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DE紫外 半导体 隙
本专题涉及紫外 半导体 隙的标准有500条。
国际标准分类中,紫外 半导体 隙涉及到表面处理和镀涂、半导体分立器件、光学和光学测量、分析化学、集成电路、微电子学、光电子学、激光设备、陶瓷、电子设备用机械构件、整流器、转换器、稳压电源、技术制图、半导体材料、图形符号、建筑材料、辐射测量、印制电路和印制电路板、电线和电缆、工业自动化系统、电子电信设备用机电元件、航空航天用电气设备和系统、电子学、无机化学、电子元器件综合、消防。
在中国标准分类中,紫外 半导体 隙涉及到半导体分立器件综合、无机化工原料综合、微电路综合、、计算机应用、半导体发光器件、光电子器件综合、激光器件、技术管理、特种陶瓷、半导体集成电路、电子设备机械结构件、电力半导体器件、部件、半导体二极管、可靠性和可维护性、半金属与半导体材料综合、电缆及其附件、半导体整流器件、通用核仪器、电子工业生产设备综合、电子设备用导线、电缆、电子技术专用材料、带绝缘层电线、元素半导体材料、连接器、钢铁产品综合、半导体光敏器件、无机盐、辐射防护仪器、电子元件综合、基础标准与通用方法、标准化、质量管理、半金属及半导体材料分析方法。
行业标准-电子,关于紫外 半导体 隙的标准
法国标准化协会,关于紫外 半导体 隙的标准
国际电工委员会,关于紫外 半导体 隙的标准
英国标准学会,关于紫外 半导体 隙的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于紫外 半导体 隙的标准
韩国科技标准局,关于紫外 半导体 隙的标准
国家质检总局,关于紫外 半导体 隙的标准
机械工业部,关于紫外 半导体 隙的标准
美国国防后勤局,关于紫外 半导体 隙的标准
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路
- DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可编程逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91772-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体,紫外可擦拭逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
- DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 硅单块 8KX8紫外可擦除可程序化只读存储器,氧化物半导体数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91584-1992 硅单块 紫外可擦拭编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 硅单块 紫外擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 硅单块 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
- DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA QPL-28830-QPD-2011 电缆,射频,同轴,半刚性,波纹外导体,通用规范
- DLA QPL-28830-2013 电缆,射频,同轴,半刚性,波纹外导体,通用规范
- DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅单片,2K X 8寄存的紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93122-1993 硅单片,2K X 16状态机紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA MIL-DTL-28830 D-2005 波纹外导体半刚性同轴射频电缆的一般规定
- DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008 瓦楞外导体半刚性同轴射频电缆的通用规范
- DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA QPL-28830-13-2007 波纹外导体半刚性无线射频同轴电缆一般规格
- DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体512K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92071-1994 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92140-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 16比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体256K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅单片功率下降16K X 8紫外线可擦除可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体记名32K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 装有32千比特紫外线消除式可程序化只读存储器的8比特金属氧化物半导体微处理器,N沟道数字微型电路
- DLA SMD-5962-91624-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体功率转换8K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90799-1994 紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
国家军用标准-总装备部,关于紫外 半导体 隙的标准
行业标准-机械,关于紫外 半导体 隙的标准
IN-BIS,关于紫外 半导体 隙的标准
KR-KS,关于紫外 半导体 隙的标准
GSO,关于紫外 半导体 隙的标准
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于紫外 半导体 隙的标准
PL-PKN,关于紫外 半导体 隙的标准
德国标准化学会,关于紫外 半导体 隙的标准
RU-GOST R,关于紫外 半导体 隙的标准
JP-JEITA,关于紫外 半导体 隙的标准
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于紫外 半导体 隙的标准
丹麦标准化协会,关于紫外 半导体 隙的标准
工业和信息化部,关于紫外 半导体 隙的标准
国际标准化组织,关于紫外 半导体 隙的标准
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,关于紫外 半导体 隙的标准
SCC,关于紫外 半导体 隙的标准
美国国家标准学会,关于紫外 半导体 隙的标准
欧洲电工标准化委员会,关于紫外 半导体 隙的标准
ES-UNE,关于紫外 半导体 隙的标准
未注明发布机构,关于紫外 半导体 隙的标准
立陶宛标准局,关于紫外 半导体 隙的标准
RO-ASRO,关于紫外 半导体 隙的标准
政府电子与信息技术协会(US-GEIA改名为US-TECHAMERICA),关于紫外 半导体 隙的标准
SAE - SAE International,关于紫外 半导体 隙的标准
美国材料与试验协会,关于紫外 半导体 隙的标准
AENOR,关于紫外 半导体 隙的标准
中国团体标准,关于紫外 半导体 隙的标准
IEC - International Electrotechnical Commission,关于紫外 半导体 隙的标准
美国电气电子工程师学会,关于紫外 半导体 隙的标准
IX-EU/EC,关于紫外 半导体 隙的标准
澳大利亚标准协会,关于紫外 半导体 隙的标准
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components,关于紫外 半导体 隙的标准
- QC 790106-1994 半导体器件 集成电路 第 2 部分:数字集成电路 第 9 节:MOS 紫外光可擦除电可编程只读存储器的空白详细规范 (IEC 60748-2-9)
欧洲标准化委员会,关于紫外 半导体 隙的标准