GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
GBT1558-2009, GB1558-2009
GB/T 1558-2009 发布历史
GB/T 1558-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。
GB/T 1558-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 1558-2009 采用标准及采用方式
- MOD SEMI MF 1391-0704
GB/T 1558-2009 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264-2009 半导体材料术语
- GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 1558-2009的历代版本如下：
- 2009年 GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
- 1997年 GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω•cm的p型硅片及电阻率高于1Ω•cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率高于0.1Ω•cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 也适用于硅多晶中代位碳原子含量测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
- 标准号
- GB/T 1558-2009
- 别名
- GBT1558-2009
GB1558-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 1391-0704 MOD
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 1558-2009
- 引用标准
- GB/T 14264-2009 GB/T 6618-2009
- 被代替标准
- GB/T 1558-1997
GB/T 1558-2009相似标准
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