利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片,将 microLED 应用于硅产业领域 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。...
据了解,中博芯已经拥有LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线,以及各类半导体分析测试设备,涵盖了从外延生长到芯片制备等产业链上各环节。“现在,公司有专业的运营管理团队,我除了公司工作外,依然在北京大学从事教书育人和科学研究。”在创业的同时,沈波并没有耽误科研工作。...
已搭建的客户案例基于325nm激光器激发的PL测量系统,用于GaN、ZnO等半导体材料等材料的测量基于532nm激光器的PL测量,用于InGaN体系材料的PL测量 紫外微区激光荧光/拉曼光谱仪,可搭配冷热台实现变温PL测量(77K-600℃)左右滑动查看更多图片80-300K的变温光谱测量:样品S1为InGaN/GaN多量子阱结构的GaN基LED样品,样品S2为带有简单p-GaN外延层的对照样品配置...
第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的。第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料。第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势体现在:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号