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반도체층 재료

모두 179항목의 반도체층 재료와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체층 재료와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 전선 및 케이블, 반도체 개별 장치, 반도체 소재, 절연유체, 금속 재료 테스트, 종합 전자 부품, 인쇄 회로 및 인쇄 회로 기판, 절단 도구, 포괄적인 테스트 조건 및 절차, 어휘, 스포츠 장비 및 시설, 시험, 표면 처리 및 도금, 건물 구성요소, 씰, 씰링 장치, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 길이 및 각도 측정, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 고무 및 플라스틱 제품, 분석 화학, 도체 재료, 단열재, 전송 및 배전망, 잉크, 잉크, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 플라스틱, 페인트 및 바니시, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 섬유제품.


Group Standards of the People's Republic of China, 반도체층 재료

  • T/CAS 374-2019 정격전압 26/35kV 이상의 압출절연 전력케이블용 반도체 완충층 소재
  • T/SHPTA 071.2-2023 고전압 케이블 액세서리용 고무 소재 2부: 반도체 고무 소재
  • T/CASME 798-2023 반도체 재료용 특수 가공 공구
  • T/SHDSGY 135-2023 신에너지 반도체 실리콘 웨이퍼 소재 기술
  • T/HTSJ 012-2023 반조립식 합성 표면 스포츠 표면
  • T/ICMTIA CM0035-2023 반도체 실리콘 소재 가공 장비용 씰링 가스켓
  • T/CEEIA 610-2022 정격전압 110kV 이상 전력케이블의 완충층용 반도체 테이프
  • T/CNIA 0143-2022 반도체 재료의 미량 불순물 분석을 위한 초순수 수지 용기
  • T/SHPTA 014.2-2021 정격 전압이 6kV ~ 35kV인 전력 케이블용 변성 폴리프로필렌 절연재 및 반도전성 차폐재 제2부: 정격 전압이 6kV ~ 35kV인 폴리프로필렌 절연 전력 케이블용 반도전성 차폐재
  • T/SDAS 243-2021 정격전압 35kV 이하 압출절연케이블용 반도전성 차폐재

British Standards Institution (BSI), 반도체층 재료

  • BS IEC 62047-31:2019 반도체 소자 및 미세 전자기계 소자용 적층형 MEMS 재료의 계면 접착 에너지에 대한 4점 굽힘 시험 방법
  • BS IEC 62899-203:2018 인쇄전자재료 반도체 잉크
  • BS IEC 62899-202-4:2021 인쇄전자재료용 전도성 잉크의 신축성 인쇄층(도전층 및 절연층) 특성 측정 방법
  • BS IEC 62899-202-5:2018 인쇄 전자 재료 전도성 잉크 절연 기판에 인쇄된 전도성 층의 기계적 굽힘 테스트
  • BS IEC 62899-202-10:2023 인쇄 전자 재료의 열성형 전도성 층의 저항 측정 방법
  • BS EN 61249-5-4:1997 코팅 및 비코팅 전도성 포일 및 필름 전도성 잉크에 대한 상호 연결 구조 재료 하위 사양
  • BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
  • BS IEC 62951-4:2019 반도체 소자 유연 및 신축성 반도체 소자 유연한 반도체 소자 기판 위의 유연한 전도성 필름의 피로 평가
  • BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • BS EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 인장 시험 방법
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 인쇄 전자 부품 203 재료 반도체 잉크
  • BS EN 62047-10:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS 재료의 마이크로 컬럼 압축 테스트
  • BS EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 MEMS 재료에 대한 포아송 비 테스트 방법
  • BS EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 축 피로 테스트 방법
  • BS EN 61249-8-8:1997 상호 연결 구조 재료용 비전도성 필름 및 코팅에 대한 하위 사양 세트 임시 폴리머 코팅
  • BS ISO 4525:2003 금속도금 플라스틱 재료에 니켈+크롬 전기도금
  • DD ENV 61112-2002 전기 절연 재료 코팅
  • 18/30369151 DC BS EN 62899-202-7 인쇄 전자 부품 202-7 재료 전도성 잉크 유연한 기판에 인쇄된 전도성 층의 박리 강도 측정
  • BS EN 62047-14:2012 반도체 소자, 마이크로 모터 소자, 금속박막재료의 성형한계 측정방법.
  • BS IEC 62899-202:2016 인쇄 전자 기술 재료 전도성 잉크

German Institute for Standardization, 반도체층 재료

  • DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
  • DIN 50448:1998 반도체 공정 재료 테스트 용량성 검출기를 사용하여 반절연 반도체 슬라이스의 비저항 측정
  • DIN VDE 0472-512:1985 케이블, 전선 및 절연 도체에 대한 테스트 보호 전선과 반도체 층 사이의 저항
  • DIN 50446:1995 반도체 공정 재료 검사 실리콘 결정 에피층의 결함 유형 및 결함 밀도 결정
  • DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
  • DIN EN 62047-2:2007-02 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DIN EN 62047-10:2012-03 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
  • DIN EN 62047-18:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • DIN 50455-1:2009-10 반도체 기술 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 광학적 방법을 통한 코팅 두께 결정
  • DIN SPEC 1994:2017-02 반도체 기술용 재료 테스트 약산의 음이온 측정
  • DIN 50441-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 반도체 칩의 기하학적 치수 측정 2부: 각도 단면 테스트
  • DIN 50455-1:2009 반도체 기술에 사용되는 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 코팅 두께의 광학적 결정
  • DIN EN 62047-2:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DIN EN 62047-6:2010-07 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • DIN 50965:2020 전기도금 코팅된 철 및 구리 재료에 주석 코팅
  • DIN 50965:2020-04 전기도금 코팅된 철 및 구리 재료에 주석 코팅
  • DIN 53100:2007 금속 코팅 플라스틱 재료에 니켈-크롬 전기도금 코팅 및 구리-니켈-크롬 전기도금 코팅
  • DIN EN 61249-5-4:1997 조인트 구성용 재료 5부: 코팅이 있거나 없는 전도성 포일 및 필름에 대한 사양 섹션 4: 전도성 잉크
  • DIN 50449-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 적외선 흡수를 통한 반도체의 불순물 함량 측정 2부: 갈륨비소 내 붕소

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체층 재료

  • GB/T 14264-1993 반도체 재료 용어
  • GB/T 14264-2009 반도체 재료 용어
  • GB/T 1550-1997 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 31469-2015 반도체 소재 절삭유
  • GB/T 14844-1993 반도체 재료등급 표현방법
  • GB/T 6616-2023 반도체 웨이퍼의 저항률 및 반도체 필름의 면저항을 테스트하기 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 3048.3-1994 전선 및 케이블의 전기적 특성 시험 방법 반도체 고무 및 플라스틱 재료의 체적 저항률 시험
  • GB/T 3048.3-2007 전선 및 케이블의 전기적 특성 테스트 방법 3부: 반도체 고무 및 플라스틱 재료의 체적 저항률 테스트
  • GB/T 6616-1995 반도체 실리콘 웨이퍼 저항률 및 실리콘 박막 시트 저항 측정을 위한 비접촉 와전류 방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체층 재료

  • GB/T 1550-2018 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 14844-2018 반도체 재료등급 표현방법
  • GB/T 36646-2018 질화물 반도체 재료 제조를 위한 수소화물 기상 에피택시 장비

Society of Automotive Engineers (SAE), 반도체층 재료

SAE - SAE International, 반도체층 재료

Professional Standard - Electron, 반도체층 재료

  • SJ/T 11067-1996 적외선탐지재료 중 반도체광전자재료와 초전재료의 공통용어
  • SJ/T 11775-2021 반도체 소재 다선 절단기
  • SJ/Z 3206.13-1989 반도체 재료의 방출 스펙트럼 분석 방법에 대한 일반 원리
  • SJ 20744-1999 반도체 재료의 불순물 함량에 대한 적외선 흡수 분광 분석에 대한 일반 지침
  • SJ/T 10175-1991 반도체 집적 회로용 다층 세라믹 듀얼 인라인 인클로저의 세부 사양

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체층 재료

  • IEC 62899-203:2018 인쇄전자부품 203: 재료반도체잉크
  • IEC 62047-31:2019 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 31부: 적층형 MEMS 재료의 계면 결합 에너지에 대한 4점 굽힘 시험 방법
  • IEC 62951-5:2019 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 5부: 유연한 재료의 열적 특성 테스트 방법
  • IEC 62899-202-5:2018 인쇄 전자 부품 202-5: 재료의 인쇄된 전도성 층의 기계적 굽힘 테스트 절연 기판의 전도성 잉크
  • IEC 62899-202-10:2023 인쇄 전자 장치 파트 202-10: 재료 열성형 전도성 층의 저항을 측정하는 방법
  • IEC 62899-202-4:2021 인쇄전자부품 202-4: 재료의 신축성 인쇄층의 특성(전도성 및 절연성) 측정 방법 전도성 잉크
  • IEC 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • IEC 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • IEC 62047-6:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • IEC 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법

RO-ASRO, 반도체층 재료

HU-MSZT, 반도체층 재료

KR-KS, 반도체층 재료

Indonesia Standards, 반도체층 재료

Association Francaise de Normalisation, 반도체층 재료

  • NF EN 62047-14:2012 반도체 소자 미세 전자기계 소자 14부: 금속층 재료의 형성 한계 측정 방법
  • NF A91-113:2004 비자성 전도성 물질의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
  • NF EN 62047-2:2006 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • NF C93-784*NF EN 61249-5-4:1997 상호 연결 구조용 재료 5부: 코팅 또는 코팅되지 않은 전도성 포일 및 필름에 대한 하위 사양 세트 섹션 4: 전도성 잉크
  • NF EN 61249-5-4:1997 인터커넥트 구조 재료 5부: 코팅 및 코팅되지 않은 전도성 포일 및 필름에 대한 중간 사양 수집 4부: 전도성 잉크
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 10: MEMES 재료의 미소극 압축 테스트
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • NF EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 6부: 박막 재료의 축방향 피로 시험 방법
  • NF EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • NF ISO 10677:2011 반도체 광촉매 재료 테스트용 기술 세라믹 UV 광원

RU-GOST R, 반도체층 재료

  • GOST 22622-1977 반도체 재료, 기본 전기 및 물리적 매개변수, 용어 및 정의
  • GOST 22265-1976 전도성 재료 용어 및 정의
  • GOST 34395-2018 페인트 재료의 전도성 기판에 있는 유전체 코팅의 연속성 검사를 위한 스파크 테스트 방법

Professional Standard - Machinery, 반도체층 재료

  • JB/T 6819.3-1993 계측기 재료 용어 저항 재료, 전도성 재료 및 전기 접점 재료
  • JB/T 8320-1996 전력 반도체 소자 기술용 코팅 석영 유리관
  • JB/T 3578-2007 슬라이딩 가이드 레일용 에폭시 코팅 재료 일반 기술 원리
  • JB/T 3578-1991 슬라이딩 가이드 레일용 에폭시 코팅 재료의 일반 기술 원리
  • JB/T 8175-1999 전력 반도체 장치용 프로파일 방열판 전체 치수
  • JB/T 5781-1991 전력 반도체 소자용 프로파일 라디에이터의 기술 조건
  • JB/T 10738-2007 정격전압 35kV 이하 압출절연케이블용 반도전성 차폐재

Danish Standards Foundation, 반도체층 재료

  • DS/EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기판 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
  • DS/EN 62047-10:2011 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 10: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
  • DS/EN 62047-2:2007 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DS/EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • DS/ISO 4525:1987 금속 피복층. 플라스틱 소재에 니켈과 크롬 도금
  • DS/EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법

Underwriters Laboratories (UL), 반도체층 재료

AT-ON, 반도체층 재료

International Organization for Standardization (ISO), 반도체층 재료

  • ISO 4525:1985 금속 도금 플라스틱 소재의 니켈 도금에 크롬 도금
  • ISO 4525:2003 금속도금 플라스틱 재료에 니켈+크롬 전기도금

Lithuanian Standards Office , 반도체층 재료

  • LST EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기본 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법(ISO 2360:2003)

AENOR, 반도체층 재료

  • UNE-EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기본 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법(ISO 2360:2003)

Standard Association of Australia (SAA), 반도체층 재료

  • AS 1406:2004 전해 코팅 플라스틱 재료에 장식용 니켈 전기 도금 및 크롬 전기 도금

IEC - International Electrotechnical Commission, 반도체층 재료

  • IEC 62047-31:2017 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 31부: 적층 MEMS 재료의 인터페이스 접착 에너지에 대한 4점 굽힘 테스트 방법(버전 1.0)

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체층 재료

  • DB61/T 1250-2019 SiC(탄화규소) 재료 반도체 디스크리트 장치에 대한 일반 사양

IETF - Internet Engineering Task Force, 반도체층 재료

  • RFC 5705-2010 TLS(전송 계층 보안)를 위한 주요 자료 수출업체

YU-JUS, 반도체층 재료

  • JUS C.T7.125-1991 금속 코팅. 플라스틱 소재에 니켈+크롬 도금
  • JUS N.C0.036-1980 이동식 로프 및 케이블 테스트. 절연저항측정, 반도체층저항, 표면저항

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체층 재료

ES-UNE, 반도체층 재료

  • UNE-EN 62047-10:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
  • UNE-EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • UNE-EN ISO 2360:2018 비자성 전도성 모재의 비전도성 코팅의 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
  • UNE-EN 62047-6:2010 반도체 장치 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • UNE-EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송 비 테스트 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체층 재료

  • JIS H 8630:2006 장식용 플라스틱 재료의 전기도금
  • JIS C 5630-2:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • JIS C 5630-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • JIS C 5630-6:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법

American National Standards Institute (ANSI), 반도체층 재료

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체층 재료

  • ASTM D6095-99 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항률에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D3004-02 압출 가교 및 열가소성 반도체, 도체 및 절연 차폐 재료에 대한 표준 사양
  • ASTM D3004-97 압출 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 차폐 재료에 대한 표준 사양
  • ASTM D3004-08(2020) 가교 및 열가소성 압출 반도체 도체 및 절연 차폐 재료에 대한 표준 사양
  • ASTM E977-84(1999) 전도성 재료의 열전 분류에 대한 표준 사례
  • ASTM E977-05(2019) 전도성 재료의 열전 분류에 대한 표준 사례
  • ASTM D6095-05 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항률에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D6095-06 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D6095-12 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법

AR-IRAM, 반도체층 재료

VN-TCVN, 반도체층 재료

  • TCVN 7664-2007 금속 코팅 플라스틱 소재에 니켈과 크롬을 더한 전기도금

ZA-SANS, 반도체층 재료

  • SANS 4525:2007 금속 도금. 플라스틱 소재에 니켈과 크롬 도금

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 반도체층 재료

  • EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료에 대한 푸아송 비 테스트 방법
  • EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • EN 62047-10:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: 미세 전자 기계 시스템(MEMS) 재료의 미세 기둥 압축 테스트

机械电子工业部, 반도체층 재료

  • JB 5781-1991 전력 반도체 소자용 프로파일 라디에이터의 기술 조건

SE-SIS, 반도체층 재료

VE-FONDONORMA, 반도체층 재료

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), 반도체층 재료

IPC - Association Connecting Electronics Industries, 반도체층 재료

FI-SFS, 반도체층 재료

Professional Standard - Textile, 반도체층 재료

  • FZ/T 01042-1996 직물 재료의 정전기 특성 정전기 전압 반감기 결정

GM North America, 반도체층 재료





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