GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers


GB/T 4058-2009 中,可能用到以下仪器

 

赛默飞Q Exactive HF LCMS系统

赛默飞Q Exactive HF LCMS系统

赛默飞色谱与质谱分析

 

Obisphere 3654便携式 H2

Obisphere 3654便携式 H2

哈希水质分析仪器(上海)有限公司

 

GB/T 4058-2009



标准号
GB/T 4058-2009
发布日期
2009年10月30日
实施日期
2010年06月01日
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1554 GB/T 14264 YS/T 209
被代替标准
GB/T 4058-1995
适用范围
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。

GB/T 4058-2009系列标准


GB/T 4058-2009 中可能用到的仪器设备


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