GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
GBT4058-2009, GB4058-2009
GB/T 4058-2009 发布历史
GB/T 4058-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。
GB/T 4058-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 4058-2009 。
GB/T 4058-2009 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
- YS/T 209 硅材料原生缺陷图谱
GB/T 4058-2009的历代版本如下：
- 2009年 GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
- 1995年 GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
- 标准号
- GB/T 4058-2009
- 别名
- GBT4058-2009
GB4058-2009 - 发布
- 2009年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 4058-2009
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1554 YS/T 209
- 被代替标准
- GB/T 4058-1995