31.200 集成电路、微电子学 标准查询与下载
共找到 3191 条与 集成电路、微电子学 相关的标准，共 213 页
本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for criterion of the combination of the deep etching and bonding process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅-玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for criterion of the bulk silicon piezoresistance process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2016-08-29
- 实施
- 2017-03-01
本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。
Semiconductor integrated circuits.Specification of leadframes for plastic quad flat package
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2015-05-15
- 实施
- 2016-01-01
本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。
Semiconductor integrated circuits.Specification for stamped leadframes of plastic DIP
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2015-05-15
- 实施
- 2016-01-01
本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。
Semiconductor integrated circuits.Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2015-05-15
- 实施
- 2016-01-01
本标准规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架。
Semiconductor integrated circuits.Specification of leadframes for small outline package
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2015-05-15
- 实施
- 2016-01-01
本标准规定了使用器件的符号及记忆法宜与限定符号一致、预计达到两个目的,即:--对白盒子符号,给出标准名称;--对灰盒子符号,希望限制可能变化的范围、白盒子符号:符号中元件的功能行为完全由标准化方法描述的符号,相关的规则和解释可在二进制逻辑元件符号及应用注释,模拟元件符号,应用注释中找到、灰盒子符号:符号中元件的功能行为,通常由于其复杂性,有些用非白盒子符号所用的方法,特别是由参照的支持文件描述的符号;相关的规则和解释可在符号和应用注释中找到、本标准提出了白盒子符号和灰盒子符号的概念,便于设计者的应用、本标准适用于集成电路的设计、第3章中,第二列字母是W,表明相关的标记可用于白盒子符号以及灰盒子符号中、第二列是字母G,意味着有关的标记只能用于灰盒子符号中,或只能用于方框间的白盒子符号中(如作为"电源关掉"的附加信息)、在用字母m的地方,m应按每种情况的要求用相关的值、标识数字、循环长度、位数或顺序数代替、m1×m2出现的地方,m1应用字数、m2应用每字的位数代替,见符号、
Mnemonics and symbols for integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-12-31
- 实施
- 2013-07-01
本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。 本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积（CVD）、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
Silicon-based MEMS fabrication technology.The basic regulation of layout design
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。 本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。 本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for KOH etch process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了采用体硅深片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。 本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for dissolved wafer process
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2012-05-11
- 实施
- 2012-12-01
本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。
Micro-electromechanical system techology.General rules for the assessment of micro-geometrical parameters
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
本标准规定了微机电系统领域所涉及的材料、设计、加工、封装、测量以及器件等方面的通用术语和定义。 本标准适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。
Micro-electromechanical system techology.Terms
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。
Micro-electromechanical system techology.General rules for the assessment of micro-mechanical parameters
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2011-01-10
- 实施
- 2011-10-01
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
Semiconductor devices.Integrated circuits.Part 2-9:Digital integrated circuits.Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2006-12-05
- 实施
- 2007-05-01
本部分半导体器件集成电路第2-11部分：数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范，适用于：标志和订货资料、应用说明、功能说明、极限值、工作条件、电特性、编程等。
Semiconductor devices Integrated circuits Part 2-11: Digital integrated circuits Blank detail specification for single supply integrated circuit electrically erasable and programmable read-only memory
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2006-12-05
- 实施
- 2007-05-01
本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范，包括电源电压值、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。 同时给出每类标称电源电压的两种接口规范：正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的，典型容差大约是10%。宽范围是扩展到一个较宽的范围，可以使电池继续工作的实际值。
Semiconductor devices Integrated circuits Part 2-20: Digital integrated circuits Family specification Low voltage integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2006-12-05
- 实施
- 2007-05-01
本标准规了下列集成电路（IC）分类体系树（见图1）中有关半定制集成电路子类的标准。
Semiconductor devices. Integrated circuits. Part 5: Semicustom integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L56
- 发布
- 2006-10-10
- 实施
- 2007-02-01
本标准向集成电路的设计和制造人员推荐:使用器件的符号及记忆法宜与限定符号一致。预计达到两个目的，即: ——对白盒子符号，给出标准名称； ——对灰盒子符号，希望限制可能变化的范围。 白盒子符号：符号中元件的功能完全由标准化方法描述的符号，相关的规则和解释可在GB/T4728.12的第一篇至第五篇和GB/T4728.13的第一篇至第五篇及第六篇第17章、第18章中找到。 灰盒子符号：符号中元件的功能，通常由于其复杂性，有些用非白盒子符号所用的方法，特别是用可参照的支持文件描述的符号。相关的规则和解释见GB/T4728.12中第六篇。 第2章表中，第二列是字母W,表明相关的标记可用于白盒子符号也可用于灰盒子符号中；第二列是字母G,意味着有关标记只能用于灰盒子符号中，或只能用于方框间的白盒子符号中(如[PDN]作为“电源关掉”的附加信息 )。 在用字母m的地方,m应按各种情况的要求用相应的值、标识号、周期时间、位数或顺序数代替(增益调节的Am除外 )。示出m1×m2的地方,m1应由可存储最大字数代替，m2应由数据输出的数目代替,见GB/T4728.12的第50章和第51章。
Mnemonics and symbols for integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- L55
- 发布
- 2006-07-13
- 实施
- 2007-01-01
