GB/T 14141-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。
GB/T 14141-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 14141-2009 。
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。 ...
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。 那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢? ...
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢?测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容 -电压法、扩展电阻法等,四探针法则是一种广泛采用的标准方法,高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理,同时采用了双电测组合四探针法。...
二、适用行业:广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。...
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