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电子能谱中深度剖析方法
本专题涉及电子能谱中深度剖析方法的标准有22条。
国际标准分类中，电子能谱中深度剖析方法涉及到分析化学、电子元器件综合。
在中国标准分类中，电子能谱中深度剖析方法涉及到基础标准与通用方法、化学助剂基础标准与通用方法、标准化、质量管理。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
国际标准化组织，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法
- ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 17109:2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法
- ISO 23170:2022 表面化学分析.深度剖面.用中能离子散射法对硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜进行无损深度剖面
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
- ISO 16531:2020 表面化学分析 - 深度分析 - 离子束对准方法和相关的电流或电流密度测量 用于AES和XPS中的深度分析
英国标准学会，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法
- BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深度剖析 使用单层和多层薄膜的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率的测定方法...
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析 深度剖析 使用单一和……的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率测定方法
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 16531:2020 表面化学分析 深度剖析 离子束对准方法以及 AES 和 XPS 中深度分析的电流或电流密度的相关测量方法
- 19/30399949 DC BS ISO 16531 表面化学分析 深度剖析 离子束对准方法以及 AES 和 XPS 中深度分析的电流或电流密度的相关测量方法
- BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次离子质谱分析 有机材料氩簇溅射深度剖析中产量体积的测定方法
行业标准-电子，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则
国家质检总局，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 28893-2012 表面化学分析.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱.测定峰强度的方法和报告结果所需的信息
日本工业标准调查会，关于电子能谱中深度剖析方法的标准
- JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
可能用到的仪器设备
