GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
GBT41325-2022, GB41325-2022
GB/T 41325-2022 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 41325-2022
- 别名
- GBT41325-2022
GB41325-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 41325-2022
- 引用标准
- GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 19921 GB/T 2828.1 GB/T 29505 GB/T 29507 GB/T 32280 GB/T 39145 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6624 YS/T 28 YS/T 679
- 本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm 和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100Ω·cm 的Low-COP抛光片。