掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程, 您可以免费下载预览页
直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶硅中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙氧(Oi),当氮掺入直拉硅单晶中时,除了以氮-氮对(N-N)形式存在以外,氮还会和氧作用形成氮氧复合体(N-O complexes)。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved 京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号