GB/T 6616-1995
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法已作废

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

GB/T 6616-1995 发布历史

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10～2×10Ω·cm和2～3×10π/□。

GB/T 6616-1995由国家质检总局 CN-GB 发布于 1995-04-18，并于 1995-12-01 实施，于 2010-06-01 废止。

GB/T 6616-1995 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法。

GB/T 6616-1995的历代版本如下：

• 1995年04月18日 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
• 2009年10月30日 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法 于 2009-10-30 变更为 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法。

标准号

GB/T 6616-1995

发布日期

1995年04月18日

实施日期

1995年12月01日

废止日期

2010-06-01

中国标准分类号

H21

国际标准分类号

29.040.30

发布单位

CN-GB

代替标准

GB/T 6616-2009

适用范围

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10^-3～2×10²Ω·cm和2～3×10³π/□。

GB/T 6616-1995系列标准

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