找不到引用GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 的标准
以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ,产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
2015-01-2268GB/T 30852-2014牵引电机用导电铜及铜合金型材2015-02-0169GB/T 30853-2014牵引电机用铜及铜合金锻环2015-02-0170GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片2015-04-0171GB/T 30855-2014LED外延芯片用磷化镓衬底2015-04-0172GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底...
T 30852-2014牵引电机用导电铜及铜合金型材2015-02-0169GB/T 30853-2014牵引电机用铜及铜合金锻环2015-02-0170GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片2015-04-0171GB/T 30855-2014LED外延芯片用磷化镓衬底2015-04-0172GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底2015-04-0173GB...
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