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반도체 테스트 시스템

모두 500항목의 반도체 테스트 시스템와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 테스트 시스템와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 원자력공학, 반도체 개별 장치, 광전자공학, 레이저 장비, 광섬유 통신, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 소프트웨어 개발 및 시스템 문서화, 무기화학, 방사선 측정, 금속 재료 테스트, 길이 및 각도 측정, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 반도체 소재, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 전자 장비용 기계 부품, 어휘, 그래픽 기호, 정보 기술 응용, 종합 전자 부품, 인쇄 회로 및 인쇄 회로 기판, 전기 장비 부품, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 품질, 항공우주 시스템 및 운영 장치, 전송 및 배전망, 전기 및 전자 테스트, 산업자동화 시스템, 저항기, 표면 처리 및 도금, 단열재, 전선 및 케이블, 계측 및 측정 합성, 농업 및 임업, 진공 기술, 정보 기술을 위한 언어, 고무 및 플라스틱 제품, 소방, 플라스틱.


Professional Standard - Electron, 반도체 테스트 시스템

  • SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 반도체 이산 장치 테스트 시스템 검증 규정
  • SJ/T 2215-2015 반도체 광커플러 테스트 방법
  • SJ 2749-1987 반도체 레이저 다이오드 테스트 방법
  • SJ 2214.1-1982 반도체 감광성 튜브 테스트 방법의 일반 원칙
  • SJ/T 11394-2009 반도체 발광 다이오드 테스트 방법
  • SJ 20788-2000 반도체 다이오드 열임피던스 테스트 방법
  • SJ 2355.1-1983 반도체 발광 소자의 테스트 방법 일반 원리
  • SJ 2215.1-1982 반도체 광커플러 테스트 방법의 일반 원리
  • SJ 20787-2000 반도체 브리지 정류기 열 저항 테스트 방법
  • SJ/T 11399-2009 반도체 발광 다이오드 칩 테스트 방법
  • SJ/T 11405-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • SJ 2355.5-1983 반도체 발광소자 시험방법, 법선광강도 및 반광도각 시험방법
  • SJ 2065-1982 반도체 소자 생산에 사용되는 확산로의 시험 방법
  • SJ 2355.6-1983 반도체 발광소자 시험방법, 광속 시험방법
  • SJ 2355.4-1983 반도체 발광소자 시험방법, 접합용량 시험방법
  • SJ/T 2214-2015 반도체 포토다이오드 및 포토트랜지스터 테스트 방법
  • SJ 2355.3-1983 반도체 발광소자 시험방법 역전류 시험방법
  • SJ 2355.2-1983 반도체 발광소자 시험방법 순방향 전압강하 시험방법
  • SJ/T 10482-1994 반도체의 심부 에너지 준위의 과도 용량 테스트 방법
  • SJ 20026-1992 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • SJ 2214.3-1982 반도체 포토다이오드의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2214.5-1982 반도체 포토다이오드 접합 용량 테스트 방법
  • SJ 2214.8-1982 반도체 포토트랜지스터의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2658.1-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 일반 원리
  • SJ 2658.4-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 정전용량의 시험방법
  • SJ 2355.7-1983 반도체 발광 소자의 시험 방법, 발광 피크 파장 및 스펙트럼 반폭 시험 방법
  • SJ 2658.13-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 출력광전력의 온도계수 시험방법
  • SJ 2214.2-1982 반도체 포토다이오드의 순방향 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2214.7-1982 반도체 포토트랜지스터의 포화 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2214.10-1982 반도체 포토다이오드 및 삼극관의 광전류 테스트 방법
  • SJ 2658.2-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2658.3-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 역전압 시험방법
  • SJ 2215.6-1982 반도체 광커플러(다이오드) 접합 용량 테스트 방법
  • SJ 2215.8-1982 반도체 광 커플러의 출력 포화 전압 강하 테스트 방법
  • SJ/T 11818.1-2022 반도체 UV 방출 다이오드 1부: 테스트 방법
  • SJ 2658.7-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 복사속의 시험방법
  • SJ 2658.10-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 변조된 광대역의 테스트 방법
  • SJ 2658.12-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 피크 방출 파장 및 스펙트럼 반폭 테스트 방법
  • SJ 2215.14-1982 반도체 광커플러의 입출력간 절연내압 시험방법
  • SJ 2757-1987 고농도로 도핑된 반도체의 캐리어 농도에 대한 적외선 반사 테스트 방법
  • SJ 2215.3-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전류 테스트 방법
  • SJ 2214.4-1982 반도체 포토다이오드의 역항복 전압 테스트 방법
  • SJ 2215.4-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역전류 테스트 방법
  • SJ 2215.10-1982 반도체 광커플러의 DC 전류 전달 비율 테스트 방법
  • SJ 2215.12-1982 반도체 광 커플러의 입력과 출력 사이의 절연 용량 테스트 방법
  • SJ/T 10735-1996 반도체 집적 회로 TTL 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10736-1996 반도체 집적회로의 HTL 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10737-1996 반도체 집적 회로 ECL 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10741-2000 반도체 집적 회로 CMOS 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10741-1996 반도체 집적 회로 CMOS 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ 2215.2-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2215.13-1982 반도체 광커플러의 입력과 출력간 절연저항 시험방법
  • SJ 2658.6-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 출력광전력 시험방법
  • SJ 2658.8-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 정상복사시험방법
  • SJ 2658.9-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 방사강도 및 반강도각의 공간분포 시험방법
  • SJ 2658.5-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 직렬 저항 테스트 방법
  • SJ 2658.11-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 시험 방법, 임펄스 응답 특성의 시험 방법
  • SJ/T 10880-1996 반도체 집적 오디오 회로 스테레오 디코더 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10804-2000 반도체 집적 회로 레벨 변환기 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10805-2000 반도체 집적 회로, 전압 비교기 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ 2215.5-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역항복 전압 테스트 방법
  • SJ 2215.9-1982 반도체 광커플러(트랜지스터)의 역방향 차단 전류 테스트 방법
  • SJ/T 10882-1996 반도체 집적 회로 선형 증폭기 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10803-1996 반도체 집적 인터페이스 회로 라인의 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 11820-2022 반도체 개별 장치 DC 매개 변수 테스트 장비 기술 요구 사항 및 측정 방법
  • SJ 2214.9-1982 반도체 포토다이오드 및 트랜지스터의 펄스 상승 및 하강 시간 테스트 방법
  • SJ/T 10739-1996 반도체 집적 회로 MOS 랜덤 액세스 메모리 테스트 방법의 기본 원리

British Standards Institution (BSI), 반도체 테스트 시스템

  • BS EN IEC 63364-1:2022 반도체 소자 사물인터넷 시스템에 사용되는 반도체 소자의 소리 변화 검출을 위한 테스트 방법
  • BS EN 62007-2:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 반도체 장치 사물 인터넷 시스템에 사용되는 반도체 장치 1부 소리 변화 감지를 위한 테스트 방법
  • BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
  • BS IEC 62951-7:2019 유연한 유기 반도체 필름 봉지의 장벽 특성을 특성화하기 위한 유연하고 신축성 있는 반도체 장치 테스트 방법
  • BS IEC 62951-6:2019 반도체 소자의 유연한 전도성 필름 및 신축성 있는 반도체 소자의 면저항 시험 방법
  • BS IEC 62373-1:2020 반도체 장치 금속 산화물, 반도체, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 바이어스 온도 안정성 테스트 MOSFET의 빠른 BTI 테스트
  • BS EN 60191-4:2014 반도체 소자의 기계적 표준화 반도체 소자 패키지 개요에 대한 코딩 체계 및 분류 형식
  • BS EN 60191-4:2014+A1:2018 반도체 소자 기계 표준화 반도체 소자 패키징의 코딩 체계 및 패키징 외관 분류
  • BS IEC 62951-1:2017 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 반도체 장치 유연 및 신축성 반도체 장치 굽힘 테스트 방법
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 반도체 장치 반도체 장치에 대한 웨이퍼 수준 신뢰성 구리 응력 마이그레이션 테스트 방법
  • 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 34-1 전력 반도체 모듈의 전원 사이클 테스트
  • BS EN 62007-1:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성
  • BS IEC 63275-1:2022 반도체 소자 탄화 규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 신뢰성 테스트 방법 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • BS IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
  • BS IEC 60747-14-11:2021 반도체 장치 반도체 센서 표면 탄성파를 기반으로 한 자외선, 조도 및 온도 측정용 통합 센서 테스트 방법
  • BS IEC 62951-9:2022 저항성 메모리 유닛을 위한 반도체 소자 유연 신축성 반도체 소자-트랜지스터-저항(1T1R) 성능 테스트 방법
  • BS IEC 62880-1:2017 반도체 소자 스트레스 마이그레이션 테스트 표준 - 구리 스트레스 마이그레이션 테스트 표준
  • BS ISO 18257:2016 항공우주 시스템, 항공우주 응용 분야용 반도체 집적 회로, 설계 요구 사항
  • BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • BS EN 60749-34:2010 반도체 장치, 기계 및 환경 테스트 방법, 전원 주기
  • BS EN 60749-6:2017 반도체 장치 고온 보관에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • BS EN IEC 60749-17:2019 반도체 장치 중성자 조사에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • PD ES 59008-4-1:2001 반도체 칩에 대한 데이터 요구 사항 특정 요구 사항 및 권장 사항 테스트 및 품질
  • BS EN 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 인장 테스트용 필름 표준 시편
  • BS IEC 60747-18-1:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서 교정 테스트 방법 및 데이터 분석
  • IEC TR 63357:2022 반도체 장치의 자동차 고장 테스트 방법에 대한 표준화 로드맵
  • BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • BS IEC 62951-8:2023 반도체 소자의 유연성과 신축성 반도체 소자의 신축성, 유연성 및 안정성을 위한 유연한 저항성 메모리 테스트 방법
  • BS IEC 62830-5:2021 에너지 하베스팅 및 발전용 반도체 소자 플렉서블 열전소자에서 발생하는 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • BS EN 62047-4:2010 반도체 장치 마이크로 전자 기계 장치 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS) 일반 사양
  • BS EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • BS IEC 62830-4:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법
  • BS EN 60749-9:2017 반도체 장치에 대한 기계 및 기후 테스트 방법 표시의 지속성
  • BS EN 60749-3:2017 반도체 장치 외부 육안 검사에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • BS IEC 63284:2022 반도체 소자 질화갈륨 트랜지스터 유도부하 스위치 신뢰성 시험방법
  • BS EN 60749-29:2011 반도체 장치 기계적 및 기후적 저항에 대한 테스트 방법 래치업 효과 테스트
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 반도체 장치 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 신뢰성 테스트 방법 1부. 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
  • BS EN 60749-4:2017 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법 HAST(Hygrothermal, Steady State, Highly Accelerated Stress Testing)
  • BS EN 60749-5:2017 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 정상 상태 온도 습도 바이어스 수명 테스트
  • 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 반도체 장치의 기계적 표준화 파트 6-16 BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 반도체소자 광전자소자 발광다이오드 LED 효율 시험 방법
  • BS EN IEC 60749-18:2019 반도체 장치 전리 방사선에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법(총 선량)
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 5부 유연한 열전 장치의 발전 측정을 위한 테스트 방법
  • BS EN 60749-26:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • BS EN 60749-26:2014 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 반도체 장치 파트 18-3 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
  • BS IEC 62526:2007 반도체 설계 환경을 위한 STIL(Standard Test Interface Language)에 대한 확장 표준
  • BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법

Association Francaise de Normalisation, 반도체 테스트 시스템

  • NF EN IEC 63364-1:2023 반도체 장치 - IDO 시스템용 반도체 장치 - 1부: 음향 변화 감지 테스트 방법
  • NF EN 62415:2010 반도체 장치 – 정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • NF EN 62417:2010 반도체 장치 - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트
  • NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • NF EN 62416:2010 반도체 장치 – MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • NF C53-228:1989 반도체 컨버터, 무정전 전원 시스템용 스위치
  • NF EN 60749-44:2016 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 단일 이벤트 효과(SEE) 테스트 방법
  • NF EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • NF EN 62418:2011 반도체 장치 - 금속화 응력으로 인한 공동 테스트
  • NF EN 60191-4/A1:2018 반도체 소자의 기계적 표준화 4부: 반도체 소자 패키지 구조의 코딩 체계 및 형상 분류
  • NF EN 60191-4:2014 반도체 소자의 기계적 표준화 4부: 반도체 소자 패키지 구조의 코딩 체계 및 형상 분류
  • NF EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지의 외형 분류 및 코딩 체계
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지의 외형 분류 및 코딩 체계
  • NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 개요의 코딩 체계 및 분류 형식
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 개요의 코딩 체계 및 분류 형식
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지의 코딩 시스템 분류 및 패키지 개요 형태
  • NF EN 60749-29:2012 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 29: 래치업 테스트
  • NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 9: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 결합 강도 테스트.
  • NF C53-225:1985 DC 고전압 송전용 반도체 진공관 테스트
  • NF EN 62047-11:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 11부: 미세 전자기계 시스템의 독립형 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
  • NF C86-503:1986 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 광트랜지스터, 광전지 복합 트랜지스터 및 광전자 반도체 회로 빈 세부 사양 CESS 20 003
  • NF C83-282:1987 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 반도체 과전압 제한을 위한 가변 저항기
  • NF EN 60749-8:2003 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 8: 밀봉
  • NF EN 60749-1:2003 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 1부: 개요
  • NF EN 60749-21:2012 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 21: 납땜성
  • NF EN 60749-2:2002 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 2부: 낮은 대기압
  • NF ISO 10677:2011 반도체 광촉매 재료 테스트용 기술 세라믹 UV 광원
  • NF EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자 - 기계적 및 기후적 시험 방법 - 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • NF EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • NF C86-411:1987 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 박막 하이브리드 집적 회로 하위 사양
  • NF EN 62047-12:2012 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 12부: 미세 전자 기계 시스템 구조 활용(M...
  • NF EN 60749-6:2017 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 6부: 고온 보관
  • NF EN 60749-25:2003 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 25: 온도 사이클링
  • NF EN 60749-34:2011 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 34: 전원 사이클링
  • NF EN IEC 60749-13:2018 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 13: 바닷물 분위기
  • NF EN IEC 60749-17:2019 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 17: 중성자 조사

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 테스트 시스템

  • GB/T 11685-2003 반도체 X선 검출기 시스템 및 반도체 X선 에너지 분광계의 측정 방법
  • GB/T 31359-2015 반도체 레이저 테스트 방법
  • GB/T 42835-2023 반도체 집적회로 시스템온칩(SoC)
  • GB/T 5201-1994 하전입자 반도체 검출기의 테스트 방법
  • GB/T 1550-1997 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 13974-1992 반도체 튜브 특성 그래픽 계측기 테스트 방법
  • GB/T 6616-2023 반도체 웨이퍼의 저항률 및 반도체 필름의 면저항을 테스트하기 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 42975-2023 반도체 집적 회로 드라이버 테스트 방법
  • GB/T 10236-2006 반도체 컨버터와 전원 공급 시스템 간의 호환성 및 간섭 보호에 대한 지침
  • GB/T 42838-2023 반도체 집적회로 홀 회로 테스트 방법
  • GB/T 43061-2023 반도체 집적회로 PWM 컨트롤러 테스트 방법
  • GB/T 42676-2023 반도체 단결정 품질검사 X선 회절법
  • GB/T 36477-2018 반도체 집적회로 플래시 메모리 테스트 방법
  • GB/T 4377-2018 반도체 집적 회로 전압 조정기 테스트 방법
  • GB/T 15653-1995 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • GB/T 43040-2023 반도체 집적회로 AC/DC 컨버터 테스트 방법
  • GB/T 42970-2023 반도체 집적회로 비디오 인코딩 및 디코딩 회로 테스트 방법
  • GB/T 14862-1993 반도체 집적회로 패키지 접합-케이스 열저항 테스트 방법
  • GB/T 14028-1992 반도체 집적회로 아날로그 스위치 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 14030-1992 반도체 집적 회로 시간 기반 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 42848-2023 반도체 집적회로 직접 디지털 주파수 합성기 테스트 방법
  • GB 35007-2018 반도체 집적 회로 저전압 차동 신호 회로 테스트 방법
  • GB 14030-1992 반도체 집적 회로 시간 기반 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • GB 14028-2018 반도체 집적회로 아날로그 스위치 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 6798-1996 반도체 집적 회로 전압 비교기 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 4377-1996 반도체 집적 회로 전압 조정기 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 14031-1992 반도체 집적 회로 아날로그 위상 고정 루프 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 14032-1992 반도체 집적 회로의 디지털 위상 고정 루프 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 14029-1992 반도체 집적 회로 아날로그 곱셈기 테스트 방법의 기본 원리
  • GB 14029-1992 반도체 집적 회로 아날로그 곱셈기 테스트 방법의 기본 원리
  • GB 14031-1992 반도체 집적 회로 아날로그 위상 고정 루프 테스트 방법의 기본 원리
  • GB 14032-1992 반도체 집적 회로의 디지털 위상 고정 루프 테스트 방법의 기본 원리
  • GB/T 4326-2006 외부 반도체 단결정 홀 이동도 및 홀 계수 측정 방법
  • GB 4326-1984 외부 반도체 단결정 홀 이동도 및 홀 계수 측정 방법
  • GB/T 15136-1994 반도체 집적 회로 석영 시계 회로 테스트 방법의 기본 원리

ES-UNE, 반도체 테스트 시스템

  • UNE-EN IEC 63364-1:2023 반도체 장치 사물 인터넷 시스템에 사용되는 반도체 장치 1부: 소리 변화 감지 테스트 방법
  • UNE-EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • UNE-EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • UNE-EN 62416:2010 반도체 장치 MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • UNE-EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • UNE-EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • UNE-EN 60749-44:2016 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • UNE-EN 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지의 코딩 시스템 및 패키지 개요 형태 분류
  • UNE-EN 60749-29:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 29부: 래치업 테스트
  • UNE-EN 60191-4:2014 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지의 코딩 체계 및 패키지 개요 형태의 분류
  • UNE-EN 62047-11:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 11부: 미세 전자기계 시스템용 자립 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • UNE-EN 60191-6-16:2007 반도체 장치의 기계적 표준화 6-16부: BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집(IEC 60191-6-16:2007)
  • UNE-EN IEC 60749-13:2018 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 13부: 염분 분위기
  • UNE-EN 60749-21:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 21부: 납땜성
  • UNE-EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • UNE-EN IEC 60749-17:2019 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 17부: 중성자 조사
  • UNE-EN IEC 60749-12:2018 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 12부: 진동 주파수 변환

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 테스트 시스템

  • IEC 63364-1:2022 반도체 장치 사물 인터넷 시스템용 반도체 장치 1부: 소리 변화 감지 테스트 방법
  • IEC 62416:2010 반도체 장치 - Mos 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • IEC 62007-2:1997 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 개요의 코딩 체계 및 분류
  • IEC 62007-2:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 60191-4:2002 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키징 형태의 분류 및 코딩 시스템
  • IEC 60191-4:1987 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키징 형태의 분류 및 코딩 시스템
  • IEC 60749-44:2016 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 파트 44: 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(참조) 반도체 장치의 테스트 방법
  • IEC 60191-4:1999 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계
  • IEC 60191-4:2013 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계
  • IEC 60191-4:2018 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법 수정 1
  • IEC 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 60333:1993 원자력 기기 반도체 하전입자 검출기 테스트 절차
  • IEC 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자기계 장치 9부: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 웨이퍼 결합 강도 테스트
  • IEC 62047-9:2011/COR1:2012 반도체 장치 미세 전자기계 장치 9부: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 웨이퍼 결합 강도 테스트
  • IEC 60191-4/AMD1:2001 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계 수정 1
  • IEC 60191-4/AMD2:2002 반도체 장치의 기계적 표준화 제4부: 반도체 장치 패키징 형태의 분류 및 코딩 시스템 수정 2
  • IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계 수정 1
  • IEC 62951-9:2022 반도체 소자 유연하고 신축성 있는 반도체 소자 9부: 1트랜지스터 1저항(1T1R) 저항성 메모리 유닛의 성능 테스트 방법
  • IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 18-3부: 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 부품의 유체 흐름 특성
  • IEC 60146-5:1988 반도체 변환기 5부: 무정전 전원 공급 장치 시스템 스위치(UPS 스위치)
  • IEC 60146-4:1986 반도체 변환기 4부: 무정전 전력 시스템에 대한 성능 및 테스트 요구 사항을 지정하는 방법
  • IEC 62830-5:2021 반도체 장치 에너지 수집 및 생성을 위한 반도체 장치 5부: 유연한 열전 장치에서 생성된 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • IEC 62880-1:2017 반도체 장치 - 응력 전이 테스트 표준 - 1부 - 구리 응력 전이 테스트 표준
  • IEC 60749-39:2021 RLV 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 60749-39:2021 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 60749-13:2018 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 13: 염분 분위기
  • IEC 62007-1:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성.
  • IEC 62007-1:1997 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성
  • IEC 60749-34:2010 반도체 장치, 기계 및 환경 테스트 방법, 파트 34: 전원 사이클링

American National Standards Institute (ANSI), 반도체 테스트 시스템

  • ANSI/EIA 370-B:1992 반도체 장치의 명명 시스템
  • ANSI/IEEE 300:1988 반도체 하전 입자 검출기의 테스트 절차
  • ANSI/ASTM D6095:2012 압축 성형된 교차 연결된 열가소성 반도체, 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항의 종방향 측정을 위한 테스트 방법
  • ANSI/UL 2360-2004 반도체 장치 구성에 사용되는 플라스틱의 가연성 특성 측정을 위한 테스트 방법

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 테스트 시스템

HU-MSZT, 반도체 테스트 시스템

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 시스템

  • GB/T 36005-2018 반도체 조명 장비 및 시스템의 광방사선 안전 시험 방법
  • GB/T 14028-2018 반도체 집적회로 아날로그 스위치 테스트 방법
  • GB/T 35006-2018 반도체 집적 회로 레벨 변환기 테스트 방법
  • GB/T 35007-2018 반도체 집적 회로 저전압 차동 신호 회로 테스트 방법

CZ-CSN, 반도체 테스트 시스템

RO-ASRO, 반도체 테스트 시스템

  • STAS 11066/2-1980 반도체 카세트 유동관. 테스트 방법
  • STAS 6693/2-1975 반도체 장비. 트랜지스터. 전자 성능 테스트 방법
  • STAS CEI 191-4-1992 반도체 장치의 기계적 표준화. 제4부: 반도체소자 패키징 개요서에 따른 코딩체계 및 분류

Defense Logistics Agency, 반도체 테스트 시스템

IN-BIS, 반도체 테스트 시스템

  • IS 7412-1974 반도체 소자의 수명 테스트
  • IS 9816-1981 반도체 장치 테스트에 대한 일반 요구 사항 및 분류
  • IS 12641-1989 반도체 장치 및 집적 회로에 대한 환경 테스트 절차
  • IS 12737-1988 반도체 X선 에너지 분광계의 표준 테스트 절차

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 테스트 시스템

YU-JUS, 반도체 테스트 시스템

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 테스트 시스템

Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 테스트 시스템

  • YD/T 2001.2-2011 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 2부: 테스트 방법
  • YD/T 701-1993 반도체 레이저 다이오드 조립 테스트 방법

Danish Standards Foundation, 반도체 테스트 시스템

  • DS/EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • DS/EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • DS/EN 62416:2010 반도체 장치 MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • DS/EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • DS/EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • DS/EN 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • DS/EN 60749-29:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 29부: 래치업 테스트
  • DS/EN 60191-6-16:2007 반도체 장치의 기계적 표준화 6-16부: BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집
  • DS/EN 62047-11:2013 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 11: 미세 전자기계 시스템에 사용되는 독립 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
  • DS/EN 60749-2:2003 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 2부: 낮은 대기압
  • DS/EN 60749-21:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 21부: 납땜성
  • DS/EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • DS/EN 60749-34:2011 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 34부: 전원 사이클링
  • DS/EN 60749-25:2004 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 25부: 온도 사이클링

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 테스트 시스템

  • EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • EN 62007-2:2000 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN 60191-4:2014 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 외형도 유형의 분류 및 번호 부여 체계
  • EN 60749-29:2003 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 29부: 래치업 테스트
  • EN 60749-34:2004 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 34부: 전원 사이클

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 테스트 시스템

German Institute for Standardization, 반도체 테스트 시스템

  • DIN EN 62415:2010-12 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • DIN EN 62417:2010-12 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • DIN EN 62416:2010-12 반도체 장치 - MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • DIN 50448:1998 반도체 공정 재료 테스트 용량성 검출기를 사용하여 반절연 반도체 슬라이스의 비저항 측정
  • DIN EN 62418:2010-12 반도체 장치-금속화 응력 보이드 테스트
  • DIN EN 60191-4:2003 반도체 소자의 기계적 표준화 제4부: 반도체 소자 패키지 형상 코딩 시스템 및 분류
  • DIN 50441-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 반도체 칩의 기하학적 치수 측정 2부: 각도 단면 테스트
  • DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
  • DIN 50441-5:2001 반도체 기술 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 5부: 모양 및 평탄도 편차에 대한 용어
  • DIN EN 60749-44:2017-04 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • DIN EN 62007-2:2009-09 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • DIN EN 60749-38:2008-10 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 38: 메모리가 있는 반도체 장치에 대한 소프트 오류 테스트 방법(IEC 60749-38:2008)
  • DIN SPEC 1994:2017-02 반도체 기술용 재료 테스트 약산의 음이온 측정
  • DIN EN 60749-29:2012-01 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 29부: 래치업 테스트
  • DIN EN 60191-6-16:2007-11 반도체 장치의 기계적 표준화 6-16부: BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집
  • DIN EN IEC 63364-1:2023-10 반도체 장치 - 사물 인터넷 시스템용 반도체 장치 - 1부: 소리 변화 감지를 위한 테스트 방법(IEC 47/2742/CDV:2021), 독일어 및 영어 버전 prEN IEC 63364-1:2021 / 참고: 출시 날짜 2023-09 -29
  • DIN 50449-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 적외선 흡수를 통한 반도체의 불순물 함량 측정 2부: 갈륨비소 내 붕소
  • DIN EN 62047-11:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 11: 미세 전자기계 시스템용 자립 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
  • DIN EN 60749-8:2003-12 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 8부: 밀봉
  • DIN EN 60749-39:2007-01 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • DIN EN 60191-4:2019-02 반도체 소자의 기계적 표준화 - 4부: 반도체 소자 패키지의 코딩 시스템 및 패키징 형태 분류(IEC 60191-4:2013 + A1:2018)
  • DIN EN 60749-21:2012-01 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 21부: 납땜성
  • DIN EN IEC 60749-13:2018-10 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 13부: 염분 분위기
  • DIN EN 62373:2007-01 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • DIN 50452-1:1995-11 반도체 기술용 재료 테스트 - 액체 내 입자 분석을 위한 테스트 방법 - 1부: 입자의 현미경 측정
  • DIN EN 60191-4:2014 반도체 장치의 기계적 표준화 4부: 반도체 장치 패키징 인클로저의 코딩 시스템 및 모양 분류(IEC 60191-4-2013) 독일어 버전 EN 60191-4-2014
  • DIN EN 60749-34:2011-05 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 34부: 전원 사이클링
  • DIN EN 60749-25:2004-04 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 25부: 온도 사이클링
  • DIN EN 60749-27:2013-04 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 27부: 정전기 방전
  • DIN EN 60749-6:2017-11 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 6부: 고온 보관
  • DIN EN 60749-22:2003-12 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 22부: 접착 강도
  • DIN EN IEC 60749-12:2018-07 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 12부: 진동 주파수 변환

工业和信息化部, 반도체 테스트 시스템

  • SJ/T 2749-2016 반도체 레이저 다이오드 테스트 방법
  • SJ/T 10805-2018 반도체 집적회로 전압 비교기 테스트 방법
  • SJ/T 11702-2018 반도체 집적회로 직렬 주변기기 인터페이스 테스트 방법
  • SJ/T 11706-2018 반도체 집적회로 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이 테스트 방법
  • SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 "반도체 발광 다이오드 테스트 방법" 응용 가이드

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 시스템

  • GB/T 1550-2018 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 39771.2-2021 반도체 발광다이오드의 광방사 안전성 제2부: 시험방법

Professional Standard - Aerospace, 반도체 테스트 시스템

  • QJ 259-1977 반도체 통합 조정 전원 공급 장치 테스트 방법
  • QJ 257-1977 반도체 TTL 집적 디지털 회로 테스트 방법
  • QJ 1528-1988 반도체 집적 회로 시간 기반 테스트 방법
  • QJ/Z 32-1977 반도체 통합 비교 증폭기 테스트 방법
  • QJ 260-1977 반도체 일체형 위상 감응 정류기 회로 테스트 방법
  • QJ 1460-1988 반도체 집적회로 광대역 증폭기 테스트 방법
  • QJ 2491-1993 반도체 집적 회로 연산 증폭기 테스트 방법
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  • EN 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: 미세 전자 기계 시스템(MEMS) 실리콘 웨이퍼의 실리콘 결합 강도 테스트
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  • EN 62047-10:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: 미세 전자 기계 시스템(MEMS) 재료의 미세 기둥 압축 테스트
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  • JB/T 6307.3-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 정류기 3상 브리지
  • JB/T 4219-1999 전력반도체 소자 시험장비, 모델명칭방법
  • JB/T 6307.4-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 바이폴라 트랜지스터 암 및 암 쌍
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  • GJB 9147-2017 반도체 집적 회로 연산 증폭기 테스트 방법
  • GJB 3219-1998 공대공 미사일 시스템 종합 성능 시험 방법
  • GJB 5410-2005 전략적 미사일 터미널 유도 시스템 테스트 및 발사 절차

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  • ASTM D4325-20 비금속 반도체 및 전기 절연 고무 테이프에 대한 표준 테스트 방법
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Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 테스트 시스템

  • CNS 6802-1980 반도체 로직 게이트 마이크로회로의 노이즈 한계 테스트 절차
  • CNS 8104-1981 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 선형 임계전압 테스트 방법
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  • CNS 5751-1980 전자 부품 및 반도체 응용 분야의 세라믹 겉보기 밀도 테스트 방법

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., 반도체 테스트 시스템

  • ASHRAE 4513-2002 반도체공장 공정배기시스템에 3C Air duct 설계방법 적용

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  • SAE ARP1625-1994 저온 가스 시스템, 미사일 또는 발사체에 대한 설계, 설치, 테스트 및 요구 사항
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AENOR, 반도체 테스트 시스템

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Professional Standard - Forestry, 반도체 테스트 시스템

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