GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
GBT14146-2021, GB14146-2021
GB/T 14146-2021 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 14146-2021
- 别名
- GBT14146-2021
GB14146-2021 - 发布
- 2021年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 14146-2021
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 6624
- 被代替标准
- GB/T 14146-2009
- 本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3 ~8×1016 cm-3 ,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化...
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