双金属效应
本专题涉及双金属效应的标准有45条。
国际标准分类中，双金属效应涉及到涂料和清漆、半导体分立器件、半导体材料、金属材料试验、集成电路、微电子学、消防、电气工程综合、电学、磁学、电和磁的测量、建筑材料。
在中国标准分类中，双金属效应涉及到、、半导体分立器件、场效应器件、半导体分立器件综合、半导体集成电路、半导体三极管、消防综合、基础标准与通用方法、材料防护、一般与显微外科器械。
中国团体标准，关于双金属效应的标准
- T/CSTM 00641-2022 金属效应粉末涂料
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
国际电工委员会，关于双金属效应的标准
- IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 62373-1-2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
- IEC 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）的偏温稳定性试验
- IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
- IEC TS 60695-5-3-2003 着火危险试验.第5-3部分:燃烧废气的腐蚀破坏效应.漏泄电流和金属损失试验方法
，关于双金属效应的标准
- PNS IEC 62373-1-2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
工业和信息化部，关于双金属效应的标准
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
美国材料与试验协会，关于双金属效应的标准
- ASTM E942-96(2011) 辐照金属中氦效应模拟的标准指南
- ASTM F996-2010 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
- ASTM F996-1998 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-1998(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM E942-96(2003) 辐照金属中氦效应模拟的标准指南
- ASTM E942-96 辐照金属中氦效应模拟的标准指南
- ASTM E942-1996(2003) 辐照金属中氦效应模拟用标准指南
- ASTM E942-1996(2011) 辐照金属中氦效应模拟用标准指南
- ASTM F616M-1996(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM E942-1996 辐照金属中氦效应模拟用标准指南
- ASTM F616M-1996 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM D2249-1994 金属框架表面釉漆和底漆风蚀效应预测的标准试验方法
德国标准化学会，关于双金属效应的标准
- DIN EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
法国标准化协会，关于双金属效应的标准
- NF C80-203-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- NF S94-402-1-1992 纯化剂、清洁剂或消毒剂对可再用的外科医疗器械腐蚀效应的检验.第1部分:金属器械
英国标准学会，关于双金属效应的标准
- BS EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
欧洲电工标准化委员会，关于双金属效应的标准
- EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
美国国防后勤局，关于双金属效应的标准
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
