EN
RU
ES

半导体测试系统

本专题涉及半导体测试系统的标准有499条。

国际标准分类中，半导体测试系统涉及到核能工程、半导体分立器件、光电子学、激光设备、光纤通信、集成电路、微电子学、软件开发和系统文件、无机化学、辐射测量、金属材料试验、长度和角度测量、电学、磁学、电和磁的测量、半导体材料、整流器、转换器、稳压电源、电子设备用机械构件、词汇、图形符号、信息技术应用、电子元器件综合、印制电路和印制电路板、电气设备元件、电子电信设备用机电元件、输电网和配电网、质量、航天系统和操作装置、电工和电子试验、工业自动化系统、电阻器、表面处理和镀涂、绝缘材料、电线和电缆、计量学和测量综合、农业和林业、绝缘流体、真空技术、信息技术用语言、塑料、消防、橡胶和塑料制品。

在中国标准分类中，半导体测试系统涉及到技术管理、核仪器与核探测器综合、半导体分立器件综合、半导体整流器件、光通信设备、激光器件、半导体发光器件、半导体集成电路、、光电子器件综合、半导体光敏器件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、金属物理性能试验方法、通用电子测量仪器设备及系统、半金属与半导体材料综合、电源设备、电力半导体器件、部件、微电路综合、元素半导体材料、电子测量与仪器综合、加工专用设备、程序语言、计量综合、数据媒体、敏感元器件及传感器、其他、电子元器件、电子工业生产设备综合、辐射防护仪器、交直流电源装置、电子设备专用微特电机、电子技术专用材料、微型电机、电阻器、基础标准与通用方法、电缆及其附件、航天器控制导引系统、航天器综合、基础标准和通用方法、混合集成电路、森林资源保护、半金属及半导体材料分析方法、合成树脂、塑料基础标准与通用方法。


行业标准-电子，关于半导体测试系统的标准

  • SJ 20233-1993 IMPACT-Ⅱ型半导体分立器件测试系统检定规程
  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
  • SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
  • SJ 2214.1-1982 半导体光敏管测试方法总则
  • SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
  • SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
  • SJ 2355.1-1983 半导体发光器件测试方法.总则
  • SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则
  • SJ 20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法
  • SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
  • SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
  • SJ 2355.5-1983 半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法
  • SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法
  • SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法
  • SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法
  • SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
  • SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
  • SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法
  • SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
  • SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  • SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
  • SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
  • SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
  • SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
  • SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
  • SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
  • SJ 2658.13-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法
  • SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法
  • SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法
  • SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
  • SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法
  • SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
  • SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
  • SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
  • SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
  • SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法
  • SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
  • SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
  • SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法
  • SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
  • SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
  • SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
  • SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
  • SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
  • SJ/T 10735-1996 半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10736-1996 半导体集成电路 HTL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10737-1996 半导体集成电路 ECL电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 10741-1996 半导体集成电路 ＣＭＯＳ电路测试方法的基本原理
  • SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法
  • SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法
  • SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法
  • SJ 2658.8-1986 半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
  • SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
  • SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
  • SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法
  • SJ/T 10880-1996 半导体集成音响电路立体声解码器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10804-2000 半导体集成电路.电平转换器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10805-2000 半导体集成电路.电压比较器测试方法的基本原理
  • SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法
  • SJ/T 10882-1996 半导体集成电路线性放大器测试方法的基本原理
  • SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理
  • SJ/T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法
  • SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法
  • SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理

英国标准学会，关于半导体测试系统的标准

  • BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件 物联网系统用半导体器件 声音变化检测的测试方法
  • BS EN 62007-2:2000 光纤系统半导体光电器件.测量方法
  • BS EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.测量方法
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
  • BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法
  • BS IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
  • BS IEC 62951-6:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性导电薄膜方块电阻的测试方法
  • BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
  • BS IEC 62951-1:2017 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法
  • BS EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
  • BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半导体器件机械标准化 半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 半导体器件 半导体器件的晶圆级可靠性 铜应力迁移测试方法
  • 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半导体器件 机械和气候测试方法 第 34-1 部分 功率半导体模块的功率循环测试
  • BS EN 62007-1:2000 光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性
  • BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
  • BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 半导体传感器 基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
  • BS IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法
  • BS IEC 62880-1:2017 半导体器件 应力迁移测试标准-铜应力迁移测试标准
  • BS ISO 18257:2016 航天系统. 航天应用的半导体集成电路. 设计要求
  • BS EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
  • BS EN 60749-34:2010 半导体器件.机械和环境测试方法.动力循环
  • BS EN 60749-6:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 高温储存
  • BS EN IEC 60749-17:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 中子辐照
  • PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求 具体要求和建议 测试和质量
  • BS IEC 60747-18-1:2019 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器校准的测试方法和数据分析
  • BS EN 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.拉伸测试的薄膜标准试样
  • IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
  • BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
  • BS IEC 62951-8:2023 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性电阻存储器的拉伸性、柔性和稳定性的测试方法
  • BS IEC 62830-5:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 测量柔性热电装置发电功率的试验方法
  • BS EN 62047-4:2010 半导体装置.微电机装置.微电子机械系统(MEMS)一般规格
  • BS EN IEC 60749-26:2018 半导体器件 机械和气候测试方法 静电放电(ESD)灵敏度测试 人体模型（HBM）
  • BS IEC 62830-4:2019 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
  • BS EN 60749-9:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 标记的持久性
  • BS EN 60749-3:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 外部目视检查
  • BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
  • BS EN 60749-29:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.闩锁效应测试
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
  • BS EN 60749-4:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)
  • BS EN 60749-5:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 稳态温度湿度偏置寿命测试
  • 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半导体器件的机械标准化 第6-16部分 BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
  • BS EN IEC 60749-18:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 电离辐射（总剂量）
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第5部分 测量柔性热电装置发电量的测试方法
  • BS EN 60749-26:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
  • BS EN 60749-26:2014 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
  • 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件 第18-3部分 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
  • BS IEC 62526:2007 半导体设计环境用标准测试接口语言(STIL)的扩展标准
  • BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法

法国标准化协会，关于半导体测试系统的标准

  • NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分：声学变化检测测试方法
  • NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
  • NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
  • NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件 第2部分：测量方法
  • NF EN 62416:2010 半导体器件 – MOS 晶体管的热载流子测试
  • NF C53-228:1989 半导体变流器.无间断电力系统用开关
  • NF EN 60749-44:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束单粒子效应（SEE）测试方法
  • NF EN 60749-38:2008 半导体器件机械和气候测试方法第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
  • NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
  • NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
  • NF EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
  • NF EN 62007-2:2009 光纤系统中应用的半导体光电器件 - 第 2 部分：测量方法
  • NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
  • NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 半导体器件 机械和气候测试方法 第44部分：半导体器件的中子束辐照单事件效应（SEE）测试方法
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：编码系统和半导体器件封装封装外形形式的分类
  • NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第9部分: 微机电系统硅片的硅片键合强度测试.
  • NF EN 60749-29:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 29 部分：闩锁测试
  • NF C53-225:1985 直流高压电力传输用半导体电子管的测试
  • NF EN 62047-11:2014 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自含材料线性热膨胀系数的测试方法
  • NF C86-503:1986 半导体器件.电子元器件统一质量评审体系.光电晶体管、光电复合晶体管和光电半导体电路.空白详细规范CESS 20 003
  • NF C83-282:1987 电子元件统一质量评审体系.半导体过电压限制用可变电阻器
  • NF EN 60749-8:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 8 部分：密封
  • NF EN 60749-1:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 1 部分：概述
  • NF EN 60749-21:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 21 部分：可焊性
  • NF EN 60749-2:2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 2 部分：低气压
  • NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
  • NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
  • NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
  • NF C86-411:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路.分规范
  • NF EN 62047-12:2012 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用微机电系统结构（M...
  • NF EN 60749-6:2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 6 部分：高温存储
  • NF EN 60749-25:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 25 部分：温度循环
  • NF EN 60749-34:2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分：功率循环
  • NF EN IEC 60749-13:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 13 部分：盐水气氛
  • NF EN IEC 60749-17:2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 17 部分：中子辐照

国家质检总局，关于半导体测试系统的标准

  • GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
  • GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法
  • GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统（SoC）
  • GB/T 5201-1994 带电粒子半导体探测器测试方法
  • GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
  • GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法
  • GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  • GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法
  • GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则
  • GB/T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法
  • GB/T 43061-2023 半导体集成电路 PWM控制器测试方法
  • GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
  • GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
  • GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
  • GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  • GB/T 43040-2023 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法
  • GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法
  • GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
  • GB/T 8446.2-1987 电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法
  • GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
  • GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
  • GB/T 42848-2023 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法
  • GB 35007-2018 半导体集成电路低电压差分信号电路测试方法
  • GB 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
  • GB 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
  • GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
  • GB/T 4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
  • GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
  • GB 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
  • GB 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
  • GB 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
  • GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
  • GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
  • GB 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
  • GB/T 15136-1994 半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理

ES-UNE，关于半导体测试系统的标准

  • UNE-EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分：声音变化检测的测试方法
  • UNE-EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • UNE-EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管的热载流子测试
  • UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
  • UNE-EN 60749-38:2008 半导体器件 机械和气候测试方法 第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
  • UNE-EN 60749-44:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束辐照单粒子效应（SEE）测试方法
  • UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束辐照单粒子效应（SEE）测试方法
  • UNE-EN 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法
  • UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装的编码系统和封装轮廓形式分类
  • UNE-EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试
  • UNE-EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装的编码系统和封装轮廓形式的分类
  • UNE-EN 62047-11:2013 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自支撑材料线性热膨胀系数的测试方法
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
  • UNE-EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表(IEC 60191-6-16:2007)
  • UNE-EN IEC 60749-13:2018 半导体器件 机械和气候测试方法 第13部分：盐气氛
  • UNE-EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性
  • UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • UNE-EN IEC 60749-17:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 第17部分：中子辐照
  • UNE-EN IEC 60749-12:2018 半导体器件 机械和气候测试方法 第12部分：振动 变频

国际电工委员会，关于半导体测试系统的标准

  • IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件第1部分：声音变化检测的试验方法
  • IEC 62416:2010 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试
  • IEC 62007-2:1997 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
  • IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的编码系统和分类
  • IEC 62007-2:1999 纤维光学系统用半导体光电器件 第2部分:测量方法
  • IEC 60749-44:2016 半导体器件 - 机械和气候测试方法第44部分:中子束照射单事件效应（见）半导体器件测试方法
  • IEC 60191-4:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
  • IEC 60191-4:1987 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
  • IEC 60191-4:1999 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
  • IEC 60191-4:2013 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
  • IEC 60191-4:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法.修改件1
  • IEC 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件第2部分:测量方法
  • IEC 60333:1993 核仪器 半导体带电粒子探测器 试验程序
  • IEC 62047-9:2011 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
  • IEC 62047-9:2011/COR1:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
  • IEC 60191-4/AMD1:2001 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统 修改1
  • IEC 60191-4/AMD2:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统.修改件2
  • IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统.修改件1
  • IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可伸缩半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法
  • IEC 60747-18-3:2019 半导体器件.第18-3部分:半导体生物传感器.带射流系统的无透镜CMOS光子阵列传感器组件的流体流动特性
  • IEC 60146-5:1988 半导体变流器.第5部分:不间断电源系统开关(UPS开关)
  • IEC 60146-4:1986 半导体变流器.第4部分:不间断电力系统性能和试验要求的规定方法
  • IEC 62830-5:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第5部分:测量柔性热电器件产生功率的试验方法
  • IEC 62880-1:2017 半导体器件 - 应力迁移测试标准 - 第1部分 - 铜应力迁移测试标准
  • IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
  • IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
  • IEC 60749-13:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第13部分:盐气氛
  • IEC 62007-1:1999 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性.
  • IEC 60596:1978 半导体辐射探测器和闪烁计数试验方法术语的定义
  • IEC 60749-34:2010 半导体器件.机械和环境测试方法.第34部分:电力循环

美国国家标准学会，关于半导体测试系统的标准

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体测试系统的标准

HU-MSZT，关于半导体测试系统的标准

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体测试系统的标准

CZ-CSN，关于半导体测试系统的标准

RO-ASRO，关于半导体测试系统的标准

IN-BIS，关于半导体测试系统的标准

美国国防后勤局，关于半导体测试系统的标准

中国团体标准，关于半导体测试系统的标准

YU-JUS，关于半导体测试系统的标准

美国电气电子工程师学会，关于半导体测试系统的标准

行业标准-邮电通信，关于半导体测试系统的标准

丹麦标准化协会，关于半导体测试系统的标准

  • DS/EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
  • DS/EN 62416:2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试
  • DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
  • DS/EN 60749-38:2008 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
  • DS/EN 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法
  • DS/EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试
  • DS/EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
  • DS/EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法
  • DS/EN 60749-2:2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第2部分：低气压
  • DS/EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性
  • DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
  • DS/EN 60749-34:2011 半导体设备 机械和气候测试方法 第34部分：功率循环
  • DS/EN 60749-25:2004 半导体器件 机械和气候测试方法 第25部分：温度循环

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半导体测试系统的标准

  • EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
  • EN 62007-2:2000 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
  • EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
  • EN 60749-29:2003 半导体器件机械和气候测试方法第29部分：闩锁测试
  • EN 60749-34:2004 半导体器件机械和气候测试方法第34部分：动力循环

韩国科技标准局，关于半导体测试系统的标准

德国标准化学会，关于半导体测试系统的标准

  • DIN EN 62415:2010-12 半导体器件-恒流电迁移测试
  • DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • DIN EN 62416:2010-12 半导体器件-MOS晶体管的热载流子测试
  • DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
  • DIN EN 62418:2010-12 半导体器件-金属化应力空洞测试
  • DIN EN 60191-4:2003 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类
  • DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
  • DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
  • DIN 50441-5:2001 半导体技术试验.半导体片几何尺寸测定.第5部分:形状和平整度偏差术语
  • DIN EN 60749-44:2017-04 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束辐照单粒子效应（SEE）测试方法
  • DIN EN 62007-2:2009-09 用于光纤系统应用的半导体光电器件-第2部分：测量方法
  • DIN EN 60749-38:2008-10 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 38 部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法 (IEC 60749-38:2008)
  • DIN SPEC 1994:2017-02 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
  • DIN EN 60749-29:2012-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试
  • DIN EN 60191-6-16:2007-11 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
  • DIN EN IEC 63364-1:2023-10 半导体器件-物联网系统用半导体器件-第1部分：声音变化检测的测试方法（IEC 47/2742/CDV:2021）；德语版和英语版 prEN IEC 63364-1:2021 / 注：发布日期 2023-09-29
  • DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
  • DIN EN 62047-11:2014-04 半导体器件-微机电器件-第11部分：微机电系统自支撑材料线性热膨胀系数的测试方法
  • DIN EN 60749-39:2007-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
  • DIN EN 60749-8:2003-12 半导体器件 机械和气候测试方法 第8部分：密封
  • DIN EN 60191-4:2019-02 半导体器件的机械标准化 - 第 4 部分：半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类（IEC 60191-4:2013 + A1:2018）
  • DIN EN 60749-21:2012-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性
  • DIN EN IEC 60749-13:2018-10 半导体器件机械和气候测试方法第13部分：盐气氛
  • DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • DIN 50452-1:1995-11 半导体技术材料的测试 - 液体中颗粒分析的测试方法 - 第 1 部分：颗粒的显微测定
  • DIN EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类(IEC 60191-4-2013).德文版本EN 60191-4-2014
  • DIN EN 60749-34:2011-05 半导体器件 机械和气候测试方法 第34部分：功率循环
  • DIN EN 60749-25:2004-04 半导体器件 机械和气候测试方法 第25部分：温度循环
  • DIN EN 60749-27:2013-04 半导体器件 机械和气候测试方法 第27部分：静电放电
  • DIN EN 60749-6:2017-11 半导体器件机械和气候测试方法第6部分：高温储存
  • DIN EN 60749-22:2003-12 半导体器件 机械和气候测试方法 第22部分：粘合强度
  • DIN EN IEC 60749-12:2018-07 半导体器件 机械和气候测试方法 第12部分：振动 变频

工业和信息化部，关于半导体测试系统的标准

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体测试系统的标准

行业标准-航天，关于半导体测试系统的标准

  • QJ 259-1977 半导体集成稳压电源测试方法
  • QJ 257-1977 半导体TTL集成数字电路测试方法
  • QJ 1528-1988 半导体集成电路时基器测试方法
  • QJ/Z 32-1977 半导体集成比较放大器测试方法
  • QJ 260-1977 半导体集成相敏整流电路测试方法
  • QJ 1460-1988 半导体集成电路宽带放大器测试方法
  • QJ 2491-1993 半导体集成电路运算放大器测试方法
  • QJ 1526-1988 半导体集成电路运算放大器特殊参数测试方法
  • QJ 2660-1994 半导体集成电路 开关电源脉宽调制器测试方法
  • QJ 3289-2007 地空导弹射频寻的制导控制系统半实物仿真试验要求与方法
  • QJ 3044-1998 半导体集成电路数/模转换器和模/数转换器测试方法

欧洲电工标准化委员会，关于半导体测试系统的标准

  • EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
  • EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
  • EN 60749-44:2016 半导体器件 机械和气候测试方法 第44部分：半导体器件的中子束辐照单事件效应（SEE）测试方法
  • EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试
  • EN 62047-9:2011 半导体器件.微型电机装置.第9部分:微型电机系统(MEMS)硅片的硅片键合强度测试
  • EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法
  • EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元器件用有机材料湿气扩散率和水溶率的测试 IEC 60749-39-2006
  • EN 62047-10:2011 半导体器件.微型电机装置.第10部分:微型电机系统(MEMS)材料的微柱压缩试验
  • EN 60749-34:2010 半导体设备 机械和气候测试方法 第34部分：功率循环

TR-TSE，关于半导体测试系统的标准

立陶宛标准局，关于半导体测试系统的标准

  • LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
  • LST EN 62415-2010 半导体器件-恒流电迁移测试（IEC 62415:2010）
  • LST EN 62416-2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试（IEC 62416:2010）
  • LST EN 60749-38-2008 半导体器件 机械和气候测试方法 第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法（IEC 60749-38:2008）
  • LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试（IEC 62418:2010）
  • LST EN 60191-4-2014 半导体器件的机械标准化. 第4部分: 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式(IEC 60191-4-2013)
  • LST EN 62007-2-2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法（IEC 62007-2:2009）
  • LST EN 60749-29-2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试（IEC 60749-29:2011）
  • LST EN 60191-6-16-2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表（IEC 60191-6-16:2007）

NEMA - National Electrical Manufacturers Association，关于半导体测试系统的标准

SE-SIS，关于半导体测试系统的标准

RU-GOST R，关于半导体测试系统的标准

  • GOST 24461-1980 电力半导体器件.测量和试验方法
  • GOST 4.139-1985 产品质量指标系统.半导体电源转换器.目录术语
  • GOST 18986.17-1973 半导体稳压管.稳定电压温度系数的测量方法
  • GOST 25293-1982 功放半导体器件空气冷却系统的冷却器.一般技术条件
  • GOST 19656.6-1974 超高频混频半导体二极管.额定噪声系数测量方法
  • GOST R 8.842-2013 确保测量一致性的国家系统. 半导体发射二极管辐射功率测量仪器. 验证程序
  • GOST R 8.843-2013 确保测量一致性的国家系统. 半导体发射二极管辐射功率测量仪器. 验证程序

ECIA - Electronic Components Industry Association，关于半导体测试系统的标准

KR-KS，关于半导体测试系统的标准

日本工业标准调查会，关于半导体测试系统的标准

美国电子元器件、组件及材料协会，关于半导体测试系统的标准

贵州省地方标准，关于半导体测试系统的标准

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体测试系统的标准

CH-SNV，关于半导体测试系统的标准

国家计量检定规程，关于半导体测试系统的标准

行业标准-机械，关于半导体测试系统的标准

国家军用标准-总装备部，关于半导体测试系统的标准

美国材料与试验协会，关于半导体测试系统的标准

  • ASTM E1161-95 半导体和电子元件的放射性的测试方法
  • ASTM F76-86(1996)e1 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
  • ASTM F76-86(2002) 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
  • ASTM F76-08 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
  • ASTM F76-08(2016)e1 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
  • ASTM D4325-20 非金属半导体和电绝缘橡胶胶带的标准测试方法
  • ASTM F76-08(2016) 测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法

台湾地方标准，关于半导体测试系统的标准

  • CNS 6802-1980 半导体逻辑闸微电路噪声界限之测试程序
  • CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
  • CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
  • CNS 5751-1980 电子组件与半导体应用之陶质视在密度测试法

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于半导体测试系统的标准

  • ASHRAE 4513-2002 3C风道设计方法在半导体厂工艺排风系统中的应用

国家计量技术规范，关于半导体测试系统的标准

  • JJF 1895-2021 半导体器件直流和低频参数测试设备校准规范

未注明发布机构，关于半导体测试系统的标准

安徽省标准，关于半导体测试系统的标准

  • DB34/T 3770-2020 用于超导磁体系统的复合材料绝缘子电学测试测试方法

BELST，关于半导体测试系统的标准

  • STB 8066-2016 确保白俄罗斯共和国测量统一性的系统 带半导体探测器的阿尔法光谱仪 验证方法

ZA-SANS，关于半导体测试系统的标准

  • SANS 6281-1:2007 油浸纸绝缘电缆测试方法．第1部分：绝缘纸和半导体纸的测试

AENOR，关于半导体测试系统的标准

SAE - SAE International，关于半导体测试系统的标准

  • SAE ARP1625-1981 冷气体系统、导弹或射弹的设计、安装、测试和要求

美国机动车工程师协会，关于半导体测试系统的标准

  • SAE ARP1625-1994 冷气体系统、导弹或射弹的设计、安装、测试和要求
  • SAE ARP1625A-2002 冷气体系统、导弹或射弹的设计、安装、测试和要求

行业标准-能源，关于半导体测试系统的标准

  • NB/T 25110-2020 核电厂可燃气体监测与控制系统调试技术导则

国际标准化组织，关于半导体测试系统的标准

  • ISO 18257:2016 航空航天系统. 航空航天应用的半导体集成应用. 设计要求

行业标准-林业，关于半导体测试系统的标准

  • LY/T 1688-2007 干旱半干旱区森林生态系统定位观测指标体系

CU-NC，关于半导体测试系统的标准

欧洲标准化委员会，关于半导体测试系统的标准

  • HD 396 S1-1979 半导体辐射探测器和闪烁计数试验方法术语的定义

美国保险商实验所，关于半导体测试系统的标准

  • UL 2360-2000 半导体器件制造用塑料可燃性特征测定的试验方法

河北省标准，关于半导体测试系统的标准

  • DB13/T 5120-2019 光通信用 FP、 DFB 半导体激光器芯片直流性能测试规范

半导体测试系统，半导体 测试 系统，半导体 系统，半导体测试，半导体 测试，测试系统，is 测试 系统，+++++半导体测试程序，半导体 测试 设备，功率 半导体 测试，半导体测试设备，半导体测试程序，半导体 测试 仪器，半导体测试原理，半导体 分析 测试，半导体测试分析，半导体 测试 技术，半导体测试技术，半导体+测试+ 设备，半导体 开尔文测试。

 

可能用到的仪器设备

 

福禄克 Fluke 712B RTD Calibrator

福禄克 Fluke 712B RTD Calibrator

福禄克测试仪器（上海）有限公司

 

福禄克 Fluke 714B Thermocouple Calibrator

福禄克 Fluke 714B Thermocouple Calibrator

福禄克测试仪器（上海）有限公司

 

福禄克Fluke 771 毫安级过程钳型表

福禄克Fluke 771 毫安级过程钳型表

福禄克测试仪器（上海）有限公司

 

福禄克 Fluke 750 SW DPC/TRACK2 Software

福禄克 Fluke 750 SW DPC/TRACK2 Software

福禄克测试仪器（上海）有限公司

 

福禄克 Fluke 714B Thermocouple Calibrator

福禄克 Fluke 714B Thermocouple Calibrator

福禄克测试仪器（上海）有限公司

 

 



Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号