29.040.30 标准查询与下载

GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法

本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。 本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。

Determination of Stacking Fault Density of Silicon Epitaxial Layer by Interference Phase Contrast Microscopy

GB/T 13843-1992 蓝宝石单晶抛光衬底片

本标准规定了生长硅的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则。 本标准适用于制备半导体器件的生长硅的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片。

Polished monocrystalline sapphire substrates

GB/T 14015-1992 硅-兰宝石外延片

本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。 本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。

Silicon on sapphire epitaxial wafers

GB/T 13840-1992 晶片承载器

本标准规定了晶片承载器的产品分类、技术要求和试验方法、检验规则、包装标志。 本标准适用于晶片直径为75、1凹、125、150mm通用型塑料和金属晶片承载器，以及晶片直径为125mm自动输送型塑料和金属晶片承载器。

wafer carrier

GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准规定了电子材料晶片参考面长度的测量方法。 本标准适用于测量各种直径的硅抛光片、研磨片和切割片的参考面长度。也适用于测量砷化镓、蓝宝石和钆镓石榴石等材料晶片的参考面长度。

Test method for measuring flat length on slices of electronic materials

GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法

本标准规定了用X射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。 本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量。硅片直径为50～125mm，参考面长度为10～50mm。 本标准不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内的投影与硅片表面法线之间夹角不小于3°的硅片的测量。

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal sillcon slices and wafers by X-ray techniques

GB/T 13389-1992 掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。 本标准适用于掺杂剂浓度10～10cm（电阻率0.0001～10，000Ω·cm）掺硼硅单晶和10～5×10cm（电阻率0.0002～4，000Ω·cm）掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon

GB/T 11496.3-1989 彩色显示管用Y30-R1荧光粉

本标准规定了Y30一R1荧光粉的性能、指标及其测试方法。 Y30-R1荧光粉为中颗粒红色荧光粉。适用于彩色显示管以及其他彩色显示器件涂敷荧光屏。

Phosphor Y30-R1 for color display tybes

GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法

本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10～1×10Ω.Cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。 本方法适用于电阻率10～10Ω·cm的锑化铟单晶样品。

Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals

GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片（111）铟面a位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于3°。

Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal

GB/T 1475-1989 镓

本标准规定了镓的技术要求，试验方法，检验规则和标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于氧化铝生产过程中回收的、供制取高纯镓等用的工业镓。

Gallium

GB/T 6627-1986 人造石英晶体棒材型号命名方法

本标准适用于人造石英晶体棒材的型号命名。

Designation for lumbered synthetic quartz crystal

GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

本标准适用于位错密度0～100.000cm的N型和P型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。

Germanium monocrystal--Inspection of dislocation etch pit density

GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。

Extrinsic semiconductor single crystals--Measurement of Hall mobility and Hall coefficient

GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法

本标准适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质元素和非金属杂质元素含量的测定。

The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials

DIN 50452-3:1995 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第3部分:光学粒子计数器校正

The document describes methods for the determination of measuring deviations of particle sizes, particle concentrations and the resolving capacity of optical particle counters based upon measuring of the laser light-scattering.#,,#

Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 3: Calibration of optical particle counters

DIN 50453-1:1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第1部分:单晶硅测重法

Testing of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium monocrystals; gravimetric method