 41076-2021 マイクロビーム分析による鋼中のオーステナイトの定量分析電子後方散乱回折
  • GB/T 40407-2021 ポルトランドセメントクリンカーの鉱物相のX線回折分析法
  • GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次イオン質量分析 飛行時間型二次イオン質量分析計 質量校正
  • GB/T 40109-2021 表面化学分析 シリコン中のホウ素の深さ分析のための二次イオン質量分析法
  • GB/T 20724-2021 マイクロビーム分析 収束ビーム電子回折 薄い結晶の厚さの測定
  • GB/T 41064-2021 表面化学分析 深さ方向プロファイリング 単層膜および多層膜を使用した X 線光電子分光法、オージェ電子分光法および二次イオン質量分析法における深さ方向プロファイリングのスパッタリング率を決定する方法

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 二次回折解析

  • GB/T 34172-2017 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折 金属・合金の位相解析法

Standard Association of Australia (SAA), 二次回折解析

  • AS 4863.1:2000 粒子サイズ分析。 レーザー回折法。 一般原理

Occupational Health Standard of the People's Republic of China, 二次回折解析

  • GBZ 115-2002 X線回折装置および蛍光分析装置の衛生保護基準

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, 二次回折解析

ES-UNE, 二次回折解析

CEN - European Committee for Standardization, 二次回折解析

European Committee for Standardization (CEN), 二次回折解析

  • EN ISO 8130-13:2010 粉体塗料 レーザー回折による粒度分析
  • EN 12698-2:2007 窒化物結合炭化ケイ素耐火物の化学分析その2:X線回折(XRD)法
  • EN 15305:2008 非破壊検査 X 線回折を用いた残留応力解析の試験方法 正誤表の組み込み - 2009 年 1 月

RU-GOST R, 二次回折解析

  • GOST R ISO 16258-1-2017 X線回折による職場空気の吸入性結晶性シリカの分析その1. 直接ろ過法
  • GOST R ISO 13067-2016 測定の一貫性を確保するための国家システム マイクロビーム分析 後方散乱電子回折 平均粒子径の測定

Professional Standard - Petroleum, 二次回折解析

  • SY/T 5163-1995 堆積岩中の粘土鉱物の相対含有量のX線回折分析法
  • SY/T 5163-2010 堆積岩中の粘土鉱物および一般的な非粘土鉱物のX線回折分析法
  • SY/T 6210-1996 堆積岩中の全粘土鉱物と一般非粘土鉱物のX線回折定量分析法

未注明发布机构, 二次回折解析

Lithuanian Standards Office , 二次回折解析

AENOR, 二次回折解析

  • UNE-EN 15305:2010 非破壊検査用X線回折による残留応力解析の試験方法
  • UNE-EN ISO 8130-13:2011 粉体塗料パート 13: レーザー回折による粒子サイズ分析 (ISO 8130-13:2001)

Professional Standard - Electricity, 二次回折解析

  • DL/T 1151.22-2012 火力発電所におけるスケール生成物および腐食生成物の分析方法 第22部:蛍光X線分析法とX線回折分析法

Professional Standard - Customs, 二次回折解析

  • HS/T 12-2006 X線回折法によるタルク、亜塩素酸塩、マグネサイト混合相の定量分析

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., 二次回折解析

American Society for Testing and Materials (ASTM), 二次回折解析

  • ASTM E3294-22 粉末X線回折による地質物質の法医学分析のための標準ガイド
  • ASTM E3340-22 粉末材料のレーザー回折粒度分析法の開発のための標準ガイド
  • ASTM E3294-23 粉末X線回折による地質物質の法医学分析のための標準ガイド
  • ASTM UOP709-70 ダブルインジェクション技術を使用したガスクロマトグラフィー
  • ASTM D5380-93(2003) X線回折分析によるコーティング中の結晶性顔料および増量剤の同定のための標準試験方法
  • ASTM D5380-93(2021) X線回折分析によるコーティング中の結晶性顔料および増量剤の同定のための標準試験方法
  • ASTM C1365-06(2011) 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグステージ比を決定するための標準試験方法
  • ASTM C1365-06 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグステージ比を決定するための標準試験方法
  • ASTM C1365-98 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグの段階比率を決定するための標準試験方法
  • ASTM C1365-98(2004) 粉末X線回折分析によるポルトランドセメントおよびポルトランドセメントスラグの段階比率を決定するための標準試験方法

国家能源局, 二次回折解析

  • SY/T 5163-2018 堆積岩中の粘土鉱物および一般的な非粘土鉱物のX線回折分析法

Professional Standard - Petrochemical Industry, 二次回折解析

  • SH/T 1612.8-2005 工業用精製テレフタル酸の粒度分布測定 レーザー回折法

Professional Standard - Education, 二次回折解析

  • JY/T 0588-2020 単結晶X線回折装置を用いた低分子化合物の結晶および分子構造解析の一般原理
  • JY/T 008-1996 円単結晶 X 線回折装置を使用した低分子化合物の結晶および分子構造解析の一般原理。

International Telecommunication Union (ITU), 二次回折解析

  • ITU-R BT.1122-2011 SDTV および HDTV 伝送および二次配信システム用のコーデックに関するユーザー要件
  • ITU-R BT.1122-1 FRENCH-1995 SDTV、HDTV、および階層化コーディング方式の伝送および二次配信システムに対するユーザー要件
  • ITU-R BT.1122-1-1995 SDTV、HDTV、同期符号化方式の伝送および二次配信システムに対するユーザー要件

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, 二次回折解析

  • ITU-R BT.1122-1994 SDTV HDTV および階層化コーディング方式の送信および二次配信システムに対するユーザー要件
  • ITU-R BT.1122-3-2019 SDTV HDTV UHDTV および HDR-TV 伝送および二次配信システムのコーデックに関するユーザー要件

AIAG - Automotive Industry Action Group, 二次回折解析

  • MSA ERTA-2010 測定システム分析 (MSA) 正誤表 (第 4 版、第 2 刷、MSA-4 正誤表)

国家广播电影电视总局, 二次回折解析

  • GY/T 287-2014 送信および二次配信時のデジタル テレビ信号のコーディングおよびデコーディングの技術要件

Professional Standard - Aerospace, 二次回折解析

  • QJ 962-1986 二酸化ジルコニウムの立方晶相(安定相)含有量のX線分析法

Professional Standard - Electron, 二次回折解析

  • SJ/T 10553-2021 電子セラミックス用二酸化ジルコニウム中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10552-2021 電子セラミックス用二酸化チタン中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10552-1994 電子セラミックス用二酸化チタン中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10553-1994 電子セラミックス用二酸化ジルコニウム中の不純物の発光スペクトル分析方法




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