GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
GBT14146-2021, GB14146-2021
GB/T 14146-2021 发布历史
GB/T 14146-2021由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2021-05-21，并于 2021-12-01 00:00:00.0 实施。
GB/T 14146-2021 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法，在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 14146-2021 。
GB/T 14146-2021 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 14146-2021的历代版本如下：
- 2021年 GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
- 2009年 GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
- 1993年 GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3 ~8×1016 cm-3 ,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
- 标准号
- GB/T 14146-2021
- 别名
- GBT14146-2021
GB14146-2021 - 发布
- 2021年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 14146-2021
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 6624
- 被代替标准
- GB/T 14146-2009
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