ASTM F391-96
用稳态表面光电压测量法测定非本征半导体中少数载流子扩散长度的标准试验方法

Standard Test Methods for Minority Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconductors by Measurement of Steady-State Surface Photovoltage

被代替

ASTM F391-96 发布历史

ASTM F391-96由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 1996-01-01。

ASTM F391-96在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

ASTM F391-96 发布之时，引用了标准

• ASTM D1193 试剂水(联邦试验方法No.7916)*， 1999-07-17 更新
• ASTM F110 ASTM F110-00a
• ASTM F28 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法*， 1997-06-10 更新
• ASTM F533 硅片的厚度及厚度变化的标准试验方法*， 1996-07-17 更新
• ASTM F673 用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
• ASTM F84 ASTM F84-99
• ASTM F95 ASTM F95-89(2000)

* 在 ASTM F391-96 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

ASTM F391-96的历代版本如下：

• 1970年 ASTM F391-02 ASTM F391-02
• 1996年 ASTM F391-96 用稳态表面光电压测量法测定非本征半导体中少数载流子扩散长度的标准试验方法

1.1 这些测试方法涵盖了外在单晶半导体材料样品或沉积在同类型更重掺杂衬底上的已知电阻率同质外延层中少数载流子扩散长度的测量，前提是样品或层的厚度更大大于扩散长度的四倍。

1.2 这些测试方法基于作为入射照明能量（波长）函数的表面光电压（SPV）的测量。描述以下两种测试方法：

1.2.1 测试方法A-恒定幅度表面光电压(CMSPV)方法。

1.2.2 测试方法B——线性光电压、恒定光子通量（LPVCPF）方法。

1.3 两种测试方法都是无损的。

1.4 样品材料、电阻率和载流子寿命的适用范围尚未确定；然而，已经在载流子寿命短至2 ns 的0.1 至50 Ωcm - 和 - 型硅样本上进行了测量。

1.5 这些测试方法是为用于单晶硅样品而开发的。它们还可用于测量其他半导体样品中的有效扩散长度，例如砷化镓（适当调整照明的波长（能量）范围和样品制备程序）以及多晶硅样品中的平均有效扩散长度。其中晶界垂直于表面。

1.6 这些测试方法也适用于硅片裸露区宽度的测定。

1.7 这些测试方法仅测量室温 (22176C) 下的扩散长度。寿命和扩散长度是温度的函数。

1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

标准号

ASTM F391-96

发布

1996年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F391-02

当前最新

ASTM F391-02

 

 

引用标准

ASTM D1193 ASTM F110 ASTM F28 ASTM F533 ASTM F673 ASTM F84 ASTM F95

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