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电子能谱深度剖析方法
本专题涉及电子能谱深度剖析方法的标准有41条。
国际标准分类中，电子能谱深度剖析方法涉及到电子元器件综合、分析化学、光学设备、光学和光学测量。
在中国标准分类中，电子能谱深度剖析方法涉及到标准化、质量管理、基础标准与通用方法、化学助剂基础标准与通用方法、化学、电子光学与其他物理光学仪器。
行业标准-电子，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
国际标准化组织，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法
- ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 17109:2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法
- ISO 23170:2022 表面化学分析.深度剖面.用中能离子散射法对硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜进行无损深度剖面
- ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 11505:2012 表面化学分析.通过辉光放电光发射光谱法来定量成分深度剖面的通用规程
- ISO 16531:2020 表面化学分析 - 深度分析 - 离子束对准方法和相关的电流或电流密度测量 用于AES和XPS中的深度分析
- ISO 23420:2021 微束分析.分析电子显微镜.电子能量损失谱分析用能量分辨率的测定方法
- ISO 16129:2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 评估X射线光电子能谱仪日常性能的方法
- ISO 24639:2022 微束分析.分析电子显微镜.用电子能量损失光谱法进行元素分析的能量标度校准程序
- ISO 20341:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
- ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
英国标准学会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
- BS ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法
- BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深度剖析 使用单层和多层薄膜的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率的测定方法...
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析 深度剖析 使用单一和……的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率测定方法
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 16531:2020 表面化学分析 深度剖析 离子束对准方法以及 AES 和 XPS 中深度分析的电流或电流密度的相关测量方法
- 19/30399949 DC BS ISO 16531 表面化学分析 深度剖析 离子束对准方法以及 AES 和 XPS 中深度分析的电流或电流密度的相关测量方法
- BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次离子质谱分析 有机材料氩簇溅射深度剖析中产量体积的测定方法
- BS ISO 23420:2021 微束分析 分析电子显微镜 电子能量损失谱分析能量分辨率的测定方法
- 20/30380369 DC BS ISO 23420 微束分析 分析电子显微镜 电子能量损失谱分析能量分辨率的测定方法
- BS ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS ISO 20341:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
国家质检总局，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 26533-2011 俄歇电子能谱分析方法通则
- GB/T 19500-2004 X射线光电子能谱分析方法通则
- GB/T 28893-2012 表面化学分析.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱.测定峰强度的方法和报告结果所需的信息
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- GB/T 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法
美国材料与试验协会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- ASTM E1127-03 螺旋电子光谱法的深度剖面的标准指南
日本工业标准调查会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
- JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
德国标准化学会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- DIN ISO 11505:2018 表面化学分析 通过辉光放电光发射光谱法进行定量成分深度剖析的一般程序（ISO 11505:2012）
法国标准化协会，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- NF X21-066*NF ISO 23812:2009 表面化学分析 次级离子质谱分析法 用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
韩国科技标准局，关于电子能谱深度剖析方法的标准
- KS D ISO 20341:2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
- KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法
