半导体 气
本专题涉及半导体 气的标准有20条。
国际标准分类中，半导体 气涉及到电子元器件综合、化工产品。
在中国标准分类中，半导体 气涉及到敏感元器件及传感器、工业气体与化学气体。
国家质检总局，关于半导体 气的标准
- GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
(美国)军事条例和规范，关于半导体 气的标准
- ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.01赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑半导体系列(TTL)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 晶体振荡器(XO):450千赫-100兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
德国标准化学会，关于半导体 气的标准
- DIN 50450-9-2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量
行业标准-电子，关于半导体 气的标准
- SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
- SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
行业标准-机械，关于半导体 气的标准
- JB/T 11623-2013 平面厚膜半导体气敏元件
