GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array


GB/T 14141-2009 中,可能用到以下仪器设备

 

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GB/T 14141-2009



标准号
GB/T 14141-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1552-1995 GB/T 11073-2007
被代替标准
GB/T 14141-1993
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

GB/T 14141-2009 中可能用到的仪器设备


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