GB/T 11073-1989
硅片径向电阻率变化的测量方法
Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
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- 标准号
- GB/T 11073-1989
- 发布日期
- 1989年03月31日
- 实施日期
- 1990年02月01日
- 废止日期
- 2008-02-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- 国家质检总局
- 代替标准
- GB/T 11073-2007
- 适用范围
- 本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10-3～1×103Ω.Cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。