29.045 半导体材料 标准查询与下载

IEC 62899-503-3:2021 印刷电子-第 503-3 部分：质量评估-印刷薄膜晶体管接触电阻的测量方法-转移长度法

This part of IEC 62899 specifies a measuring method of contact resistance for printed thin film transistors (TFTs) by the transfer length method (TLM). The method requires the fabrication of a test element group (TEG) with varying channel length (L) between source and drain elect

Printed electronics - Part 503-3: Quality assessment - Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor - Transfer length method

T/ICMTIA PC007-2021 集成电路用氢氟酸

本文件规定了集成电路用氢氟酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本文件适用于集成电路制造过程中使用的氢氟酸。 分子式：HF 相对分子质量：20.01（按 2014 年国际相对原子质量）

Hydrofluoric acid for integrated circuits

T/ICMTIA pc008-2021 集成电路用硝酸

本文件规定了集成电路用硝酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本文件适用于集成电路制造过程中使用的硝酸。  分子式：HNO3 相对分子质量：63.01（按 2014 年国际相对原子质量）

Nitric acid for integrated circuits

T/CNIA 0101-2021 绿色设计产品评价技术规范 碳化硅单晶抛光片

本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。 本文件适用于物理气相传输法生产的4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品的评价。

Technical specification for green design product evaluation silicon carbide single crystal polished wafer

T/CNIA 0103-2021 绿色设计产品评价技术规范 电子级氯硅烷

本文件规定了电子级氯硅烷绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法和流程。 本文件适用于以工业氯硅烷产品为原料，精制提纯而生产的电子级氯硅烷（包含电子级的三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、六氯乙硅烷）绿色设计产品的评价。

Green design product evaluation technical specification for electronic grade chlorosilane

T/CNIA 0102-2021 绿色设计产品评价技术规范 氮化硅粉体

本文件规定了氮化硅粉体绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。 本文件适用于直接氮化法生产的氮化硅粉体绿色设计产品的评价。

Green design product evaluation technical specification for silicon nitride powder

T/CNIA 0100-2021 绿色设计产品评价技术规范 区熔锗锭

本文件规定了区熔锗锭绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。 本文件适用于以锗精矿、再生锗原料等含锗原料生产的区熔锗锭的绿色设计产品评价。

Green Design Product Evaluation Technical Specification Area Fused Germanium Ingot

T/ICMTIA 5.3-2020 集成电路用ArF光刻胶光刻检测方法

本文件规定了ArF光刻胶的光刻检测要求及方法、检测标准及包装、运输、存储及环保要求。

Lithography ArF Photo Resist of measurement for Intergraded circuits

T/ICMTIA 4.1-2020 集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分：液体甲基丙烯酸酯类

本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分 液体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求。

ArF photoresist monomer for integrated circuits Part 1: Liquid methacrylate

T/ICMTIA 5.1-2020 集成电路用 ArF 干式光刻胶

本文件规定了 ArF 干式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储要求。

ArF Dry photo resist for Integrated circuits

T/ICMTIA 5.2-2020 集成电路用ArF浸没式光刻胶

本文件规定了ArF浸没式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储。

ArF immersion photo resist for integrated circuits

T/ICMTIA 4.2-2020 集成电路用氟化氩光刻胶单体 第2部分：固体甲基丙烯酸酯类

本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第2部分 固体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求。

ArF photoresist monomer for integrated circuits Part 2: Solid methacrylate

T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

Experimental method for residual stress in SiC wafers

ASTM D3004-08(2020) 交联和热塑性挤出半导体 导体和绝缘屏蔽材料的标准规范

1.1 This specification covers crosslinked and thermoplastic extruded semi-conducting, conductor, and insulation shielding materials for electrical wires and cables. 1.2 In many instances, the electrical properties of the shielding material are strongly dependent on processing conditions. For this reason, in this specification the material is sampled from cable. Therefore, tests are done on shielded wire in this standard solely to determine the relevant property of the shielding material and not to test the conductor or completed cable. 1.3 The values stated in SI units are to be regarded as standard. No other units of measurement are included in this standard. 1.4 This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee.

Standard Specification for Crosslinked and Thermoplastic Extruded Semi-Conducting, Conductor, and Insulation Shielding Materials

T/CAEE 025-2020 充电桩材料选择标准

充电桩可以分为7个部分：充电桩壳体、充电枪外壳、插头、插座、断路器、接触器、电源模块外壳、充电桩用电缆，根据上述分部件具体又细分为结构部件、电气部件、电缆等。 本标准规定了充电桩材料的选择标准与性能要求,适用于本公司生产的交直流充电桩各部件材料的选择。

Charging pile material selection criteria

T/CAEE 021-2020 交流充电桩及其元器件检验标准

本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等。

Inspection standard for AC charging pile and its components

KS D 0264-2019 锗晶体蚀坑密度的测量方法

Method of measurement of etch pit density of germanium crystal

KS D 0265-2019 光电导衰变法测量锗中少数载流子寿命

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

KS D 0266-2019 热电动势法测定锗的导电类型

Determination of conductivity type in germanium by thermoelectromotive method