29.045 半导体材料 标准查询与下载

GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗

本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及合同内容等。 本标准适用于以高纯四氯化锗为原料、经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗。产品供制作还原锗、有机锗、催化剂、光纤用四氯化锗、锗酸铋（BGO）晶体及化合物晶体等。

High purity germanium dioxide

GB/T 20230-2006 磷化铟单晶

本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化铟单晶材料（以下简称单晶）。

Indium phosphide signle crystal

GB/T 20229-2006 磷化镓单晶

本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶）。

Gallium phosphide signle crystal

GB/T 20228-2006 砷化镓单晶

本标准规定了砷化镓单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。

Gallium arsenide single crystal

GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片。

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1．0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。

Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片

本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。

Monocrystalline silicon polished wafers

GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝

本标准规定了半导体键合铝-1％硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本标准适用于半导体键合用圆形拉制A1-1％Si合金丝。

Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding

GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法

本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的晶体的表面取向。 本标准包括两种试验方法： 方法A X射线衍射定向法。该方法可用于所有半导体单晶的定向。 方法B 光图定向法。该方法目前用于单一元素半导体单晶的定向。

Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法

本标准规定了半导体硅抛光片和外延片表面常见缺陷的光反射无损检验方法。 本标准适用于半导体硅抛光片和外延片表面质量的无损检验。 本标准的检验结果与GB/T6624、GB/T14142的检验结果一致。

Test method for the surface quality of polished silicon wafers and epitaxial wafers by optical-reflection

GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

本标准规定了硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法。 本标准适用于载流子浓度小于5×10cm、室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅单晶中代位碳原子浓度的测定。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳浓度。 本标准也适用于硅多晶中代位碳原子浓度的测定，其晶粒界间区的碳同样不能测定。 本标准测量碳原子浓度的有效范围为：室温下从硅中代位碳原子浓度1×10at·cm（200PPba）到碳原子的最大溶解度，77K时下限降到5×10at·cm（100PPba）。

Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption

GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8～125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成硅抛光片。

Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范

本标准规定了利用晶片中心作为极坐标（r-θ-z）或直角坐标（X-Y-Z）的原点，可用于确定晶片上任意一点位置的晶片坐标系。 对于非构图晶片，可直接使用本晶片坐标系统或与矩形阵列或极坐标重叠阵列一起使用本晶片坐标系。 本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置，而这另一坐标系则常表示或记录在构图或非构图晶片上的局部区域、芯片或图形阵列的位置特征。这样，该阵列体坛系可定位晶片的实际几何图形。

Specification for establishing a wafer coordinate system

GB/T 12963-1996 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于以三氯氢硅四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单晶。

Polycrystalline silicon

GB/T 12962-1996 硅单晶

本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂）制备的硅单晶，产品主要供制作半导体元器件使用。

Monocrystalline silicon

GB/T 15713-1995 锗单晶片

本标准规定了锗单晶切割片、研磨片和腐蚀片（简称锗片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于各种牌号的锗单晶经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形锗片。产品用于制作晶体管和红外器件。

Monocrystalline germanium slices

T/CPIA 0062-2024 质量分级及“领跑者”评价要求 光伏硅棒

本文件规定了光伏硅棒产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于直拉掺杂制备的光伏单晶硅棒，用于光伏硅棒产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

Quality Grading and “Leader Runner” Evaluation Requirements Photovoltaic Silicon Rods

T/CPIA 0061-2024 质量分级及“领跑者”评价要求 光伏硅片

本文件规定了光伏硅片产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于单晶硅光伏硅片，多晶硅光伏硅片可参考使用。本文件用于光伏硅片产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

Quality Grading and “Leader Runner” Evaluation Requirements Photovoltaic Silicon Wafers

T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法

本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。 本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

Test method for deep level defects of silicon carbide epitaxial layers-Transient capacitance method