单组合四探针相比,用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量,从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。 仪器特点如下: 1、配有双数字表:一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的精度)适时监测全过程中的电流变化,使操作更简便,测量更。 ...
用上述几种硅片制作的太阳电池有较大幅度的早期光致衰减,会超出客户所能接受的范围。其实直拉单晶工艺是很成熟的,只要我们把好用料质量关,按正规拉棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。B、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量 此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用。...
硅片性能参数 1、型号(P型和N型,P型多晶硅是掺B,N型多晶硅是掺P) 2、电阻率 3、少数载流子寿命 4、硅片边长 5、对角线长度 6、倒角 7、厚度 8、总厚度变化...
工业使用者梦想通过CCZ晶体生长法得到超高电阻率的硅片,高电阻率或者超高电阻率的硅晶圆,在晶圆厚度方向电阻率具有良好的均匀性,同时沿轴向和径向的电阻率梯度也具有一定均匀性,且在整个器件加工时具备稳定性。然而,晶体生长技术推向工业生产之前都会进行无数次的设计测试和实验,为此付出的成本是无法估量的。...
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