GB/T 13388-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。
GB/T 13388-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 13388-2009 。
* 在 GB/T 13388-2009 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
本标准规定了a角的测量方法,a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。 本标准包含如下两种测试方法: 测试方法1-X射线边缘衍射法 测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的,为了使硅片唯一的相对于X射线测角器定位,除了使用特殊的硅片夹具外,与GB/T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比,该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。 方法2也是非破坏性的,为了使参考面相对于X射线束定位,除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外,与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速,但不具有方法l的精度,因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的 记录。 注:解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户,可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具,方法2也适用于硅片表面取向的测定。 本标准中的数值均以公制为单位,英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注:本标准不涉及安全问题,即使有也与标准的使用相联系。标准使用前,建立合适的安全和保障措施以及确定规 章制度的廊用范围是标准使用者的责任。
PSEL 劳厄单晶取向测试系统背散射劳厄测试系统,实时确定晶体方向,精度高达0.1 度;PSEL软件定向误差低至0.05 度; 多晶硅片二维定向 mapping;大批量样品筛选;超20kg 重负荷样品定位;超大行程样品台可选,用于“燃机叶片”等测试;工厂接收客户需求定制;水平放置系统垂直放置系统配备 PSEL CCD 背反射劳厄 X-RAY 探测器:有效输入探测面约:155*105 mm;最小输入有效像素尺寸...
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因此,EBSD是X射线衍射和透射电子显微镜进行取向和相分析的补充,而且它还有其独特的地方(微区、快速等)。5....
例如,Si (111) 面与Si片表面之间的夹角称为Si 片 (111)的斜切角。斜切角可由如图2中的示意的二维X射线衍射的方法测试。在图(a)中,晶面ABCD 和晶体表面之间的夹角为。入射X射线S0与晶体表面的入射角为。可在样品绕着其表面法线方向N连续旋转角时收集二维图。...
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