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チップ3枚

チップ3枚は全部で 500 項標準に関連している。

チップ3枚 国際標準分類において、これらの分類：半導体ディスクリートデバイス、 半導体材料、 非鉄金属、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 周波数制御と選択のための圧電および誘電デバイス、 総合電子部品、 絶縁流体、 建物内の設備、 太陽工学、 語彙、 無機化学、 工作機械、 放射線測定、 金属材料試験、 バッテリーと蓄電池、 有機化学、 薬局、 化学製品、 切削工具、 缶、缶、チューブ、 整流器、コンバータ、安定化電源、 水質、 通信システム、 セラミックス、 回転モーター、 フィルター、 鉄鋼製品、 電子および通信機器用の電気機械部品、 電気、磁気、電気および磁気測定、 農林、 抵抗器、 航空宇宙製造用の材料、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 ブラックメタル、 粒度分析、スクリーニング、 電灯および関連器具。


Defense Logistics Agency, チップ3枚

  • DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 2N930、2N930UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC 低損失半導体デバイス、トランジスタ、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
  • DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1、JAN、JANTX、JANJ エネルギースイッチング半導体デバイス用トランジスタ、プラスチック、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
  • DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 耐放射線相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 耐放射線相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/394 M-2008 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150s, 2N5237S, 2N5238s, An, JANTX, Jans, Jansm, Jansd, Jansl, Jansr, Jansg, Janhca, Janhcb, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, Jankca B, Jankcm, JankCエネルギー変換 半導体デバイス、トランジスタ、三極管、シリコンウェーハの標準仕様
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル トリプル トリプル入力 非トランジスタ互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト16ビットバッファまたはドライバおよび22オーム直列抵抗トライステート出力、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 八角形バッファおよびトライステート出力行ドライバ トランジスタ シリコン モノリシック回路 デジタル バイポーラ マイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 タイプ 2512 1.5 ワット、高出力、低値、ビデオ固定チップ抵抗器
  • DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 シリコンモノリシックパワートランジスタリニアマイクロ回路
  • DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、リニア、トランジスタアレイ、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-87778 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、パワートランジスタ、モノリシックシリコン
  • DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、リニア、トランジスタアレイ、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、16ビット3ポートバススリーステート出力コンバータ、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、改良型ショットキー トランジスタ論理回路、3 ウェイ 3 入力正 AND ゲート、単一シリコン
  • DLA QPL-32192-1-2006 サーマル（サーミスタ）チップ抵抗器の一般仕様
  • DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 シリコンモノリス、トランジスタアレイ、線形超小型回路
  • DLA SMD-5962-97549-1997 八角形クラス D トリガ スリーステート出力双安定マルチバイブレータ トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラ マイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-05009-2005 タイプ 0204、1/4 ワット フィルム チップ (MELF) 固定抵抗器
  • DLA MIL-PRF-32192 (1)-2005 サーマル（サーミスタ）チップ抵抗器の一般仕様
  • DLA SMD-5962-87777 REV B-2001 シリコンモノリシックトランジスタアレイ/ペア線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 低電力ショットキー・トランジスタ・トランジスタ・ロジックを使用した高度なバイポーラ・デジタル・シングル・シリコン・マイクロ回路、反転オクタル・バッファおよびトライステート出力を備えたライン・ドライバ
  • DLA SMD-5962-87611 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トリプル トリプル入力サム ゲート、モノリシック シリコン

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, チップ3枚

  • GB/T 5238-2019 ゲルマニウム単結晶およびゲルマニウム単結晶ウエハ
  • GB/T 12964-2018 シリコン単結晶研磨ウェーハ
  • GB/T 26069-2022 シリコン単結晶アニールシート
  • GB/T 12965-2018 シリコン単結晶カッティングディスクおよびグラインディングディスク
  • GB/T 16595-2019 ウェーハ用のユニバーサルグリッド仕様
  • GB/T 16596-2019 ウェーハ座標系の仕様を決定する
  • GB/T 29055-2019 太陽電池用多結晶シリコンウェーハ
  • GB/T 26071-2018 太陽電池用シリコン枚葉ウェーハ
  • GB/T 37051-2018 ソーラーグレードの多結晶シリコンインゴットおよびウェーハの結晶欠陥密度を測定する方法
  • GB/T 41325-2022 集積回路用の低密度結晶一次ピットシリコン単結晶研磨ウェーハ
  • GB/T 11094-2020 横型ガリウムヒ素単結晶と切断ウェーハ
  • GB/T 19346.3-2021 アモルファスナノ結晶合金の試験方法パート 3: 鉄ベースのアモルファスモノリシック試験片の交流磁気特性

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, チップ3枚

International Electrotechnical Commission (IEC), チップ3枚

  • IEC PAS 62084:1998 ウェーハタッピングおよびウェーハスケーリング技術の実行

Group Standards of the People's Republic of China, チップ3枚

Professional Standard - Electron, チップ3枚

  • SJ 3118-1988 ウェーハキャリア
  • SJ/T 11199-1999 圧電水晶シート
  • SJ 3241-1989 ガリウムヒ素単結晶ロッドおよびシート
  • SJ 3243-1989 リン化インジウム単結晶ロッドおよびシート
  • SJ/T 11502-2015 炭化ケイ素単結晶研磨ウェーハの仕様
  • SJ/T 11505-2015 サファイア単結晶研磨ウェーハの仕様
  • SJ 2572-1985 太陽電池用シリコン単結晶ロッドおよびシート
  • SJ/T 31091-1994 ウェーハインターナルダイシングマシンの完全性要件と検査および評価方法
  • SJ 2592-1985 LSP10.7MA(～E)型水晶積層フィルタ
  • SJ 20437-1994 赤外線検出器用テルル化物・錫・鉛ウェーハの仕様
  • SJ 20520-1995 水銀カドミウムテルル化膜用カドミウム亜鉛テルル化ウェハの仕様
  • SJ 20142-1992 軍用集積回路用微結晶ガラス基板
  • SJ 2154-1982 薄膜集積回路用結晶化ガラス基板
  • SJ/T 31092-1994 ウェーハCNC切断（ダイシング）マシンの完全性要件と検査および評価方法
  • SJ/T 11497-2015 ガリウムヒ素ウェーハの熱安定性の試験方法
  • SJ 20514-1995 マイクロ波パワートランジスタ用シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
  • SJ 20640-1997 赤外線検出器用インジウムアンチモン単結晶ウェーハの規格
  • SJ/T 11492-2015 フォトルミネッセンス法によるガリウム砒素リンウェハの組成測定
  • SJ 20750-1999 軍用CMOS回路用の耐放射線硬化シリコンモノリシックウェーハの仕様
  • SJ/T 9570.2-1995 水晶モノリシックフィルターの品質等級基準
  • SJ 51508.5-1995 LSP21.4M型水晶積層フィルタ 詳細仕様
  • SJ 20438-1994 赤外線検出器用テルル化物・錫・鉛ウェーハの試験方法
  • SJ 51508/8-1999 LP12型水晶積層フィルタの詳細仕様
  • SJ 20230-1993 BJ2951A（JS-5A）トランジスタHFEテスターの校正規定

Professional Standard - Non-ferrous Metal, チップ3枚

  • YS/T 1167-2016 シリコン単結晶エッチングシート
  • YS/T 986-2014 ウェーハの前面にある一連の英数字マーキングの仕様

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, チップ3枚

  • YB 1603-1983 シリコン単結晶カッティングディスクおよびグラインディングディスク

UNKNOWN, チップ3枚

  • YB 1603-83 シリコン単結晶カッティングディスクおよびグラインディングディスク

British Standards Institution (BSI), チップ3枚

  • BS EN 50513:2009 太陽電池ウェーハ: 太陽電池製造用結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報
  • 23/30468947 DC BS EN 62276 表面弾性波 (SAW) デバイスアプリケーションの単結晶ウェーハの仕様と測定方法

Professional Standard - Machinery, チップ3枚

Professional Standard - Agriculture, チップ3枚

German Institute for Standardization, チップ3枚

  • DIN V VDE V 0126-18-3:2007 ソーラーシリコンウェーハ パート 3: 結晶シリコンウェーハのアルカリ腐食損傷 単結晶および多結晶シリコンウェーハの腐食速度の測定方法。
  • DIN 41619:1983 通信用ロータリーチップスイッチ仕様
  • DIN EN 62276:2017-08 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法
  • DIN EN IEC 62276:2023-05 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法
  • DIN ISO 16463:2005 多結晶ダイヤモンドインサート 寸法と種類
  • DIN ISO 16463:2015-08 多結晶ダイヤモンドインサートとチップのサイズとタイプ

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, チップ3枚

  • DB13/T 1314-2010 ソーラーグレード単結晶シリコン角棒、単結晶シリコンウェーハ
  • DB13/T 1633-2012 ソーラーグレードの多結晶シリコンウェーハ
  • DB13/T 1828-2013 ソーラーグレードの単結晶シリコンウェーハ

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, チップ3枚

工业和信息化部, チップ3枚

Danish Standards Foundation, チップ3枚

  • DS/EN 50513:2009 ソーラーウェーハ 太陽電池製造に使用される結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報
  • DS/EN 62276:2013 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法
  • DS/EN ISO 643:2013 鋼の見かけの結晶粒径の顕微鏡写真による測定

Lithuanian Standards Office , チップ3枚

  • LST EN 50513-2009 ソーラーウェーハ 太陽電池製造に使用される結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報
  • LST EN 62276-2006 弾性表面波 (SAW) デバイス用途のための単結晶ウェーハの仕様と測定方法 (IEC 62276:2005)
  • LST EN 62276-2013 弾性表面波 (SAW) デバイス用途のための単結晶ウェーハの仕様と測定方法 (IEC 62276:2012)

AENOR, チップ3枚

  • UNE-EN 50513:2011 ソーラーウェーハ 太陽電池製造に使用される結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報

RO-ASRO, チップ3枚

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), チップ3枚

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, チップ3枚

  • GJB 3076A-2021 リン化ガリウムシングルチップ仕様
  • GJB 3076-1997 リン化ガリウムシングルチップ仕様
  • GJB 2917A-2018 リン化インジウム枚葉仕様
  • GJB 2917A-2004 リン化インジウム枚葉仕様
  • GJB 2917-1997 リン化インジウム枚葉仕様
  • GJB 10342-2021 研磨されたインジウムアンチモン化単結晶ウェーハの仕様
  • GJB 10343-2021 研磨済みアンチモン化ガリウム単結晶ウェーハの仕様
  • GJB 1866-1994 赤外線検出器用水銀カドミウムテルル化物ウェーハの仕様
  • GJB 1944A-2017 宇宙用太陽電池用シリコン単結晶の規格
  • GJB 2452-1995 赤外線検出器用テルル化カドミウム単結晶ウェーハの仕様
  • GJB 2918-1997 検出器グレードの高抵抗ゾーン溶融シリコンモノリスの仕様
  • GJB 1785-1993 赤外線検出器用水銀カドミウムテルル化物ウェーハの試験方法
  • GJB 960-1990 弾性表面波デバイス用人工水晶基板
  • GJB 757-1989 レーダーマイクロ波装置用合成マイカ大型シングルチップ

Professional Standard - Chemical Industry, チップ3枚

  • HG/T 4357-2012 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（TFT-LCD）用偏光板
  • HG/T 4183-2011 液晶ディスプレイ（LCD）用偏光板

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., チップ3枚

  • NAS4117-1996 ヒートシンクインシュレーターウエハータイプ

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, チップ3枚

  • JJG 48-2004 シリコン単結晶抵抗率標準サンプル
  • JJG 48-1990 シリコン単結晶抵抗率標準サンプルの校正手順

JP-JEITA, チップ3枚

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, チップ3枚

Professional Standard - Railway, チップ3枚

ZA-SANS, チップ3枚

  • CKS 587-1983 トリクロロイソシアヌル酸ナトリウム錠の仕様

Association Francaise de Normalisation, チップ3枚

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), チップ3枚

  • JIS C 6760:2014 弾性表面波（SAW）デバイス用単結晶ウェーハ 仕様と測定方法

SE-SIS, チップ3枚

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, チップ3枚

Professional Standard - Building Materials, チップ3枚

  • JC/T 2343-2015 導波モード法による単結晶酸化アルミニウム管の作製
  • JC/T 471-1992 感光検出器用人工水晶シート

RU-GOST R, チップ3枚

IN-BIS, チップ3枚

  • IS 3191-1968 氷晶石と三フッ化アルミニウムのサンプリング方法
  • IS 4570 Pt.8-1985 水晶振動子ブラケット仕様その8 金属溶接3線式水晶振動子ブラケット タイプDK

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, チップ3枚

  • GB/T 19346.2-2017 アモルファスナノ結晶合金の試験方法パート 2: ストリップ積層率
  • GB/T 35305-2017 太陽電池用ガリウムヒ素単結晶研磨ウエハ

Professional Standard - Aviation, チップ3枚

  • HB 6742-1993 X線裏面照射ラウエ写真による単結晶ブレードの結晶方位の決定

Professional Standard - Education, チップ3枚

Society of Automotive Engineers (SAE), チップ3枚

  • SAE AMS7851D-2013 再結晶コロンビウム (ニオブ) 合金箔、シート、ストリップおよびプレート 10W-2.5Zr
  • SAE AMS7851B-1995 フォイル、シート、ストリップおよびプレート、ニオブ合金 10W 2.5Zr 再結晶化

API - American Petroleum Institute, チップ3枚

IEC - International Electrotechnical Commission, チップ3枚

  • PAS 62276-2001 弾性表面波デバイス用単結晶ウェーハ 仕様と測定方法（Version 1.0）

U.S. Military Regulations and Norms, チップ3枚

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, チップ3枚

  • DB61/T 512-2011 太陽電池用単結晶シリコンウェーハの検査ルール

国家建筑材料工业局, チップ3枚

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, チップ3枚

  • EN 62276:2013 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, チップ3枚

  • EN 62276:2016 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法
  • EN 50513:2009 ソーラーウェーハ：太陽光発電の製造に使用される結晶シリコンウェーハのデータシートと製品情報

ES-UNE, チップ3枚

  • UNE-EN 62276:2016 弾性表面波 (SAW) デバイス用途の単結晶ウェーハの仕様と測定方法

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, チップ3枚

  • JJF 1760-2019 シリコン単結晶抵抗率標準サンプル校正仕様書

American Society for Testing and Materials (ASTM), チップ3枚

  • ASTM F1212-89(1996)e1 ガリウムヒ素ウェーハの熱安定性の試験方法
  • ASTM F1212-89(2002) ガリウムヒ素ウェーハの熱安定性の試験方法
  • ASTM F1726-97 シリコンウェーハの結晶学的完全性分析に関する標準ガイドライン
  • ASTM F847-94(1999) 単結晶シリコンウェーハ上の基準面の結晶方位を X 線で測定するための標準的な試験方法
  • ASTM E930-99 金属組織研削ディスクで観察される最大粒子 (ALA 粒子) を評価するための標準的な試験方法
  • ASTM E930-99(2007) 金属組織研削ディスクで観察される最大粒子 (ALA 粒子) を評価するための標準的な試験方法

International Organization for Standardization (ISO), チップ3枚

  • ISO 16463:2004 多結晶ダイヤモンドインサート 寸法と種類
  • ISO 16463:2014 多結晶ダイヤモンドインサート 寸法と種類

Professional Standard - Commodity Inspection, チップ3枚

Professional Standard - Labor and Labor Safety, チップ3枚

  • LD/T 94-1996 クリスタルケトル用ビープラグ式過圧破裂ディスク装置

CU-NC, チップ3枚

  • NC 26-92-23-1986 薬。 「トリフルオペラジン錠」錠剤。 1mg品質仕様

Professional Standard-Packaging, チップ3枚

  • BB/T 0010-1997 包装容器 イージーオープンフタ スリーピース缶

化学工业部, チップ3枚

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, チップ3枚

  • GJB 5971-2007 10MHz～100MHz帯域通過モノリシック水晶フィルタ仕様

劳动部, チップ3枚

  • LD/T 0094-1996 クリスタルケトル用スクリュープラグ式超高圧破裂ディスク装置

  ウエハース, 標準シリコンウェーハ, シリコンウェーハ, ウェーハ検査, シリコンウェーハの検出方法, ウェーハ ウェーハ, シリコンウェーハ要素, txrfシリコンウェーハ, シリコンウェーハエッジ, TXRFチップ, ウェーハ処理, テルル化亜鉛ウェーハ, 3チップトリガー, チップ3枚, ウェハCNC切断, ウェハCNC切断, シングルチップ, スーパーチップ, ウェーハ検査, ウェーハキャリア.

 



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