GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
GBT13389-2014, GB13389-2014
GB/T 13389-2014 发布历史
GB/T 13389-2014由国家质检总局 CN-GB 发布于 2014-12-31，并于 2015-09-01 实施。
GB/T 13389-2014 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 13389-2014 。
GB/T 13389-2014 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
- GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法*， 2021-05-21 更新
- GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
* 在 GB/T 13389-2014 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
GB/T 13389-2014的历代版本如下：
- 2014年 GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
- 1992年 GB/T 13389-1992 掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10 cm~1×10 cm,掺磷浓度3×10 cm~1×10 cm,掺砷浓度10 cm~6×10 cm。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到10 cm。本标准也可用于在23 ℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
- 标准号
- GB/T 13389-2014
- 别名
- GBT13389-2014
GB13389-2014 - 发布
- 2014年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 13389-2014
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 4326
- 被代替标准
- GB/T 13389-1992