GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

GB/T 6616-2009 发布历史

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10Ω•cm-2*10Ω•cm和2*10Ω/□~3*10Ω/□ 。

GB/T 6616-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。

GB/T 6616-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 6616-2009 发布之时，引用了标准

• GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T 6616-2009的历代版本如下：

• 1995年04月18日 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
• 2009年10月30日 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 由 GB/T 6616-1995 变更而来。

标准号

GB/T 6616-2009

发布日期

2009年10月30日

实施日期

2010年06月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H80

国际标准分类号

29.045

发布单位

国家质检总局

引用标准

GB/T 1552 ASTM E 691

被代替标准

GB/T 6616-1995

适用范围

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10^-3Ω•cm-2*10²Ω•cm和2*10³Ω/□~3*10³Ω/□ 。

GB/T 6616-2009系列标准

GB/T 6616-2009 中可能用到的仪器设备

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