仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 基本技术参数1. ...
通过UPS能谱的测试可知h-BN:Ge-O薄膜的功函数(~ 4.1 eV)显著低于本征h-BN(~ 7 eV),证明其为n型半导体。场效应晶体管FET的器件测试同样证明了h-BN:Ge-O薄膜为n型沟道,并且计算获得其自由电子浓度达到了1.94×1016 cm-3。这是目前国际上第一次终于在超宽禁带半导体h-BN中实现有效的n型导电。...
序号标准编号标准名称代替标准号实施日期1GB/T 209-2018工业用氢氧化钠GB/T 209-20062019/11/12GB/T 1040.1-2018塑料 拉伸性能的测定 第1部分:总则GB/T 1040.1-20062019/11/13GB/T 1190-2018工程机械轮胎技术要求GB/T 1190-20092019/11/14GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法...
其中应力测量技术的空间分辨率可优于20nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,延续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布...
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