반도체 재료 두께

모두 104항목의 반도체 재료 두께와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 재료 두께와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 금속 재료 테스트, 표면 처리 및 도금, 종합 전자 부품, 전선 및 케이블, 인쇄 회로 및 인쇄 회로 기판, 길이 및 각도 측정, 단열재, 어휘, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 비철금속, 비파괴 검사, 반도체 개별 장치, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 항공우주 제조용 재료, 내화물.

German Institute for Standardization, 반도체 재료 두께

DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
DIN 50455-1:2009-10 반도체 기술 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 광학적 방법을 통한 코팅 두께 결정
DIN 50441-4:1999 반도체 공정에 사용되는 재료 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 4부: 웨이퍼 직경, 직경 변화, 웨이퍼 직경, 웨이퍼 길이 및 웨이퍼 두께
DIN 50455-1:2009 반도체 기술에 사용되는 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 코팅 두께의 광학적 결정
DIN 50448:1998 반도체 공정 재료 테스트 용량성 검출기를 사용하여 반절연 반도체 슬라이스의 비저항 측정
DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
DIN EN ISO 2360:2017-12 비자성 전도성 모재의 비전도성 코팅 - 코팅 두께 측정 - 진폭에 민감한 와전류 방법(ISO 2360:2017)
DIN 50454-2:1994 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 반도체 단결정의 전위 부식 피트 밀도 측정 2부: 인듐 인화물
DIN 50454-3:1994 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 반도체 단결정의 전위 부식 피트 밀도 측정 3부: 인화갈륨
PAS 1022-2004 엘립소메트리를 이용한 재료 및 유전체 재료 특성 테스트 및 박막층 두께 측정을 위한 참조 절차
DIN EN 62047-2:2007-02 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
DIN EN 62047-10:2012-03 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
DIN EN 14571:2005 비금속 모재의 금속 코팅 코팅 두께 측정 미세저항법
DIN EN 62047-18:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
DIN 50446:1995 반도체 공정 재료 검사 실리콘 결정 에피층의 결함 유형 및 결함 밀도 결정
DIN EN 62047-2:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
DIN EN 62047-6:2010-07 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 재료 두께

GB/T 1550-2018 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
GB/T 38783-2020 귀금속 복합재료의 코팅 두께 측정을 위한 주사전자현미경 방법

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 재료 두께

GB/T 1550-1997 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
GB/T 3048.3-1994 전선 및 케이블의 전기적 특성 시험 방법 반도체 고무 및 플라스틱 재료의 체적 저항률 시험
GB/T 3389.5-1995 압전 세라믹 재료 성능 테스트 방법 디스크 두께 스트레치 진동 모드
GB/T 3048.3-2007 전선 및 케이블의 전기적 특성 테스트 방법 3부: 반도체 고무 및 플라스틱 재료의 체적 저항률 테스트
GB/T 3389.6-1997 압전 세라믹 재료 성능 시험 방법 직사각형 전단 두께 전단 진동 모드
GB/T 36133-2018 내화물의 열전도율 시험방법(백금저항온도계법)

British Standards Institution (BSI), 반도체 재료 두께

BS IEC 62899-203:2018 인쇄전자재료 반도체 잉크
BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
BS EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 인장 시험 방법
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 인쇄 전자 부품 203 재료 반도체 잉크
BS EN 62047-10:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS 재료의 마이크로 컬럼 압축 테스트
BS EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 MEMS 재료에 대한 포아송 비 테스트 방법
BS EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 축 피로 테스트 방법
BS EN 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, MEMS 구조의 공명 및 박막 재료의 굽힘 편향 테스트 방법.
BS EN 60811-202:2012 전기 및 광섬유 케이블 비금속 재료 테스트 방법 일반 테스트 비금속 재료의 외부 쉘 두께 측정
BS EN 60811-201:2012+A1:2017 전력 및 광섬유 케이블의 비금속 재료에 대한 테스트 방법 일반 테스트 절연체 두께 측정
BS EN 14571:2005 비금속 모재에 금속코팅 코팅두께 측정 미세저항법
BS EN 60811-201:2012 전기 및 광케이블 비금속 재료의 테스트 방법 일반 테스트 절연체 두께 측정
BS EN 62047-14:2012 반도체 소자, 마이크로 모터 소자, 금속박막재료의 성형한계 측정방법.

Danish Standards Foundation, 반도체 재료 두께

DS/EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기판 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
DS/EN 62047-10:2011 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 10: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
DS/EN 14571:2005 비금속 모재의 금속코팅 코팅두께 측정 미세저항법
DS/EN 62047-2:2007 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
DS/EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
DS/ISO 14571:2020 비금속 모재의 금속 코팅의 코팅 두께를 측정하기 위한 미세 저항률 방법
DS/EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법

Professional Standard - Electron, 반도체 재료 두께

SJ/T 11067-1996 적외선탐지재료 중 반도체광전자재료와 초전재료의 공통용어

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 재료 두께

T/SHPTA 071.2-2023 고전압 케이블 액세서리용 고무 소재 2부: 반도체 고무 소재
T/CAS 374-2019 정격전압 26/35kV 이상의 압출절연 전력케이블용 반도체 완충층 소재

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 재료 두께

IEC 62899-203:2018 인쇄전자부품 203: 재료반도체잉크
IEC 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
IEC 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
IEC 62047-6:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
IEC 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법

Association Francaise de Normalisation, 반도체 재료 두께

NF A91-113:2004 비자성 전도성 물질의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
NF EN ISO 2360:2017 전도성 비자성 기판의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭 변화에 민감한 와전류 방법
NF A91-127*NF EN 14571:2005 비금속 기판 재료의 금속 코팅 코팅 두께 측정을 위한 미세 저항 방법
NF EN ISO 14571:2022 비금속 재료의 금속 코팅의 코팅 두께 측정 미세저항법
NF EN 62047-2:2006 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 10: MEMES 재료의 미소극 압축 테스트
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
NF EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 6부: 박막 재료의 축방향 피로 시험 방법
NF EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법

Lithuanian Standards Office , 반도체 재료 두께

LST EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기본 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법(ISO 2360:2003)
LST EN 14571-2005 비금속 모재의 금속코팅 코팅두께 측정 미세저항법

AENOR, 반도체 재료 두께

UNE-EN ISO 2360:2004 비자성 전도성 기본 재료의 비전도성 코팅 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법(ISO 2360:2003)

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 재료 두께

ASTM D374-99 고체 전기 절연 재료의 두께에 대한 표준 시험 방법
ASTM D374-99(2004) 고체 전기 절연 재료의 두께에 대한 표준 시험 방법
ASTM D374M-99(2005) 고체 전기 절연 재료의 두께에 대한 표준 테스트 방법(미터법)
ASTM D374M-13 고체 전기 절연 재료의 두께에 대한 표준 테스트 방법(미터법)
ASTM D6095-06 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법
ASTM D6095-12 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법
ASTM E377-08(2020) 전도성이 낮은 물질의 내부 온도 측정에 대한 표준 사례
ASTM D6095-99 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항률에 대한 표준 테스트 방법
ASTM D6095-05 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항률에 대한 표준 테스트 방법

American National Standards Institute （ANSI), 반도체 재료 두께

ANSI/ASTM D374M:2013 고체 전기 절연 재료의 두께 테스트 방법(미터법)

KR-KS, 반도체 재료 두께

KS C IEC 62899-203-2023 인쇄전자부품 203: 재료반도체잉크
KS C IEC 62047-18-2016 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
KS C IEC 62047-22-2016 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법

ES-UNE, 반도체 재료 두께

UNE-EN ISO 2360:2018 비자성 전도성 모재의 비전도성 코팅의 코팅 두께 측정 진폭에 민감한 와전류 방법
UNE-EN 62047-10:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
UNE-EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
UNE-EN 62047-6:2010 반도체 장치 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
UNE-EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송 비 테스트 방법

RU-GOST R, 반도체 재료 두께

GOST 22622-1977 반도체 재료, 기본 전기 및 물리적 매개변수, 용어 및 정의

Indonesia Standards, 반도체 재료 두께

SNI 07-2198-1991 금속 도금 및 기타 유기 재료 정의 및 두께 테스트

Association of German Mechanical Engineers, 반도체 재료 두께

DVS 2936-1988 두께가 0.35~3.5mm인 개별 알루미늄 재료의 저항 투영 용접
DVS 2936-2006 두께가 0.35~3.5mm인 개별 알루미늄 재료의 저항 투영 용접

IT-UNI, 반도체 재료 두께

UNI 4526-1960 금속재료의 표면처리. 전해층 두께 측정. 드립 화학

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 재료 두께

KS C IEC 62047-18:2016 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
KS C IEC 62047-22:2016 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
KS C IEC 62047-18-2016(2021) 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
KS C IEC 62047-22-2016(2021) 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법

European Committee for Standardization (CEN), 반도체 재료 두께

EN 14571:2005 비금속 모재에 금속코팅 코팅두께 측정 미세저항법

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 재료 두께

IEEE Std 802.1Q-2005 (Incorporates IEEE Std 802.1Q1998, IEEE Std 802.1u-2001, IEEE Std 802.1v-2001, 근거리 및 수도권 네트워크에 대한 IEEE 표준---가상 브리지 LAN

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 재료 두께

EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료에 대한 푸아송 비 테스트 방법
EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 재료 두께

JIS C 5630-2:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
JIS C 5630-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
JIS C 5630-6:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법