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半导电材料厚度
本专题涉及半导电材料厚度的标准有104条。
国际标准分类中，半导电材料厚度涉及到半导体材料、金属材料试验、表面处理和镀涂、电子元器件综合、印制电路和印制电路板、长度和角度测量、绝缘材料、词汇、焊接、钎焊和低温焊、电线和电缆、有色金属、无损检测、半导体分立器件、电子电信设备用机电元件、航空航天制造用材料、耐火材料。
在中国标准分类中，半导电材料厚度涉及到元素半导体材料、金属物理性能试验方法、基础标准与通用方法、半金属及半导体材料分析方法、材料防护、电工绝缘材料及其制品、半金属与半导体材料综合、电缆及其附件、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、合成树脂、塑料、、贵金属及其合金分析方法、化合物半导体材料、金属无损检验方法、半导体分立器件综合、电子技术专用材料、微型电机、光通信设备、耐火材料综合、微电路综合、电子设备机械结构件、其他。
德国标准化学会，关于半导电材料厚度的标准
- DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
- DIN 50437:1979 半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
- DIN 50439:1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
- DIN 50455-1:2009-10 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第1部分：用光学方法测定涂层厚度
- DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
- DIN 50455-1:2009 半导体技术用材料的试验.表征光阻剂方法.第1部分:涂层厚度的光学法测定
- DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
- DIN 50447:1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
- DIN 50445:1992 半导体工艺材料检验.用涡流法无接触测定电阻率.均匀掺杂半导体片
- DIN EN ISO 2360:2017-12 非磁性导电母材上的非导电涂层 - 涂层厚度的测量 - 振幅敏感涡流法（ISO 2360:2017）
- DIN 50455-1:1991 半导体工艺材料的检验.表示光致抗蚀剂特性的方法.第1部分:用光学测量法对涂层厚度的测定
- DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
- DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
- PAS 1022-2004 检测材料及介电材料性质以及用椭偏仪测量薄膜层厚度的参考程序
- DIN EN 62047-2:2007-02 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- DIN EN 62047-10:2012-03 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- DIN EN 14571:2005 非金属基底材料上的金属覆层.测量覆层厚度.微电阻率法
- DIN EN 62047-18:2014-04 半导体器件-微机电器件-第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- DIN EN 62047-2:2007 半导体装置.微型电机装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- DIN EN 62047-6:2010-07 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导电材料厚度的标准
- GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 38783-2020 贵金属复合材料覆层厚度的扫描电镜测定方法
国家质检总局，关于半导电材料厚度的标准
- GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 3048.3-1994 电线电缆电性能试验方法 半导电橡塑材料体积电阻率试验
- GB/T 3389.5-1995 压电陶瓷材料性能测试方法 圆片厚度伸缩振动模式
- GB/T 3048.3-2007 电线电缆电性能试验方法.第3部分:半导电橡塑材料体积电阻率试验
- GB/T 3389.6-1997 压电陶瓷材料性能测试方法 长方片厚度切变振动模式
- GB/T 36133-2018 耐火材料 导热系数试验方法(铂电阻温度计法)
英国标准学会，关于半导电材料厚度的标准
- BS IEC 62899-203:2018 印刷电子产品 材料 半导体油墨
- BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
- BS EN 62047-2:2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法
- 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 印刷电子产品 第203部分 材料 半导体油墨
- BS EN 62047-10:2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS材料的微型柱压缩试验
- BS EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- BS EN 62047-6:2010 半导体装置.微机电装置.薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- BS EN 62047-12:2011 半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
- BS EN 60811-202:2012 电缆和纤维光缆.非金属材料检测方法.通用测试.非金属材料外壳厚度测量
- BS EN 60811-201:2012+A1:2017 电力和光纤电缆 非金属材料的试验方法 一般试验 绝缘厚度测量
- BS EN 14571:2005 非金属基底材料上的金属覆层.覆层厚度的测量.微电阻率法
- BS EN 60811-201:2012 电缆和光缆. 非金属材料的试验方法. 通用试验. 绝缘厚度测量
- BS EN 62047-14:2012 半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法
丹麦标准化协会，关于半导电材料厚度的标准
- DS/EN ISO 2360:2004 非磁性导电基体材料上的非导电涂层 涂层厚度的测量 振幅敏感涡流法
- DS/EN 62047-10:2011 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS 材料的微柱压缩试验
- DS/EN 14571:2005 非金属基材料上的金属涂层 涂层厚度的测量 微电阻率法
- DS/EN 62047-2:2007 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法
- DS/EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- DS/ISO 14571:2020 非金属基体材料上的金属镀层 镀层厚度的测量 微电阻率法
- DS/EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
行业标准-电子，关于半导电材料厚度的标准
- SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
国际电工委员会，关于半导电材料厚度的标准
- IEC 62899-203:2018 印刷电子 第203部分：材料 半导体油墨
- IEC 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
- IEC 62047-6:2009 半导体装置.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- IEC 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
法国标准化协会，关于半导电材料厚度的标准
- NF A91-113:2004 非磁性导电材料上的非导体覆盖层.镀层厚度的测量.振幅灵敏性涡流法
- NF EN ISO 2360:2017 导电非磁性基材上的非导电涂层 涂层厚度的测量 对振幅变化敏感的涡流法
- NF A91-127*NF EN 14571:2005 非金属基底材料金属涂层 涂层厚度测量 微电阻率法
- NF EN ISO 14571:2022 非金属材料上的金属涂层 涂层厚度的测量 微电阻率法
- NF EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第 2 部分：薄膜材料拉伸测试方法
- NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试
- NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微型机电装置 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- NF EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半导体装置 微电机装置 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- NF EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
立陶宛标准局，关于半导电材料厚度的标准
- LST EN ISO 2360:2004 非磁性导电基础材料上的非导电涂层 涂层厚度的测量 振幅敏感涡流法（ISO 2360:2003）
- LST EN 14571-2005 非金属基材料上的金属涂层 涂层厚度的测量 微电阻率法
AENOR，关于半导电材料厚度的标准
- UNE-EN ISO 2360:2004 非磁性导电基础材料上的非导电涂层 涂层厚度的测量 振幅敏感涡流法（ISO 2360:2003）
美国材料与试验协会，关于半导电材料厚度的标准
- ASTM D374-99 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法
- ASTM D374-99(2004) 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法
- ASTM D374M-99(2005) 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法(米制)
- ASTM D374M-13 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法(公制)
- ASTM D6095-06 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM D6095-12 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM E377-08(2020) 低导电材料内部温度测量的标准实践
- ASTM D6095-99 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的标准试验方法
- ASTM D6095-05 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的标准试验方法
美国国家标准学会，关于半导电材料厚度的标准
- ANSI/ASTM D374M:2013 固体电绝缘材料厚度的试验方法(米制)
ES-UNE，关于半导电材料厚度的标准
- UNE-EN ISO 2360:2018 非磁性导电母材上的非导电涂层 涂层厚度的测量 振幅敏感涡流法
- UNE-EN 62047-10:2011 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS 材料的微柱压缩测试
- UNE-EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- UNE-EN 62047-6:2010 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- UNE-EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜 MEMS 材料泊松比的测试方法
RU-GOST R，关于半导电材料厚度的标准
- GOST 22622-1977 半导体材料.基本电气物理参数.术语和定义
印度尼西亚标准，关于半导电材料厚度的标准
- SNI 07-2198-1991 金属电镀及其他有机材料. 定义与厚度测试
德国机械工程师协会，关于半导电材料厚度的标准
- DVS 2936-1988 单个厚度为 0.35 至 3.5 mm 的铝材料的电阻凸焊
- DVS 2936-2006 单个厚度为 0.35 至 3.5 mm 的铝材料的电阻凸焊
中国团体标准，关于半导电材料厚度的标准
- T/CAS 374-2019 额定电压26/35kV以上挤包绝缘电力电缆用半导电缓冲层材料
IT-UNI，关于半导电材料厚度的标准
- UNI 4526-1960 金属材料表面处理．电解层厚度测量．滴漏化学法
韩国科技标准局，关于半导电材料厚度的标准
- KS C IEC 62047-18:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
KR-KS，关于半导电材料厚度的标准
- KS C IEC 62047-18-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
欧洲标准化委员会，关于半导电材料厚度的标准
- EN 14571:2005 非金属基底材料上金属覆层.覆层厚度的测量.微电阻率法
欧洲电工标准化委员会，关于半导电材料厚度的标准
- EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- EN 62047-21:2014 半导体器件微机电器件第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法
- EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
日本工业标准调查会，关于半导电材料厚度的标准
- JIS C 5630-2:2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法
- JIS C 5630-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料的弯曲试验方法
- JIS C 5630-6:2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
