GB/T 14847-1993
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance


标准号
GB/T 14847-1993
发布日期
1993-12-30
实施日期
1994-09-01
废止日期
2011-10-01
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
29.040.30
发布单位
CN-GB
代替标准
GB/T 14847-2010
适用范围
本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

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