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DE반도체 테스트 원리
모두 500항목의 반도체 테스트 원리와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 반도체 테스트 원리와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 개별 장치, 광전자공학, 레이저 장비, 소프트웨어 개발 및 시스템 문서화, 무기화학, 방사선 측정, 금속 재료 테스트, 길이 및 각도 측정, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 반도체 소재, 광섬유 통신, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 어휘, 종합 전자 부품, 전기 장비 부품, 원자력공학, 전송 및 배전망, 전기 및 전자 테스트, 산업자동화 시스템, 전자 장비용 기계 부품, 단열재, 전선 및 케이블, 진공 기술, 정보 기술을 위한 언어, 고무 및 플라스틱 제품, 소방, 정보 기술 응용, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 플라스틱, 항공우주 시스템 및 운영 장치, 전기공학종합, 광학 및 광학 측정, 음향 및 음향 측정, 세라믹, 농업 및 임업, 분석 화학, 입자 크기 분석, 스크리닝.
SE-SIS, 반도체 테스트 원리
Professional Standard - Electron, 반도체 테스트 원리
- SJ/T 10735-1996 반도체 집적 회로 TTL 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10736-1996 반도체 집적회로의 HTL 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10737-1996 반도체 집적 회로 ECL 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10741-2000 반도체 집적 회로 CMOS 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10741-1996 반도체 집적 회로 CMOS 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10804-2000 반도체 집적 회로 레벨 변환기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10805-2000 반도체 집적 회로, 전압 비교기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10882-1996 반도체 집적 회로 선형 증폭기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10803-1996 반도체 집적 인터페이스 회로 라인의 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10880-1996 반도체 집적 오디오 회로 스테레오 디코더 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10739-1996 반도체 집적 회로 MOS 랜덤 액세스 메모리 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10738-1996 반도체 집적 회로 작동(전압) 증폭기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10800-1996 반도체 통합 인터페이스 회로 감지 증폭기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10802-1996 반도체 집적 인터페이스 회로의 주변 드라이버 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10805-1996 반도체 통합 인터페이스 회로 전압 비교기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10804-1996 반도체 통합 인터페이스 회로 레벨 컨버터 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10806-1996 반도체 통합 인터페이스 회로 디스플레이 드라이버 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 11005-1996 반도체 텔레비전 집적 회로 사운드 채널 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 11006-1996 반도체 TV 집적회로 라인 및 필드 스캐닝 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10401-1993 반도체 통합 오디오 회로 모터 속도 안정화 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10740-1996 반도체 집적 회로 바이폴라 랜덤 액세스 메모리 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10402-1993 반도체 집적 오디오 회로 자동 선곡 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10400-1993 반도체 집적 오디오 회로 그래픽 이퀄라이제이션 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 11004-1996 반도체 텔레비전 집적 회로 이미지 채널 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10879-1996 반도체 통합 오디오 회로에 대한 오디오 프리앰프 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10427.1-1993 반도체 집적 회로 오디오 회로 FM 변환기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10427.2-1993 반도체 집적 회로 오디오 회로 중간 주파수 증폭기 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 10881-1996 드라이버 테스트 방법을 나타내는 반도체 집적 오디오 회로 레벨의 기본 원리
- SJ/T 10801-1996 반도체 통합 인터페이스 회로 코어 메모리 드라이버 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 11007-1996 반도체 텔레비전 집적 회로 비디오 신호 및 컬러 신호 처리 회로 테스트 방법의 기본 원리
- SJ/T 2215-2015 반도체 광커플러 테스트 방법
- SJ 2749-1987 반도체 레이저 다이오드 테스트 방법
- SJ 2214.1-1982 반도체 감광성 튜브 테스트 방법의 일반 원칙
- SJ/T 11394-2009 반도체 발광 다이오드 테스트 방법
- SJ 20788-2000 반도체 다이오드 열임피던스 테스트 방법
- SJ 2355.1-1983 반도체 발광 소자의 테스트 방법 일반 원리
- SJ 2215.1-1982 반도체 광커플러 테스트 방법의 일반 원리
- SJ 20787-2000 반도체 브리지 정류기 열 저항 테스트 방법
- SJ/T 11399-2009 반도체 발광 다이오드 칩 테스트 방법
- SJ 2355.5-1983 반도체 발광소자 시험방법, 법선광강도 및 반광도각 시험방법
- SJ/T 10818-1996 반도체 집적 비선형 회로 디지털/아날로그 변환기의 기본 원리와 아날로그/디지털 변환기 테스트 방법
- SJ 2065-1982 반도체 소자 생산에 사용되는 확산로의 시험 방법
- SJ 2355.6-1983 반도체 발광소자 시험방법, 광속 시험방법
- SJ 2355.4-1983 반도체 발광소자 시험방법, 접합용량 시험방법
- SJ/T 2214-2015 반도체 포토다이오드 및 포토트랜지스터 테스트 방법
- SJ 2355.3-1983 반도체 발광소자 시험방법 역전류 시험방법
- SJ 2355.2-1983 반도체 발광소자 시험방법 순방향 전압강하 시험방법
- SJ/T 10482-1994 반도체의 심부 에너지 준위의 과도 용량 테스트 방법
- SJ 20026-1992 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
- SJ 2214.3-1982 반도체 포토다이오드의 암전류 테스트 방법
- SJ 2214.5-1982 반도체 포토다이오드 접합 용량 테스트 방법
- SJ 2214.8-1982 반도체 포토트랜지스터의 암전류 테스트 방법
- SJ 2658.1-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 일반 원리
- SJ 2658.4-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 정전용량의 시험방법
- SJ 2355.7-1983 반도체 발광 소자의 시험 방법, 발광 피크 파장 및 스펙트럼 반폭 시험 방법
- SJ 2214.2-1982 반도체 포토다이오드의 순방향 전압 강하 테스트 방법
- SJ 2214.7-1982 반도체 포토트랜지스터의 포화 전압 강하 테스트 방법
- SJ 2214.10-1982 반도체 포토다이오드 및 삼극관의 광전류 테스트 방법
- SJ 2658.2-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 전압 강하 테스트 방법
- SJ 2658.3-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 역전압 시험방법
- SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 반도체 이산 장치 테스트 시스템 검증 규정
- SJ 2215.6-1982 반도체 광커플러(다이오드) 접합 용량 테스트 방법
- SJ 2215.8-1982 반도체 광 커플러의 출력 포화 전압 강하 테스트 방법
- SJ/T 11818.1-2022 반도체 UV 방출 다이오드 1부: 테스트 방법
- SJ 2658.7-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 복사속의 시험방법
- SJ 2658.10-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 변조된 광대역의 테스트 방법
- SJ 2658.12-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 피크 방출 파장 및 스펙트럼 반폭 테스트 방법
- SJ 2215.14-1982 반도체 광커플러의 입출력간 절연내압 시험방법
- SJ 2757-1987 고농도로 도핑된 반도체의 캐리어 농도에 대한 적외선 반사 테스트 방법
- SJ 2215.3-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전류 테스트 방법
- SJ 2214.4-1982 반도체 포토다이오드의 역항복 전압 테스트 방법
- SJ 2215.4-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역전류 테스트 방법
- SJ 2215.10-1982 반도체 광커플러의 DC 전류 전달 비율 테스트 방법
- SJ 2215.12-1982 반도체 광 커플러의 입력과 출력 사이의 절연 용량 테스트 방법
- SJ 2215.2-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전압 강하 테스트 방법
- SJ 2215.13-1982 반도체 광커플러의 입력과 출력간 절연저항 시험방법
- SJ 2658.6-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 출력광전력 시험방법
- SJ 2658.8-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 정상복사시험방법
- SJ 2658.9-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 방사강도 및 반강도각의 공간분포 시험방법
- SJ 2658.5-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 직렬 저항 테스트 방법
- SJ 2658.11-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 시험 방법, 임펄스 응답 특성의 시험 방법
- SJ 2215.5-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역항복 전압 테스트 방법
- SJ 2215.9-1982 반도체 광커플러(트랜지스터)의 역방향 차단 전류 테스트 방법
- SJ/T 11820-2022 반도체 개별 장치 DC 매개 변수 테스트 장비 기술 요구 사항 및 측정 방법
- SJ 2214.9-1982 반도체 포토다이오드 및 트랜지스터의 펄스 상승 및 하강 시간 테스트 방법
- SJ 2658.13-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 출력광전력의 온도계수 시험방법
- SJ 2215.7-1982 반도체 광커플러의 컬렉터-이미터 역항복 전압 테스트 방법
- SJ 2215.11-1982 반도체 광 커플러의 펄스, 상승, 하강, 지연 및 저장 시간에 대한 테스트 방법
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 테스트 원리
HU-MSZT, 반도체 테스트 원리
AT-ON, 반도체 테스트 원리
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 테스트 원리
CZ-CSN, 반도체 테스트 원리
RO-ASRO, 반도체 테스트 원리
Defense Logistics Agency, 반도체 테스트 원리
IN-BIS, 반도체 테스트 원리
Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
YU-JUS, 반도체 테스트 원리
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 테스트 원리
RU-GOST R, 반도체 테스트 원리
British Standards Institution (BSI), 반도체 테스트 원리
- BS EN IEC 63364-1:2022 반도체 소자 사물인터넷 시스템에 사용되는 반도체 소자의 소리 변화 검출을 위한 테스트 방법
- BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
- BS IEC 62951-7:2019 유연한 유기 반도체 필름 봉지의 장벽 특성을 특성화하기 위한 유연하고 신축성 있는 반도체 장치 테스트 방법
- BS IEC 62951-6:2019 반도체 소자의 유연한 전도성 필름 및 신축성 있는 반도체 소자의 면저항 시험 방법
- BS IEC 62373-1:2020 반도체 장치 금속 산화물, 반도체, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 바이어스 온도 안정성 테스트 MOSFET의 빠른 BTI 테스트
- BS IEC 62951-1:2017 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 반도체 장치 유연 및 신축성 반도체 장치 굽힘 테스트 방법
- 14/30297227 DC BS EN 62880-1 반도체 장치 반도체 장치에 대한 웨이퍼 수준 신뢰성 구리 응력 마이그레이션 테스트 방법
- 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 34-1 전력 반도체 모듈의 전원 사이클 테스트
- BS IEC 63275-1:2022 반도체 소자 탄화 규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 신뢰성 테스트 방법 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
- BS IEC 60747-14-11:2021 반도체 장치 반도체 센서 표면 탄성파를 기반으로 한 자외선, 조도 및 온도 측정용 통합 센서 테스트 방법
- BS IEC 62951-9:2022 저항성 메모리 유닛을 위한 반도체 소자 유연 신축성 반도체 소자-트랜지스터-저항(1T1R) 성능 테스트 방법
- BS IEC 62880-1:2017 반도체 소자 스트레스 마이그레이션 테스트 표준 - 구리 스트레스 마이그레이션 테스트 표준
- 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 반도체 장치 사물 인터넷 시스템에 사용되는 반도체 장치 1부 소리 변화 감지를 위한 테스트 방법
- BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
- BS EN 60749-34:2010 반도체 장치, 기계 및 환경 테스트 방법, 전원 주기
- BS EN 60749-6:2017 반도체 장치 고온 보관에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
- BS EN IEC 60749-17:2019 반도체 장치 중성자 조사에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
- PD ES 59008-4-1:2001 반도체 칩에 대한 데이터 요구 사항 특정 요구 사항 및 권장 사항 테스트 및 품질
- BS EN 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 인장 테스트용 필름 표준 시편
- BS IEC 60747-18-1:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서 교정 테스트 방법 및 데이터 분석
- IEC TR 63357:2022 반도체 장치의 자동차 고장 테스트 방법에 대한 표준화 로드맵
- BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- BS IEC 62951-8:2023 반도체 소자의 유연성과 신축성 반도체 소자의 신축성, 유연성 및 안정성을 위한 유연한 저항성 메모리 테스트 방법
- BS IEC 62830-5:2021 에너지 하베스팅 및 발전용 반도체 소자 플렉서블 열전소자에서 발생하는 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
- BS EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
- BS IEC 62830-4:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법
- BS EN 60749-9:2017 반도체 장치에 대한 기계 및 기후 테스트 방법 표시의 지속성
- BS EN 60749-3:2017 반도체 장치 외부 육안 검사에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법
- BS IEC 63284:2022 반도체 소자 질화갈륨 트랜지스터 유도부하 스위치 신뢰성 시험방법
- BS EN 60749-29:2011 반도체 장치 기계적 및 기후적 저항에 대한 테스트 방법 래치업 효과 테스트
- 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 반도체 장치 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 신뢰성 테스트 방법 1부. 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
- BS EN 60749-4:2017 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후적 테스트 방법 HAST(Hygrothermal, Steady State, Highly Accelerated Stress Testing)
- BS EN 60749-5:2017 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 정상 상태 온도 습도 바이어스 수명 테스트
- PD IEC TR 60747-5-12:2021 반도체소자 광전자소자 발광다이오드 LED 효율 시험 방법
- BS EN IEC 60749-18:2019 반도체 장치 전리 방사선에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법(총 선량)
- 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 반도체 장치의 기계적 표준화 파트 6-16 BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집
- 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
- 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
- 18/30355426 DC BS EN 62830-5 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 5부 유연한 열전 장치의 발전 측정을 위한 테스트 방법
- BS EN IEC 60749-30:2020 신뢰성 테스트에 앞서 비밀폐형 표면 실장 장치를 사전 컨디셔닝하기 위한 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법
- BS EN 60749-26:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
- BS EN 60749-26:2014 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
- BS IEC 62526:2007 반도체 설계 환경을 위한 STIL(Standard Test Interface Language)에 대한 확장 표준
- BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- BS IEC 62830-6:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 반도체 장치 수직 접촉 모드 마찰 전기 에너지 수확 장치 테스트 및 평가 방법
- 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정
- 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 반도체 장치 실리콘 카바이드 개별 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 신뢰성 테스트 방법 2부. 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하에 대한 테스트 방법
- BS EN 60749-16:2003 반도체 장치, 기계 및 기후 테스트 방법, 입자 충격 소음 감지(PIND)
- BS IEC 62047-32:2019 반도체 소자 미세 전자기계 소자 MEMS 공진기 비선형 진동 시험 방법
- BS EN IEC 60749-10:2022 반도체 장치 기계적 충격 장비 및 어셈블리에 대한 기계적 및 기후 테스트 방법
- BS EN IEC 60749-37:2022 가속도계를 사용한 반도체 장치 보드 레벨 낙하 테스트 방법의 기계적 및 기후적 테스트 방법
- 20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9 반도체 장치 유연하고 신축성 있는 반도체 장치 제9부 1관 1저항(1T1R) 저항성 메모리 장치 성능 테스트 방법
- 20/30409285 DC BS IEC 63284 반도체 장치의 유도성 부하 스위치의 전도 스트레스 신뢰성에 대한 신뢰성 테스트 방법 갈륨 질화물 트랜지스터
Danish Standards Foundation, 반도체 테스트 원리
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 테스트 원리
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 테스트 원리
Association Francaise de Normalisation, 반도체 테스트 원리
ES-UNE, 반도체 테스트 원리
German Institute for Standardization, 반도체 테스트 원리
工业和信息化部, 반도체 테스트 원리
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 테스트 원리
International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 테스트 원리
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 원리
Professional Standard - Aerospace, 반도체 테스트 원리
TR-TSE, 반도체 테스트 원리
Lithuanian Standards Office , 반도체 테스트 원리
Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 테스트 원리
ECIA - Electronic Components Industry Association, 반도체 테스트 원리
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 테스트 원리
American National Standards Institute （ANSI), 반도체 테스트 원리
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 반도체 테스트 원리
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 원리
Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 반도체 테스트 원리
National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
Professional Standard - Machinery, 반도체 테스트 원리
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 테스트 원리
American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 테스트 원리
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
CU-NC, 반도체 테스트 원리
National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
未注明发布机构, 반도체 테스트 원리
ZA-SANS, 반도체 테스트 원리
AENOR, 반도체 테스트 원리
KR-KS, 반도체 테스트 원리
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 테스트 원리
Underwriters Laboratories (UL), 반도체 테스트 원리
AT-OVE/ON, 반도체 테스트 원리
- OVE EN IEC 63275-2:2021 반도체 장치 - 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 신뢰성 테스트 방법 - 2부: 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하 테스트 방법(IEC 47/2680/CDV)(영어 버전)
Professional Standard - Agriculture, 반도체 테스트 원리
Professional Standard - Building Materials, 반도체 테스트 원리
PL-PKN, 반도체 테스트 원리