GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
GB/T 14141-2009 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 14141-2009
- 发布日期
- 2009年10月30日
- 实施日期
- 2010年06月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- GB/T 1552-1995 GB/T 11073-2007
- 被代替标准
- GB/T 14141-1993
- 适用范围
- 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。