29.045 半导体材料 标准查询与下载

T/ZSA 72-2019 碳化硅单晶

碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等电子应用领域和航天、军工、强辐射场等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅材料已成为全球半导体产业的前沿和制高点，随着碳化硅产业的发展，产业链分工细化是必然的趋势， 会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家，碳化硅单晶会单独交易，因此有必要单独制定碳化硅单晶标准。

Monocrystalline Silicon Carbide

T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定， 将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力。

Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge

T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验

高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部。然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求。同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定。 本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准。

High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices

T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法

碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义。

Test Method for Surface Quality and Micropipe?Density?of Silicon Carbide?Single Crystal?Polishing Wafers——Confocal and Differential Interferometry Optics

T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。 高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。 高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用。

The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate

T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法

随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷。

Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method

T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。? 与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义。

Experimental method for residual stress in SiC wafers

T/SZSA 026-2019 固化用紫外线（UV）LED封装 技术规范

范围 规范性引用文件 术语和定义 产品命名规则 技术要求 试验方法 检验规则 标志、包装、运输、贮存 统一眩光值的限值 附录A（资料性附录） 教室的统一眩光值UGR测量报告模板 本标准规定了固化用紫外线LED封装的定义、命名规则、技术要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存的要求。 本标准适用于丝印、胶印工艺印刷机固化用的紫外线LED封装。

Curing ultraviolet (UV) LED package specification

T/ZZB 1389-2019 单晶硅光伏电池

本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。 本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池。

Monocrystalline silicon photovoltaic cells

T/CEC 229-2019 聚烯烃基导电材料包覆金属导体技术条件

本标准规定了聚烯怪基导电材料包覆金属导体规格、 技术要求、 检测与试验方法、 标志、 包装、运输及贮存等。 本标准适用于交直流输电系统的接地装置。 石油化工、 国防等领域的接地装置可参照执行。

Polyolefin-based conductive material-coated metal conductor technical conditions

ASTM E1438-11(2019) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

1.1 This guide provides the SIMS analyst with a method for determining the width of interfaces from SIMS sputtering data obtained from analyses of layered specimens (both organic and inorganic). This guide does not apply to data obtained from analyses of specimens with thin markers or specimens without interfaces such as ion-implanted specimens. 1.2 This guide does not describe methods for the optimization of interface width or the optimization of depth resolution. 1.3 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety, health, and environmental practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. 1.4 This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee.

Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS

T/GOTA 002-2019 绿色设计产品评价技术规范 发光二极管封装产品

目    次 前    言　I 1   范围　1 2   规范性引用文件　1 3   术语和定义　2 4   评价方法　3 5   评价要求　3 6   产品生命周期评价报告编制方法　6 前    言 本标准按照GB/T 2004.1-2016《团体标准化 第1部分：良好行为指南》制定。 本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 本标准由清华大学深圳研究生院提出。 本标准由广东省光电技术协会归口。 本标准主要起草单位：清华大学深圳研究生院、惠州市聚飞光电有限公司、厦门乾照光电股份有限公司、深圳市启悦光电有限公司、华南师范大学、中山市木林森电子有限公司、深圳市晶锐光电有限公司、深圳市同一方光电技术有限公司、广东海洋大学、郑州唯独电子科技有限公司、广东农工商职业技术学院、广东光阳电器有限公司、西安理工大学 本标准主要起草人：钱可元、邢美正、魏冬寒、汪洋、单其林、康丽娟、杨冲、李立勉、杨帆、熊正烨、 刘玉怀、官金兰、马国书、柯熙政 本文件为首次发布。 绿色设计产品评价技术规范 发光二极管封装产品 1   范围 本标准规定了发光二极管封装产品及其绿色设计的评价要求和评价方法，以及产品生命周期评价报告的编制要求。 本标准适用于采用半导体LED芯片封装的发光二极管封装产品，包括但不限于白光发光二极管封装产品、单色光（蓝色、绿色、黄色、橙色、红色等）发光二极管封装产品、彩色光发光二极管封装产品（由红色、绿色、蓝色中两种或三种LED芯片组成）、紫外光发光二极管封装产品、红外光发光二极管封装产品、COB封装产品等。 2   规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 SJ/T 11364 电子电气产品有害物质限制使用标识要求 GB/T 16716.1 包装与包装废弃物 第1部分：处理和利用通则 GB/T 18455 包装回收标志 GB/T 19001 质量管理体系 要求 GB/T 20861 废弃产品回收利用术语 GB/T 23384 产品及零部件可回收利用标识 GB/T 2423.28 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验T：锡焊 GB/T 24001 环境管理体系 规范及使用指南 GB/T 24040 环境管理 生命周期评价 原则与框架 GB/T 24044 环境管理 生命周期评价 要求与指南 GB/T 24256 产品生态设计通则 GB/T 26125 电子电气产品 六种限用物质(铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚)的测定 GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29786 电子电气产品中邻苯二甲酸酯的测定气相色谱-质谱联用法 GB/T 31268 限制商品过度包装 GB/T 32161 生态设计产品评价通则 GB/T 32883 电子电气产品中六溴环十二烷的测定高效液相色谱-质谱法 GB/T 34664 电子电气生态设计产品评价通则 GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范 GB/T 4937 半导体器件机械和气候试验方法 IEC 62321 电工电气产品中某些物质的测定（Determination of certain substances in electrotechnical products）     IEC 62321-8 电子电气产品中某些物质的测定第8部分：使用气相色谱质谱联用仪(GC-MS)，配有热裂解热脱附的气相色谱质谱联用仪 (Py-TD-GC-MS)测定聚合物中的邻苯二甲酸酯（Determination of certain substances in electrotechnical products - Part 8: Phthalates in polymers by gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS), gas chromatography-mass spectrometry using a pyrolyzer/thermal desorption accessory (Py-TD-GC-MS)） 3   术语和定义 GB/T 36356、GJB 33A-1997、GB/T 24001、GB/T 19001、GB/T 24256、GB/T 32161、GB/T 24040、GB/T 24044等界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 发光二极管封装 LED packaging 应用相应的工艺技术，将一个或多个LED芯片和支撑体（支架、基板等）等材料组合成为一个与外部环境隔离、稳定可靠的整体，其连接外部电气后输出所需的光，并达到安全和所需的光色电热等需求的过程。 3.2 发光二极管封装产品 LED packaging product 采用发光二极管封装工艺技术制成的可以发出特定波长或颜色光的产品。 3.3 发光二极管封装绿色设计 LED packaging green-design 按照全生命周期的理念，在发光二极管封装产品设计开发阶段系统考虑原材料获取、生产制造、包装运输、使用维护和回收处理等各个环节对资源环境造成的影响，力求产品在全生命周期中最大限度降低资源消耗、尽可能少用或不用含有有害物质的原材料，减少污染物产生和排放，从而实现环境保护的活动。 3.4 发光二极管封装绿色设计产品 LED packaging green-design products 符合绿色设计理念和评价要求的发光二极管封装产品。 3.5 评价指标基准值 reference value of assessment indicator 为评价产品绿色设计而设定的指标参照值。 3.6 发光二极管封装产品生命周期 LED packaging product life cycle 从发光二极管封装产品结构设计、原材料选择、产品封装、销售、使用、改进优化、更新换代、回收处理、退出市场的整个过程。 3.7 发光二极管封装产品生命周期评价报告 LED packaging product report for life cycle assessment 依据生命周期评价方法要求出具的，用于披露发光二极管封装产品绿色设计信息以及全生命周期信息的报告。 4   评价方法 按照5.1基本要求和5.2指标要求开展绿色设计产品评价，同时满足以下条件的发光二极管封装产品为绿色设计产品： ——满足基本要求（见 5.1）和评价指标要求（见 5.2），并提供相关符合性证明文件； ——开展产品生命周期评价，并按第 6 章的方法提供发光二极管封装产品生命周期评价报告。 绿色设计产品评价结果应形成报告,对基本要求和评价指标要求的符合性情况进行说明，并附生命周期评价报告 5   评价要求 5.1 基本要求 5.1.1 生产企业 生产企业应满足以下要求，包括但不限于： a) 生产企业应按照GB/T 19001和GB/T 24001等的要求建立、实施、保持并持续改进质量管理和环境管理等体系，并将绿色设计过程引入管理体系； b) 生产企业的污染物排放应达到国家或地方污染物排放标准的要求，污染物总量控制应达到国家和地方污染物排放总量控制指标； c）生产企业应严格执行节能环保相关国家标准，近三年无重大质量、安全和环境事故； d) 生产企业应采用清洁生产的技术、工艺和装备，不得使用国家或有关部门发布的淘汰或禁止的技术、工艺和装备。 5.1.2 供应链 a）生产企业应开展绿色供应链管理，将绿色环保相关的法律法规要求和客户要求引入供应商管理的过程中，并向产品主要原材料供应方、生产协作方、相关服务方等提出有关质量、环境、能源和安全等方面的管理要求； b) 生产企业应自行建立或委托有资质的第三方建立废弃产品的回收体系，并按照国家关于废弃电器电子产品管理的要求履行生产者的责任和义务。 5.1.3 用户 a）生产企业有义务参考GB/T 20861、GB/T 18455、GB/T 23384等标准告知下游用户如何使用产品及相关的注意事项，包含但不限于产品的存储条件、使用条件、维修条件、报废处理方式、可能对环境造成的影响等，同时生产企业应该主动向下游客户索要产品使用过程中的反馈信息或反馈报告； b）用户有义务向生产企业提供产品使用过程中的问题和意见，以便生产企业提供更优质的服务。 5.1.4 产品 产品应满足以下要求，包括但不限于： a) 产品的质量应符合GB/T 2423.28、GB/T 4937或相关产品标准的有关要求； b) 产品的绿色设计应符合GB/T 24256、GB/T 32161的有关要求，可从产品原料选择、有害物质减量或替代、清洁生产工艺和技术、包装及运输、资源化循环利用、无害化处置等方面，综合考虑资源节约与综合利用、能源节约和环境保护等方面的要求，开展产品绿色设计，形成产品绿色设计方案。 5.1.5 信息公开 5.1.5.1 社会公开 生产企业应采用公开可获得的方式，通过系统预装的用户手册、官方网站或产品说明书等，向用户或相关方公开以下信息，包括但不限于： a) 产品生产日期； b) 售后服务期限，以及有资质的专业维修服务商、配件销售商清单； c) 向利益相关方提供产品废弃后回收和再生利用的相关信息； d) 产品拆解及维修说明； e) 产品及其包装符合安全、节能、有害物质限制使用、可回收利用等相关标识要求。 5.1.5.2 用户公开 生产企业有义务向用户提供更深层次的信息，并提供相关的服务，为了确保双方信息的安全，可以采用协议、合同等方式，对双方形成约束。 5.2 指标要求 发光二极管封装产品的评价指标要求见表1。 表1 发光二极管封装产品的评价指标要求 一级指标　二级指标　具体要求和基准值　判定依据 资源属性　有害物质限量　产品的各均质材料中，铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚应满足 GB/T 26572 规定的限量要求，除非其应用在经济上或技术上不可行，属于国家规定的限用物质应用例外。　--提供企业或其供应商的材料声明/协议或评估报告，和/或； --依据GB/T 26125或IEC 62321出具的检测报告，和/或； --某些有害物质应用在经济上或技术上无法满足限量要求的证据。 　　产品的各均质材料中，邻苯二甲酸二（ 2-乙基己基）酯(DEHP)、邻苯二甲酸丁苄酯(BBP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二异丁酯 (DIBP)的含量均不应超过 0.1%（质量分数），除非其应用在经济上或技术上不可行。　--提供企业或其供应商声明/协议或评估报告，和/或； --依据GB/T 29786或IEC 62321-8出具的检测报告，和/或； --某些有害物质应用在经济上或技术上无法满足限量要求的证据。 　　塑料部件中六溴环十二烷（ HBCD）的含量不应超过 0.01%（质量分数）。　--提供企业或供应商的材料声明文件，和/或； --依据GB/T 32883出具的六溴环十二烷的检测报告。 　　产品的生产过程中不得使用氢氟氯化碳（HCFCs）、1,1,1-三氯乙烷（C2H3Cl3）、三氯乙烯（C2HCl3）、二氯乙烷（CH3CHCl2）、二氯甲烷（CH2Cl2）、三氯甲烷（CHCl3）、四氯化碳（CCl4）、溴丙烷（C3H7Br）、正己烷（C6H14）、甲苯（C7H8）、二甲苯（C6H4(CH3)2）等物质作为清洁溶剂　--提供自我声明等证明材料或现场检查 　产品标识　产品应按照SJ/T 11364的要求标识产品中的限用物质含有情况。　--提供粘贴了有害物质限制使用标志的产品或产品照片，以及带有有害物质限制使用含量表的产品说明。 环境属性　产品包装　应选择符合 GB/T 16716.1 要求的包装。　--提供企业或其供应商的材料声明/协议或评估报告，和/或； --依据 GB/T 26125或IEC 62321出具的包装和包装材料中重金属含量检测报告。 　　产品包装应符合 GB/T 31268 限制商品过度包装的要求。　 性能属性　产品可靠性　产品通过GB/T 4937、GB/T 2423.28相关可靠性实验测试　--提供产品的符合性声明，和/或； --提供测试报告。 能源属性　产品能效　产品能效指标符合能源之星标准（照明产品）　--提供产品的符合性声明，和/或； --提供测试报告。 6   产品生命周期评价报告 6.1 编制方法 依据GB/T 24040、GB/T 24044、GB/T 32161给出的生命周期评价方法学框架及总体要求，并参照GB/T 34664，编制发光二极管封装产品生命周期评价报告。 6.2 报告内容 6.2.1 基本信息 报告应提供报告信息、申请者信息、评估对象信息、采用的标准信息等基本信息，其中报告信息包括报告编号、编制人员、审核人员、发布日期等，申请者信息包括公司全称、组织机构代码、地址、联系人、联系方式等。在报告中应提供产品的主要技术参数和功能，包括：物理形态、生产厂家、使用范围等。产品重量、包装的大小和材质也应在生命周期评价报告中阐明。 6.2.2 产品生命周期评价 6.2.2.1 评价对象及工具 报告中应详细描述评估的对象、功能单位和产品主要功能，提供产品的材料构成及主要技术参数表，绘制并说明产品的系统边界，披露所使用的生命周期数据库的软件工具。本标准的功能单位表示为，如：“1颗发光二极管”。同时考虑具体功能、使用寿命、是否包括包装材料等。功能单位必须是明确规定并且可测量的。 6.2.2.2 生命周期清单分析 报告中应提供考虑的生命周期阶段，说明每个阶段所考虑的清单因子及收集到的现场数据或背景数据，涉及到数据分配的情况应说明分配方法和结果。 6.2.2.3 生命周期影响评价 报告中应提供产品生命周期各阶段的不同影响类型的特征化值，并对不同影响类型在各生命周期阶段的分布情况进行比较分析。 6.2.2.4 绿色设计改进方案 在分析指标的符合性评价结果以及生命周期评价结果的基础上，提出产品绿色设计改进的具体方案。 6.2.2.5 评价报告主要结论 应说明该产品对评价指标的符合性结论、生命周期评价结果、提出的改进方案，并根据评价结论初步判断该产品是否为绿色设计产品。 6.2.2.6 附件 报告应在附件中提供： a）产品原始包装图； b）产品生产材料清单； c）产品工艺表（产品生产工艺过程示意图等）； d）各单元过程的数据收集表； e）其他。

Technical specification for green-design product assessment LED Packaging product

T/CPIA 0015-2019 光伏组件用背板

本标准适用于晶体硅太阳能电池组件用聚合物背板（以下简称“背板”），不包括玻璃背板和其他导电功能的背板材料。 本标准规定了光伏组件用背板的分类、性能要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。

Photovoltaic module backsheet

T/CPIA 0014-2019 光伏组件用绝缘隔离条

本标准规定了光伏组件用绝缘隔离条的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。 本标准适合用于光伏组件用绝缘隔离条的质量技术性能评估。

Insulation strips for photovoltaic modules

T/CPIA 0012-2019 晶体硅光伏标准组件制作和使用指南

本标准规定了晶体硅标准光伏组件的量值稳定及符合量值溯源链传递的作业规范。 本标准适用于采用晶体硅标准光伏组件进行测试组件电性能量值溯源的实验室或生产线。

Guidelines for the Production and Use of Crystalline Silicon Photovoltaic Standard Modules

T/CNIA 0011-2019 气相沉积法碳化硅涂层

本标准规定了气相沉积法碳化硅涂层（以下简称碳化硅涂层）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以甲基三氯硅烷和氢气为主要原料，通过气相沉积法制备的碳化硅涂层。产品主要用于光伏领域石墨材料表面。

SiC Coating by Vapor Deposition

T/CNIA 0022-2019 绿色设计产品评价技术规范 气相二氧化硅

本标准规定了气相二氧化硅绿色设计产品评价的术语和定义、评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。 本标准适用于气相二氧化硅的绿色设计产品评价。

Green Design Product Evaluation Technical Specifications Fumed Silica

T/CNIA 0021-2019 绿色设计产品评价技术规范 多晶硅

本标准规定了多晶硅绿色设计产品评价的术语和定义、评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。 本标准适用于改良西门子法生产的多晶硅的绿色设计产品评价。

Green design product evaluation technical specification polysilicon

T/CPIA 0007-2019 地面用双玻晶体硅光伏组件 设计鉴定和定型

本标准规定了地面用双玻晶体硅光伏组件(以下简称双玻组件)设计鉴定和定型的要求，具体包括双玻组件外观、电性能、可靠性及安全性的要求。 本标准适用于地面用平面单面发电双玻组件，地面用曲面、球面双玻组件和双面发电双玻组件可参考本标准，本标准不适用于双玻薄膜光伏组件及特殊设计类如双玻光伏幕墙以及聚光光伏组件。

Design identification and finalization of double-glass crystalline silicon photovoltaic modules for ground use

T/CPIA 0009-2019 电致发光成像测试晶体硅光伏组件缺陷的方法

本标准规定了晶体硅光伏组件中电池缺陷的检测，包含术语与定义、样品准备、测试设备、安全准则、环境要求、仪器校准、测试流程、缺陷分类和报告等。本标准适用于室内晶体硅光伏组件中电池缺陷的测试，室外测试可参考使用。

Electroluminescence Imaging Method for Defect Detection of Crystalline Silicon Photovoltaic Modules