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永久辐射效应

本专题涉及永久辐射效应的标准有179条。

国际标准分类中，永久辐射效应涉及到地质学、气象学、水文学、绝缘材料、公司(企业)的组织和管理、航空航天用电气设备和系统、电子元器件综合、辐射测量、机上设备和仪器、医疗设备、辐射防护、航空器和航天器综合、航天系统和操作装置、半导体分立器件、航空航天制造用材料、建筑材料、集成电路、微电子学、土方机械、阀门、环境试验。

在中国标准分类中，永久辐射效应涉及到气象学、电工绝缘材料及其制品、电气系统与设备、基础标准与通用方法、医用射线设备、半导体分立器件综合、航空与航天用非金属材料、Ｘ射线、磁粉、荧光及其他探伤仪器、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、电子计算机应用、微电路综合、建筑工程施工机械、阀门、环境条件、无线电通信设备、导航通讯系统与设备。


丹麦标准化协会，关于永久辐射效应的标准

  • DS/IEC 544-3:1981 电离辐射对绝缘材料的效应的测定指南．第3部分：永久作用的试验规程
  • DS/EN IEC 60522-1:2021 医用电气设备《诊断X射线》第1部分：质量等效过滤和永久过滤的测定
  • DS/IEC TR 60522-2:2020 医用电气设备“诊断 X 射线”第2部分：质量等效过滤和永久过滤的指南和原理

美国照明工程协会，关于永久辐射效应的标准

国家军用标准-总装备部，关于永久辐射效应的标准

  • GJB 9730-2020 粒子辐射效应探测器规范
  • GJB 9397-2018 军用电子元器件中子辐射效应试验方法
  • GJB 9396-2018 电荷耦合器件空间环境辐射效应地面模拟试验方法
  • GJB 8670.6-2015 特种弹效应试验方法 第6部分：纵火弹火种火焰温度测定 热辐射法
  • GJB 5214.19-2003 特种弹效应试验方法 第19部分：红外干扰弹红外辐射强度测定 带通法

中国气象局，关于永久辐射效应的标准

英国标准学会，关于永久辐射效应的标准

  • DD IEC/TS 62396-1:2006 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • BS EN 62396-1:2016 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • DD IEC/TS 62396-3:2008 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应 (SEE)
  • DD IEC/PAS 62396-3:2007 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应 (SEE)
  • BS EN 60544-1:2013 电气绝缘材料. 电离辐射效应的测定. 辐射相互作用和放射量测定
  • BS IEC 62396-1:2012 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS DD IEC/TS 62396-1:2006 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS IEC 62396-1:2016 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS EN 60544-4:2003 电绝缘材料.电离辐射的效应测定.辐射环境中设备的分类系统
  • BS EN IEC 60522-1:2021 医用电气设备诊断X射线第1部分：等效过滤和永久过滤质量的测定
  • PD IEC TR 60522-2:2020 医疗电气设备 X射线诊断 质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理
  • PD CEN/TR 17602-60-02:2021 航天产品保证 ASIC 和 FPGA 中的辐射效应缓解技术手册
  • BS IEC 62396-2:2017 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子系统单事件效应测试指南
  • DD IEC/TS 62396-2:2008 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子系统单粒子效应测试指南
  • DD IEC/PAS 62396-2:2007 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子系统单粒子效应测试指南
  • 18/30373156 DC BS EN 60522-1 医疗电气设备 诊断 X 射线 第1部分.质量等效过滤和永久过滤的测定 38
  • BS IEC 62396-3:2013 航空电子学的过程管理. 环境辐射影响. 调节大气辐射单一事件效应 (SEE) 的系统设计优化
  • DD IEC/TS 62396-5:2008 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 评估热中子通量和航空电子系统效应的指南
  • DD IEC/PAS 62396-5:2007 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 评估热中子通量和航空电子系统效应的指南
  • BS DD IEC/TS 62396-4:2009 航空电子设备的过程管理 大气辐射效应 高压飞机电子设备和潜在单事件效应设计指南
  • DD IEC/TS 62396-4:2008 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 高压飞机电子设备和潜在单粒子效应设计指南
  • DD IEC/PAS 62396-4:2007 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 高压飞机电子设备和潜在单粒子效应设计指南
  • PD IEC/TR 62396-7:2017 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子设备设计中单事件效应(SEE)分析过程的管理
  • PD IEC TR 62396-8:2020 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子设备中的质子、电子、π介子、μ介子、α射线通量和单粒子效应 意识指南

澳大利亚标准协会，关于永久辐射效应的标准

  • IEC 62396-1:2016 RLV 航空电子设备过程管理 大气辐射效应 第 1 部分：通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应

GSO，关于永久辐射效应的标准

  • BH GSO IEC 62396-1:2016 航空电子设备过程管理 大气辐射效应 第1部分：通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • OS GSO IEC 62396-1:2014 航空电子设备过程管理 大气辐射效应 第1部分：通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • GSO IEC TR 60522-2:2022 医用电气设备 诊断 X 射线 第2部分：质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理
  • BH GSO IEC TR 60522-2:2023 医用电气设备 诊断 X 射线 第2部分：质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理
  • GSO IEC 62396-4:2015 航空电子设备运营管理 大气辐射效应 第4部分：管理潜在单次效应的高压航空系统设计
  • OS GSO IEC 62396-4:2015 航空电子设备过程管理 大气辐射效应 第4部分：管理潜在单粒子效应的高压飞机电子设备设计
  • GSO IEC 62396-1:2014 航空电子设备过程管理 大气辐射的影响 第1部分：航空电子设备内单粒子效应对大气辐射影响的兼容性
  • BH GSO IEC TR 62396-7:2022 航空电子设备流程管理 大气辐射效应 第7部分：航空电子设备设计中单粒子效应 (SEE) 分析流程的管理
  • GSO IEC TR 62396-7:2021 航空电子设备流程管理 大气辐射效应 第7部分：航空电子设备设计中单粒子效应 (SEE) 分析流程的管理

IEC - International Electrotechnical Commission，关于永久辐射效应的标准

  • TS 62396-1-2006 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第1部分：通过航空电子设备内的单事件效应调节大气辐射效应（1.0 版）
  • TS 62396-3-2008 航空电子过程管理“大气辐射效应”第3部分：优化系统设计以适应大气辐射的单事件效应（SEE）（第 1.0 版）
  • PAS 62396-3-2007 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第3部分：优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应（SEE）（第 1.0 版）
  • IEC 60544-3:1979 确定电离辐射对绝缘材料影响的指南第3部分：永久影响的测试程序（1.0 版）
  • TS 62396-2-2008 航电过程管理“大气辐射效应”第2部分：航电系统单事件效应测试指南（1.0 版）
  • PAS 62396-2-2007 航电过程管理“大气辐射效应”第2部分：航电系统单事件效应测试指南（1.0 版）
  • PAS 62396-5-2007 航空电子过程管理“大气辐射效应”第5部分：航空电子系统热中子通量和效应评估指南（1.0 版）
  • TS 62396-5-2008 航空电子过程管理“大气辐射效应”第5部分：航空电子系统热中子通量和效应评估指南（1.0 版）
  • TS 62396-4-2008 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第4部分：高压飞机电子设备和潜在单事件效应设计指南（第 1.0 版）
  • PAS 62396-4-2007 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第4部分：高压飞机电子设备和潜在单事件效应设计指南（第 1.0 版）

WRC - Welding Research Council，关于永久辐射效应的标准

  • BULLETIN 87-1963 解释辐射效应对结构金属的机械性能的关键因素 辐射效应对反应堆压力容器设计的商业影响 FABRICATI

国际电工委员会，关于永久辐射效应的标准

  • IEC TS 62396-3:2008 航空电子设备的过程管理.大气辐射效应.第3部分:适应大气辐射的单一作用效应(SEE)的最优化系统设计
  • IEC TS 62396-1:2006 电子设备和控制系统的过程管理.大气辐射效应.第1部分:航空电子设备内经单个事件效应的大气辐射效应的调节
  • IEC TR 60522-2:2020 医用电气设备诊断X射线第2部分:质量等效过滤和永久过滤指南和原理
  • IEC 60544-4:2003 电绝缘材料.电离辐射效应的测定.第4部分:在辐射环境中工作的分类体系
  • IEC 60544-4:1985 测定电离辐射对绝缘材料的效应的指南 第4部分:在辐射环境中工作的分类体系
  • IEC 60544-2:2012 电绝缘材料.测定电离辐射对绝缘材料的效应.第2部分:辐照和试验规程
  • IEC TS 62396-2:2008 电子设备的过程管理.大气辐射效应.第2部分:电子设备系统的单一作用效应测试指南
  • IEC 62396-2:2017 航空电子系统的过程管理 - 大气辐射效应 - 第2部分:航空电子系统单事件效应测试指南
  • IEC 62396-3:2013 航空电子设备过程管理.环境辐射影响.第3部分:调节大气辐射单一事件效应(SEE)的系统设计优化
  • IEC TS 62396-5:2008 电子设备的过程管理.大气辐射效应.第5部分:电子设备系统中热中子通量和效应的评估指南
  • IEC TR 62396-7:2017 航空电子设备的过程管理大气辐射效应第7部分:航空电子设备设计中单事件效应分析过程的管理
  • IEC 62396-1:2012 航空电子设备过程管理.环境辐射影响.第1部分:航空电子设备内部由单粒子效应引起的环境辐射影响的调节
  • IEC 62396-1:2016 航空电子设备过程管理.环境辐射影响.第1部分:航空电子设备内部由单粒子效应引起的环境辐射影响的调节
  • IEC TR 62396-8:2020 航空电子设备的过程管理大气辐射效应第8部分:航空电子设备中的质子、电子、π介子、μ子、α射线通量和单粒子效应意识指南

RO-ASRO，关于永久辐射效应的标准

  • STAS 12149/3-1985 电绝缘材料测量绝缘材料的离子辐射的影响永久性影响的测试程序

FI-SFS，关于永久辐射效应的标准

  • SFS 5519-1989 保护服．材料对热辐射的保护效应．等级

法国标准化协会，关于永久辐射效应的标准

韩国科技标准局，关于永久辐射效应的标准

  • KS C IEC 60544-1:2019 电绝缘材料 - 的电离辐射效应的测定 - 第1部分:辐射相互作用和剂量
  • KS C IEC 60544-4-2014(2019) 电绝缘材料 - 电离辐射效应的测定 - 第4部分:在辐射环境中的服务分类体系
  • KS C IEC TR 60522-2-2023 医用电气设备 诊断 X 射线 第2部分：质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理

KR-KS，关于永久辐射效应的标准

  • KS C IEC 60544-1-2019 电绝缘材料 - 的电离辐射效应的测定 - 第1部分:辐射相互作用和剂量
  • KS C IEC 60522-1-2023 医用电气设备诊断X射线第1部分:质量等效过滤和永久过滤的测定

欧洲电工标准化委员会，关于永久辐射效应的标准

  • EN IEC 60522-1:2021 医用电气设备诊断X射线第1部分：等效过滤和永久过滤质量的测定

ES-UNE，关于永久辐射效应的标准

德国标准化学会，关于永久辐射效应的标准

  • DIN EN IEC 60522-1:2022-05 医用电气设备诊断X射线第1部分：质量等效过滤和永久过滤的测定
  • DIN EN IEC 60522-1:2021 医疗电气设备诊断 X 射线第 1 部分：质量等效过滤和永久过滤的确定 (IEC CDV 60522-1:2020)

SCC，关于永久辐射效应的标准

  • DANSK DS/EN IEC 60522-1:2021 医用电气设备 诊断 X 射线 第1部分：质量等效过滤和永久过滤的测定
  • BS PD IEC TR 60522-2:2020 医疗电气设备 诊断 X 射线 质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理
  • DANSK DS/IEC TR 60522-2:2020 医用电气设备 诊断 X 射线 第2部分：质量等效过滤和永久过滤的指南和基本原理
  • BS PD IEC/TR 62396-7:2017 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子设计中单粒子效应（SEE）分析过程的管理
  • BS PD IEC TR 62396-8:2020 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子设备中的质子、电子、π介子、μ介子、α射线通量和单粒子效应 意识指南

RU-GOST R，关于永久辐射效应的标准

  • GOST 25645.214-1985 宇航中飞行器人员的辐射安全.放射生物学综合效应模型
  • GOST 25645.219-1990 宇航中飞行器中人员的辐射安全.在广义的放射生物效应上辐射作用的空间不均匀性影响的计算方法

美国材料与试验协会，关于永久辐射效应的标准

  • ASTM F1892-12(2018) 半导体器件电离辐射（总剂量）效应试验标准指南
  • ASTM F1892-06 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
  • ASTM F1892-04 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
  • ASTM F1892-98 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
  • ASTM F1892-12 半导体器件电离辐射 (总剂量) 效应试验的标准指南
  • ASTM F1467-99(2005)e1 微电子装置的电离辐射效应试验中 X 射线测试仪(近似等于10 keV 辐射量子)的使用的标准指南
  • ASTM F1467-99 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
  • ASTM F1467-99(2005) 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
  • ASTM F1467-11 半导体装置及集成电路电离辐射效应X射线测试仪(≈10 keV光子量)的标准使用指南

立陶宛标准局，关于永久辐射效应的标准

  • LST EN IEC 60522-1:2021 医用电气设备 诊断 X 射线 第1部分：质量等效过滤和永久过滤的测定（IEC 60522-1:2020）

PL-PKN，关于永久辐射效应的标准

  • PN-EN IEC 60522-1-2021-08 E 医用电气设备 诊断 X 射线 第1部分：质量等效过滤和永久过滤的测定（IEC 60522-1:2020）

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于永久辐射效应的标准

  • GB/T 34955-2017 大气辐射影响 航空电子系统单粒子效应试验指南
  • GB/T 34956-2017 大气辐射影响 航空电子设备单粒子效应防护设计指南

国家质检总局，关于永久辐射效应的标准

  • GB/T 42846-2023 空间环境 非金属材料空间辐射效应地面模拟方法
  • GB/T 42242-2022 空间环境 用于低轨道卫星的商业现货（COTS）器件的辐射效应评估

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于永久辐射效应的标准

  • ASHRAE 4247-1999 辐射屏障对炎热干旱地区住宅应用冷负荷的影响：阁楼管道效应

美国国防后勤局，关于永久辐射效应的标准

  • DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、硅、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应），类型 2N7472U2、2N7473U2 和 2N7474U2，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
  • DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7488T3、2N7489T3 和 2N7490T3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道抗辐射（总剂量和单事件效应）、硅、2N7506U8 和 2N7506U8C 型、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 微型电路,线型,辐射加固,J型场效应输入运算放大器,单块硅
  • DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
  • DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器
  • DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
  • DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
  • DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
  • DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）类型 2N7467U2、JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/753-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/755-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7588T3、2N7590T3、2N7592T3 和 2N7594T3，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7523T1、2N7523U2、2N7524T1 和 2N7524U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7549T1、2N7549U2、2N7550T1 和 2N7550U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单事件效应）晶体管芯片、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7624U3 和 2N7625T3、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管管芯、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅类型 2N7463T2、2N7464T2、2N7463U5 和 2N7464U5 JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7405、2N7406、2N7407 和 2N7408，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7519U3、2N7519U3C、2N7519T3、2N7520U3、2N7520U3C 和 2N7520T3 , JANTXVR, F 和 JANSR, F
  • DLA MIL-PRF-19500/743-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
  • DLA MIL-PRF-19500/746-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/758-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7609U8 和 2N7609U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
  • DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7424U、2N7425U 和 2N7426U，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 半导体器件、场效应、抗辐射、晶体管芯片、N 和 P 沟道、硅各种类型 JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
  • DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7468U2 和 2N7469U2 JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）双晶体管，N 沟道和 P 沟道，逻辑级硅类型 2N7632UD，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR，F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，型号 2N7465T3 和 2N7466T3 和 U3 后缀，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7479U3、2N7480U3 和 2N7481U3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR、F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于永久辐射效应的标准

  • JEDEC JESD57-1996 重离子辐射中半导体设备的单粒子效应测量的测试规程

日本工业标准调查会，关于永久辐射效应的标准

  • JIS A 8330-6:2006 土方机械.驾驶室环境.第6部分:驾驶室日光辐射效应的测定

国际标准化组织，关于永久辐射效应的标准

  • ISO 10263-6:1994 土方机械 司机室环境 第6部分:司机室日光辐射效应的测定
  • ISO 21980:2020 空间系统 - 评估在低轨道卫星上使用的商业现货（COTS）部件的辐射效应

国际电信联盟，关于永久辐射效应的标准

  • ITU-R 677-1990 (撤回)频率在50MHz以上的天然原料中的无线电辐射.5C部分.大气效应

永久辐射效应，辐射 效应，辐射效应，效应 辐射，管理辐射效应，辐射旁效应，单粒子辐射效应，辐射 效应 百度。

 

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