H83 化合物半导体材料 标准查询与下载

GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 20230-2006 磷化铟单晶

本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化铟单晶材料（以下简称单晶）。

Indium phosphide signle crystal

GB/T 20228-2006 砷化镓单晶

本标准规定了砷化镓单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。

Gallium arsenide single crystal

GB/T 20229-2006 磷化镓单晶

本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶）。

Gallium phosphide signle crystal

YS/T 13-2015 高纯四氯化锗

本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料，经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。

High pure germanium tetrachloride

SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法

本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5 000/cm的圆形InP晶片的EPD的测量。

Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers

SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5 000/cm的圆形GaAs晶片的EPD的测量。

Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers

SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范

本标准规定了衬底和红外探测器窗口用蓝宝石单晶抛光片的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。本标准适用于泡生法和直拉法生长的蓝宝石单晶抛光片,其它方法生长的蓝宝石单晶抛光片也可参照本标准。

Sapphire single crystal polished wafers specification

SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法

本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。

Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide

SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法

本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。

Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers

SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范

本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。

Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers

SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法

本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。

Test method for determining crystal type of monocrystalline silicon carbide

SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10 Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide

SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法

本标准规定了利用X射线衍射定向法测定碳化硅单晶晶向的方法。本标准适用于晶型为6H和4H的碳化硅单晶的晶向测定。

Test method for measuring crystallographic orientation of monocrystalline silicon carbide

SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法

本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10Ω·cm~10Ω·cm范围半绝缘砷化镓单晶材料的热稳定性试验。

Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers

SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量

本标准规定了在77 K时,用红外吸收法来测定砷化镓(GaAs)中替位硼含量的方法。本标准适用于电阻率大于10 Ω ? cm的半绝缘砷化镓单晶中替位硼含量的测试,测量硼含量的有效范围是从1×10 at ? cm到2×10 at ? cm。

Determination of boron concentration in gallium arsenide by infrared absorption

SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAP)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λ)在640 nm~670 nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAP晶片。

Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence