GB/T 1550-1997
非本征半导体材料导电类型测试方法
Standard methods for measuring conductivity type of extrinsic semiconducting materials
哪些标准引用了GB/T 1550-1997
GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 26071-2010太阳能电池用硅单晶切割片GB/T 26065-2010硅单晶抛光试验片规范GB/T 11070-2006还原锗锭GB/T 25076-2010太阳电池用硅单晶GB/T 20229-2006磷化镓单晶GB/T 12965-2005硅单晶切割片和研磨片GB/T 25074-2010太阳能级多晶硅GB/T 20230-2006磷化铟单晶GB/T 26072-2010太阳能电池用锗单晶GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法GB/T 26069-2010硅退火片规范GB/T 5238-2009锗单晶和锗单晶片GB/T 26068-2010硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法GB/T 29504-2013300mm 硅单晶GB/T 29508-2013300mm 硅单晶切割片和磨削片GB/T 29054-2012太阳能级铸造多晶硅块GB/T 29055-2012太阳电池用多晶硅片GB/T 29506-2013300mm 硅单晶抛光片YS/T 985-2014硅抛光回收片YS/T 840-2012再生硅料分类和技术条件YS/T 1167-2016硅单晶腐蚀片YS/T 1061-2015改良西门子法多晶硅用硅芯
- 标准号
- GB/T 1550-1997
- 发布日期
- 1997年06月03日
- 实施日期
- 1997年12月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040.01
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 1550-2018
- 被代替标准
- GB 1550-1979 GB 5256-1985
- 适用范围
- 本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。 本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果，对于非均匀试样，可在其表面上测出不同导电类型区域。 本标准方法不适用于分层结构试样，如外延片的导电类型的测定。
GB/T 1550-1997系列标准
GB/T 1545-2008 纸、纸板和纸浆 水抽提液酸度或碱度的测定
GB/T 1546-2018 纸浆 卡伯值的测定
GB/T 1547-2004 纸浆高锰酸钾值的测定
GB/T 1548-2016 纸浆 铜乙二胺（CED）溶液中特性粘度值的测定
GB/T 1549-2008 纤维玻璃化学分析方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法