GB/T 6616-1995
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
说明：
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- 标准号
- GB/T 6616-1995
- 发布日期
- 1995年04月18日
- 实施日期
- 1995年12月01日
- 废止日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 6616-2009
- 适用范围
- 本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3～2×102Ω·cm和2～3×103π/□。