GB/T 11073-1989
硅片径向电阻率变化的测量方法已作废

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

GB/T 11073-1989 发布历史

本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10～1×10Ω.Cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

GB/T 11073-1989由国家质检总局 CN-GB 发布于 1989-03-31，并于 1990-02-01 实施，于 2008-02-01 废止。

GB/T 11073-1989 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法。

GB/T 11073-1989的历代版本如下：

• 1989年03月31日 GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
• 2007年09月11日 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 于 2007-09-11 变更为 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法。

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标准号

GB/T 11073-1989

发布日期

1989年03月31日

实施日期

1990年02月01日

废止日期

2008-02-01

中国标准分类号

H21

国际标准分类号

29.040.30

发布单位

CN-GB

代替标准

GB/T 11073-2007

适用范围

本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10^-3～1×10³Ω.Cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

GB/T 11073-1989系列标准

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