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半導体装置

半導体装置は全部で 195 項標準に関連している。

半導体装置 国際標準分類において、これらの分類：航空機と宇宙船の統合、 半導体ディスクリートデバイス、 電子および通信機器用の電気機械部品、 電子機器用機械部品、 整流器、コンバータ、安定化電源、 語彙、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 電気工学総合、 総合電子部品、 コンデンサ、 電子機器、 長さと角度の測定、 機械の安全性、 産業用オートメーションシステム、 通信システム。


Defense Logistics Agency, 半導体装置

CZ-CSN, 半導体装置

  • CSN 35 8720 Cast.1-1987 半導体装置。 サイズ
  • CSN 35 8756-1973 半導体装置。 トランジスタのYパラメータの測定
  • CSN IEC 749:1994 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
  • CSN 35 8742-1973 半導体装置。 トランジスタ。 遮断電流の測定
  • CSN 35 8754-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡出力アドミッタンス測定
  • CSN 35 8737-1975 半導体装置。 ダイオード。 微分抵抗の測定
  • CSN IEC 748-1:1993 半導体装置。 集積回路。 パート 1: 一般規定
  • CSN 35 8759-1977 半導体装置。 トランジスタ。 スイッチング時間の測定方法
  • CSN 35 8971 Cast.1-1984 半導体装置。 マスクベースとマスクの名前と定義
  • CSN 35 8731-1975 半導体装置。 ダイオード。 直流順電圧の測定
  • CSN 35 8763-1973 半導体装置。 ダイオード。 逆耐電圧の測定
  • CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 8: 電界効果トランジスタ
  • CSN 35 8785-1975 半導体装置。 バラクタダイオード。 熱容量係数の測定
  • CSN IEC 748-3:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 3: アナログ集積回路
  • CSN IEC 748-2:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 2: デジタル集積回路
  • CSN IEC 748-4:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 4: インターフェース集積回路
  • CSN 35 8733-1975 半導体装置。 ダイオード。 逆電圧（動作電圧）の測定
  • CSN 35 8764-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復時間の測定。
  • CSN 35 8765-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復電荷の測定
  • CSN 35 8761-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測定
  • CSN 35 8762-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測定
  • CSN 35 8752-1976 半導体装置。 トランジスタ。 ベース接地出力容量の測定方法
  • CSN 35 8797 Cast.1 IEC 747-1 Z2:1996 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 1: 一般規定
  • CSN 35 8749-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡順方向伝達アドミッタンスの絶対値の測定
  • CSN IEC 747-10:1994 半導体装置。 パート 10: ディスクリートデバイスおよび集積回路の一般仕様
  • CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 2: 整流ダイオード
  • CSN IEC 747-3-2:1991 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とツェナー ダイオード
  • CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とレギュレーター ダイオード
  • CSN 35 8746-1973 半導体装置。 トランジスタ。 順電流伝達率の絶対値と周波数fT、fh21b、fh21eの測定
  • CSN 35 8745-1973 半導体装置。 トランジスタ。 高周波における開放逆電圧伝達率と時間係数の測定
  • CSN IEC 748-20:1993 半導体装置。 集積回路。 第20部 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様

SE-SIS, 半導体装置

BE-NBN, 半導体装置

British Standards Institution (BSI), 半導体装置

  • BS IEC 60747-14-3:2009 半導体装置、半導体センサー、圧力センサー
  • BS EN 60747-15:2012 半導体装置、ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
  • BS EN IEC 62435-3:2020 電子部品、電子半導体装置のデータの長期保存
  • BS EN 62435-1:2017 電子部品・電子半導体装置の長期保管の概要
  • BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
  • 18/30367158 DC BS EN 62435-3 電子部品および電子半導体装置の長期保管 パート 3. データ
  • 20/30424473 DC BS EN 62435-9 電子部品および電子半導体装置の長期保管 パート 9. 特殊な場合
  • BS EN 60204-33:2011 機械の安全性 機械の電気設備 半導体製造装置の要求事項
  • BS EN 60749-44:2016 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 半導体デバイスの中性子線照射によるシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
  • BS EN 62047-13:2012 半導体装置、マイクロ電気機械デバイス、MEMS 構造の接着強度を測定するための曲げおよびせん断タイプの試験方法。

YU-JUS, 半導体装置

  • JUS N.A3.500-1980 半導体装置。 グラフィックシンボル
  • JUS N.E5.240-1991 低電圧ヒューズ。 半導体装置を保護するヒューズに関する補足要件

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体装置

  • GB/T 15872-1995 半導体装置の電源インターフェース
  • GB/T 15872-2013 半導体装置の電源インターフェース
  • GB/T 24468-2009 半導体装置の信頼性、可用性、保守性（RAM）の定義と測定仕様
  • GB/T 13539.4-2016 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • GB/T 13539.4-2005 低電圧ヒューズ パート 4; 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • GB/T 13539.4-2009 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体装置

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体装置

  • JEDEC JESD30E-2008 半導体装置包装表示法
  • JEDEC JEP104C.01-2003 半導体装置のアルファベット記号リファレンスガイド
  • JEDEC JESD31D-2010 商業用および軍用半導体装置の販売業者に対する一般要件
  • JEDEC JESD31D.01-2012 商業用および軍用半導体装置の販売業者に対する一般要件
  • JEDEC JESD57-1996 重イオン放射線に曝露された半導体デバイスのシングルイベント効果測定のテスト手順
  • JEDEC JESD89A-2006 アルファ粒子と地球宇宙光の測定と送信は、半導体デバイスの軽微なエラーにつながります
  • JEDEC JESD419A-1980 半導体装置の仕様および登録フォーマットに使用される数値規格のリスト EIA RS-419-A 旧 RS-419 の改訂版

工业和信息化部, 半導体装置

  • SJ/T 11762-2020 半導体装置の製造情報ラベルの要件
  • SJ/T 11761-2020 200mm以下のウエハ用半導体製造装置のロードポート仕様

IN-BIS, 半導体装置

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体装置

  • EN IEC 63244-1:2021 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体装置 パート 1: 一般要件と仕様
  • EN 62047-20:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 20 部: ジャイロスコープ
  • EN 62047-5:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • EN 62047-5:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • EN 62047-19:2013 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 19: 電子コンパス
  • EN 62047-4:2010 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 4: MEMS 一般仕様
  • EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 3: 車載センサー向けの衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • EN 60749-34:2010 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • EN 62779-2:2016 半導体デバイス - 人体通信用の半導体インターフェース パート 2: インターフェース性能の特性評価
  • EN IEC 60749-10:2022 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント
  • EN 60269-4:2009/A2:2016 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • EN 60269-4:2009 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • EN 62047-7:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 7: 無線周波数制御と選択のための MEMS BAW フィルタとデュプレクサ
  • EN IEC 60749-37:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
  • EN IEC 60749-30:2020 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング

Association Francaise de Normalisation, 半導体装置

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体装置

  • IEC 63244-1:2021 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体装置 パート 1: 一般要件と仕様
  • IEC 60747-5-6:2016 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 60747-5-6:2021 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体装置の長期保管 その4: 保管
  • IEC 60747-5-7:2016 半導体装置、パート 5-7: オプトエレクトロニクス装置、フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
  • IEC 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その2 劣化のメカニズム
  • IEC 60269-4:2012 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置保護用ヒューズの補足要件
  • IEC 60269-4:2006 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
  • IEC 60748-3:1986/AMD2:1994/COR1:1996 訂正事項 1 から修正事項 2 まで 半導体デバイス集積回路パート 3: アナログ集積回路
  • IEC 60269-4/AMD2:2002 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクに関する補足要件 修正 2
  • IEC 60749-37:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
  • IEC 60747-17:2021 正誤表 1 半導体装置パート 17: 基礎絶縁および強化絶縁用の磁気カプラおよび容量カプラ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体装置

BELST, 半導体装置

  • STB 2340-2013 半導体装置用冷却ラジエーターの一般仕様
  • STB 2365-2014 半導体装置の冷却用ラジエーターの計算方法

RO-ASRO, 半導体装置

  • STAS 6693/2-1975 半導体装置。 トランジスタ。 電子性能試験方法
  • STAS 12258/5-1986 オプトエレクトロニクス半導体。 装備品の展示。 用語と基本的な特徴
  • STAS 7128/1-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 一般的なルール
  • STAS 7128/9-1980 半導体装置および集積回路。 ユニジャンクショントランジスタのパラメータ記号
  • STAS 7128/6-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 サイリスタの記号
  • STAS 12258/4-1986 光電子半導体装置。 発光ダイオードの用語と主な特徴
  • STAS 7128/4-1971 半導体装置および集積回路。 トンネルダイオードのテキストシンボル
  • STAS 12124/1-1982 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 静電気パラメータの測定方法
  • STAS 7128/5-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 整流ダイオードの記号
  • STAS 12123/4-1984 半導体デバイス用可変容量ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS 7128/2-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バイポーラトランジスタのシンボル
  • STAS 7128/8-1986 半導体デバイスや集積回路のアルファベット記号。 電界効果トランジスタのシンボル
  • STAS 12124/3-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
  • STAS 12124/4-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
  • STAS 7128/11-1985 半導体デバイスおよび集積回路のテキスト シンボル。 デジタル集積回路のシンボル
  • STAS 7128/10-1984 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 アナログ集積回路パラメータのシンボル
  • STAS 7128/7-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バラクタおよびミキサ ダイオードの記号
  • STAS 7128/12-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電圧リファレンスとツェナー ダイオードの記号
  • STAS 7128/3-1985 テキスト記号。 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電力信号ダイオードのシンボル
  • STAS 12123/3-1983 半導体デバイスの基準電圧ダイオードおよび電圧調整ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS 12123/2-1983 スイッチングダイオードなど、半導体デバイス用の小電力信号用ダイオードの電気的特性の測定方法
  • SR CEI 748-11-1-1992 半導体装置。 集積回路。 第11部：その1：ハイブリッド回路以外の半導体集積回路の内部外観検査

Standard Association of Australia （SAA）, 半導体装置

  • AS 1852.521:1988 国際的な電気技術用語、半導体装置および集積回路

PL-PKN, 半導体装置

  • PN T01208-01-1992 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 用語とアルファベット記号
  • PN T01501 ArkusZ4-1973 半導体装置。 電界効果トランジスタパラメータのアルファベット記号

Danish Standards Foundation, 半導体装置

  • DS/EN 62047-5:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • DS/EN 62047-19:2013 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 19: 電子コンパス
  • DS/EN 62047-4:2010 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 4: MEMS 一般仕様
  • DS/EN 60749-34:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • DS/EN 62047-9:2011 半導体デバイス用微小電気機械デバイス 第9回 MEMSのウェハ間接合強度の測定
  • DS/EN 60269-4:2010 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • DS/EN 60269-4/A1:2012 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • DS/EN 60749-14:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 14: 終端の堅牢性 (リードの完全性)
  • DS/EN 62047-7:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 7: 無線周波数制御と選択のための MEMS BAW フィルタとデュプレクサ
  • DS/EN 60749-37:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
  • DS/EN 60749-30/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • DS/EN 60749-30:2005 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング

AT-OVE/ON, 半導体装置

  • OVE EN IEC 63244-1:2020 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用半導体装置 パート 1: 一般要件および仕様 (IEC 47/2653/CDV) (英語版)
  • OVE EN IEC 60747-5-5:2021 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ ((IEC 60747-5-5:2020) EN IEC 60747-5-5:2020) (ドイツ語版)
  • OVE EN IEC 60749-10:2021 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント (IEC 47/2692/CDV) (英語版)

RU-GOST R, 半導体装置

  • GOST R IEC 748-11-1-2001 半導体デバイス集積回路 第 11 部: 第 1 節: ハイブリッド回路を含まない半導体デバイス集積回路の内部外観検査
  • GOST 31196.4-2012 低電圧ヒューズ リンク パート 4. 半導体装置保護のためのヒューズ リンクの補足要件

AENOR, 半導体装置

  • UNE 20700-11:1991 半導体装置パート 11: ディスクリートデバイスの部分仕様
  • UNE-EN 60269-4:2011/A2:2017 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • UNE-EN 60269-4:2011/A1:2013 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., 半導体装置

  • NAS4118-1996 ヒートシンク電気電子部品半導体機器固定用クリップタイプ

PT-IPQ, 半導体装置

  • NP 2626-521-2001 国際的な電気用語。 第521章：半導体装置と集積回路

Aerospace Industries Association, 半導体装置

  • AIA NAS 4118-1996 ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置、保持クリップタイプ
  • AIA NAS 4123-1995 デュアルインラインパッケージ（DIP）ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体装置

  • IEEE Std 1687-2014 半導体デバイスの組み込み機器のアクセスと制御に関する IEEE 標準
  • IEEE 1687-2014 半導体デバイスに組み込まれた機器の取得と制御 (IEEE Computer Society)
  • IEEE P1687/D1.62, September 2013 半導体デバイスに組み込まれた機器のアクセスと制御に関する IEEE ドラフト標準
  • IEEE P1687/D1.71, March 2014 半導体デバイスの組み込み機器のアクセスと制御に関するIEEE承認の草案標準

American National Standards Institute （ANSI), 半導体装置

  • ANSI/EIA 401:1973 パワー半導体デバイス用の紙誘電体コンデンサおよび紙/フィルム誘電体コンデンサ

SAE - SAE International, 半導体装置

Lithuanian Standards Office , 半導体装置

  • LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
  • LST EN 62047-5-2011 半導体装置 微小電気機械装置 パート 5: RF MEMS スイッチ (IEC 62047-5:2011)
  • LST EN 62047-1-2006 半導体装置 微小電気機械装置 パート 1: 用語と定義 (IEC 62047-1:2005)
  • LST EN IEC 60747-5-5:2020 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)
  • LST EN 60747-16-3-2003/A1-2009 半導体機器パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器 (IEC 60747-16-3:2002/A1:2009)
  • LST EN IEC 60749-15:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 15: スルーホール実装デバイスのはんだ付け温度耐性 (IEC 60749-15:2020)
  • LST EN IEC 60747-17/AC:2021 半導体機器パート 17: 基本絶縁および強化絶縁用の磁気および容量性カプラ (IEC 60747-17:2020/COR1:2021)
  • LST EN 60749-5-2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 5: 定常状態の温度湿度バイアス寿命試験 (IEC 60749-5:2003)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体装置

  • GB/T 5226.33-2017 機械的および電気的安全性 機械的および電気的機器 第 33 部: 半導体装置の技術的条件

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体装置

  • PAS 62240-2001 メーカー指定の温度範囲外での半導体デバイスの使用 (バージョン 1.0)

ES-UNE, 半導体装置

TH-TISI, 半導体装置

  • TIS 2114-2002 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件

German Institute for Standardization, 半導体装置

  • DIN EN 60269-4:2008 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • DIN EN 62047-20:2015 半導体装置 微小電気機械装置 パート 20: ジャイロスコープ (IEC 62047-20:2014)、ドイツ語版 EN 62047-20:2014
  • DIN EN IEC 60747-5-5:2021 半導体機器パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)、ドイツ語版 EN IEC 60747-5-5:2020
  • DIN EN 60749-21:2012 半導体装置、機械的および気候試験方法、パート 21: はんだ付け性 (IEC 60749-21-2011)、ドイツ語版 EN 60749-21-2011
  • DIN EN 60749-29:2012 半導体装置、機械的および気候試験方法、パート 29: 封じ込め試験 (IEC 60749-29-2011)、ドイツ語版 EN 60749-29-2011

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体装置

  • EN 60269-4:2007 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体装置

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 半導体装置

  半導体試験装置, 半導体加熱冷却処理装置, 半導体層, 半導体装置, 半導体装置, 半導体試験装置, 半導体製造装置, 半導体真空装置, 半導体試験装置モデル, 半導体装置の封止, 半導体 + テスト + 装置, 半導体環境試験装置, 半導体装置パラメータ, 電子半導体装置, 半導体装置の封止, 半導体装置保護用ヒューズリンク, 半導体製造装置（安全）, 半導体製造装置（機械安全）, 半導体装置, 半導体照明装置およびシステム.

 



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